【产品】525V/6A耐高压功率MOSFET P6B52HP2，助力大功率电路设计！
P6B52HP2是新电元推出的一款耐高压功率MOSFET，其漏-源电压可达525V，可满足高电压的工作环境。同时漏极直流电流最大为6A，可满足大功率电路的设计应用。
P6B52HP2的材质为N-FET硅，沟道类型为N沟道。其漏电压为30V，连续源电流峰值为24A，额定功率为70W，重复雪崩电流最大为6A ，单次雪崩能量最大达50mJ ，重复雪崩能量最大5mJ ，可有效抑制雪崩效应。同时P6B52HP2的漏源二极管耐受能力可达350 A/us，可为该款功率MOSFET的应用提供更好的安全保障。P6B52HP2所具有的高雪崩耐受性和高di/dt耐受能力使其非常适合高可靠性的系统设计。
P6B52HP2采用SMD封装，尺寸为10.0×6.6×2.3mm3，表贴封装不仅可以节省设计面积，同时更适合大批量的生产加工。此外，P6B52HP2的阈值电压典型值为3.75V，最大最小阈值电压分别为3.0V和4.5V，可轻松驱动，同时工作与储存温度在-55℃到150℃之间，最高结温可达150℃ ，结壳热阻最大为1.78℃/W，在大功率系统中，可确保系统不会因为损耗过大导致结温过高而损坏芯片，更好的应用于高温环境。
P6B52HP2的导通电阻RDS（ON）典型值为1.1Ω，最大值仅为1.35Ω，因此有着较低的导通损耗、更好的效率表现。其跨导典型值为6S，最小值为输入电容典型值520pF，输出电容典型值58pF，反向传输电容典型值5.5pF 。总栅极电荷为15nC，使得晶体管对驱动电流的要求低，可以更加显著的降低开关损耗，提升电源效率。P6B52HP2可支持快速导通和关断，导通延迟时间td（on）典型值为15ns，上升时间典型值为20ns，关闭延迟时间td（of）典型值为40ns，下降时间典型值为25ns，有着极快的开关速度,高速开关切换确保该款功率MOSFET非常适合高频电路设计。
功率MOSFET P6B52HP2主要特性：
• SMD封装，尺寸10.0×6.6×2.3mm3
• 漏-源电压最大可达525V
• 漏极直流电流最大6A
• 低噪音
• 重复雪崩电流最大6A（起始Tch=25℃，Tch≤150℃）
• 单次雪崩能量最大50mJ，重复雪崩能量最大5mJ（起始Tch=25℃，Tch≤150℃）
• 漏源二极管di/dt耐受能力可达350A/us（IS=6A，TC=25℃）
• 静态漏-源导通阻抗典型值1.1Ω（ID=3A，VGS=10V）
• 总栅极电荷典型值15nC（VDD=400V，VGS=10V，ID=6A）
• 输入电容典型值520pF，输出电容典型值58pF，反向传输电容典型值5.5pF（VDS=50V，VGS=0V，f=1MHz）
• 导通延时时间典型值15ns，上升时间典型值20ns，关断延时时间典型值40ns，下降时间典型值25ns（ID=3A，RL=50Ω，VDD=150V，Rg=50Ω，VGS (+)=10V，VGS (-)=0V）
• 最高结温150℃，结壳热阻最大1.78℃/W。
功率MOSFET P6B52HP2主要应用：
• 开关电源
• 驱动器
• 逆变器
图一：功率MOSFET P6B52HP2封装外形图
图二：等效电路原理图
技术顾问：咸柠
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