【产品】30V/20A N沟道高级功率MOSFET RU30D20H，适用于开关应用系统
锐骏半导体推出N沟道高级功率MOSFET—RU30D20H，漏源电压30V，漏极电流20A，工作范围-55~150℃，低栅极电荷，经过100%雪崩测试，无铅器件，符合RoHS要求，适用于开关应用系统。
产品特点：
• 30V/20A，
RDS (ON) =10mΩ(Typ.)@VGS=10V
RDS (ON) =12mΩ(Typ.)@VGS=4.5V
• 低栅极电荷
• 100%雪崩测试
•无铅器件，符合RoHS要求
产品应用：
开关应用系统
绝对最大额定值:
注：
①脉冲宽度受安全工作区限制。
②根据最大允许结温计算出的连续电流。
③安装在1平方英寸铜板上时，t≤10s。 任何给定应用中的值取决于用户的特定电路板设计。
④受TJmax限制。 起始TJ=25℃。
⑤脉冲测试；脉冲宽度≤300µs，占空比≤2%。
⑥设计保证，未经生产测试。
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锐骏半导体MOSFET选型表
锐骏半导体提供以下参数的MODFET：Channel:P/N+P/Dual+P/Dual-P; ESD Diode :N/Y;VDSS:-40~85V;VTH:-3~5V;IDS:-70~230A
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产品型号
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品类
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Channel
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ESD Diode (Y/N)
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VDSS(V)
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VTH(V)
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IDS(A)@TA=25℃ (A)
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RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-4.5V (mΩ)
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RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-2.5V (mΩ)
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Package
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RU207C
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MOSFET
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N
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N
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20
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0.5-1.1
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6
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10
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15
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SOT23-3
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选型表 - 锐骏半导体 立即选型
锐骏半导体N-MOSFET选型表
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产品型号
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品类
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Channel
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ESD Diode (Y/N)
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VDSS(V)
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VTH(V)
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IDS(A)@TA=25℃ (A)
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RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-4.5V (mΩ)
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RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-2.5V (mΩ)
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Package
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RU207C
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MOSFET
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N
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N
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20
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10
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
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授权代理品牌：分立元件
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