【产品】30V/20A N沟道高级功率MOSFET RU30D20H，适用于开关应用系统

时间： 2022-05-06 来源：锐骏半导体

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锐骏半导体推出N沟道高级功率MOSFET—RU30D20H，漏源电压30V，漏极电流20A，工作范围-55~150℃，低栅极电荷，经过100%雪崩测试，无铅器件，符合RoHS要求，适用于开关应用系统。

产品特点：

• 30V/20A，

R_{DS (ON)} =10mΩ(Typ.)@V_GS=10V

R_{DS (ON)}=12mΩ(Typ.)@V_GS=4.5V

• 低栅极电荷

• 100%雪崩测试

•无铅器件，符合RoHS要求

产品应用：

开关应用系统

绝对最大额定值:

注：

①脉冲宽度受安全工作区限制。

②根据最大允许结温计算出的连续电流。

③安装在1平方英寸铜板上时，t≤10s。任何给定应用中的值取决于用户的特定电路板设计。

④受T_Jmax限制。起始T_J=25℃。

⑤脉冲测试；脉冲宽度≤300µs，占空比≤2%。

⑥设计保证，未经生产测试。

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产品型号	品类	Channel	ESD Diode (Y/N)	VDSS(V)	VTH(V)	IDS(A)@TA=25℃ (A)	RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-4.5V (mΩ)	RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-2.5V (mΩ)	Package
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