【产品】小体积硅N沟道MOSFET裸片，仅21.65 x 21.65MILS，晶圆直径为6英寸
Central Semiconductor 推出的CP324X-2N7002A是一个硅N沟道MOSFET芯片，产品以裸片形式提供，被设计用于高速脉冲放大器和驱动程序应用。当前芯片发展较为迅速的背景下，现在更需要体积小，传速率快且应用范围广泛，可操作性高的芯片。CP324X-2N7002A芯片体积很小，其裸片尺寸只有21.65 x 21.65MILS，晶圆直径为6英寸，合计可生产的裸片数目为48,613，有较高的芯片利用率。CP324X-2N7002A芯片分成“Gate”和“Source”两部分。门极焊盘尺寸是5.5 x 5.5 MILS，源极焊盘尺寸是5.9 x 13.8MILS。产品的顶部所使用的金属是铝，底部使用金属铜，导电能力较强，可允许通过电流较大，有助于信号的传递。
图一：CP324X-2N7002A芯片内部分布图
CP324X-2N7002A的漏源电压和漏极-栅极电压最大值均为60V，栅源电压最大值为40V，连续漏极电流和连续源极电流最高均为280mA（TA=25°C）。最大脉冲源极电流以及最大脉冲漏极电流均为1.5A，适用于高速脉冲放大器。另外，裸片的供应形式具有更高的性价比，可以给用户带来更高的成本效益。
CP324X-2N7002A芯片结温及贮存温度为-65°C 到 +150°C，该芯片温度承受能力强，适用范围广泛。并且可允许通过电流较大，工作时被电流击穿的可能性极小，可以在苛刻的环境下安全并快速地完成信号的传输，使芯片更灵活的运用于驱动程序之中。
CP324X-2N7002A芯片产品主要特性：
•漏源电压最大值：60V
•栅源电压最大值：40V
•连续漏极/源极电流最大值：280mA
•最大脉冲源极/漏极电流1.5A
•结温及贮存温度为-65°C 到 +150°C
CP324X-2N7002A芯片产品典型应用：
•驱动程序应用
•高速脉冲放大器
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NASA911 Lv8. 研究员 2018-11-08学习学习 -
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太皇太后有喜啦 Lv4. 资深工程师 2018-11-08学习了 -
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小学生攻城狮 Lv8. 研究员 2018-11-08有没具体规格书
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Application Brochure for INDUSTRIAL
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Central Semiconductor（中央半导体）场效应管（MOSFET）选型表
目录- MOSFETs
型号- CMLDM7120TG,CMLDM7002AJ,CXDM4060N,CMNDM8001,CXDM4060P,CMKDM8005,CMLDM7003TG,CMLDM8002AJ,CMLDM7005,CMPDM7002AE,CMLDM7484,CMLDM7003,7002A,CTLDM7002AM621H,CMLDM3737,4060P,CMLDM7003JE,4060N,CMRDM3575,CMLDM5757,7003E,CTLDM8002AM621H,CWDM3011N,CMLDM7120G,CMPDM7120G,CWDM3011P,CTLDM304PM832DS,CMLDM8120TG,2N7002,CTLDM7181-M832D,CTLDM8002AM621,CMPDM7002AHC,CDM3-800,CMPDM202PH,CMPDM8120,3011N,303NH,3011P,CMLDM7585,CMPDM8002A,CMLDM8002A,CMRDM7590,CEDM7002AE,CMLM0708A,7002AE,CDM7-600LR,7590,CWDM305PD,CEDM7004VL,CTLDM712021H-M6,CMLDM7005R,6053N,7-700LR,202PH,3-800,CTLDM8120-M832DS,4-600LR,CMPDM303NH,7120,7002,7001,7004,CZDM1003N,7003,CMUDM8004,7005,CMUDM8005,CTLDM303NM832DS,3069N,CTLDM7003-M621,303N,CMLDM7003E,CXDM6053N,7002AHC,7003TG,CMUDM8001,CEDM8001VL,7-650,CXDM1002N,8002A,CTLDM8120-M621H,304P,7120TG,CWDM305ND,CMLDM7003J,CXDM3069N,CEDM7001VL,CDM7-650,CEDM8001,CEDM8004,CMPDM7003,CMPDM302PH,305N,CDM4-650,1002N,302PH,4-650,305P,3737,CEDM7004,CEDM7001,CTLDM7120-M832DS,CWDM305N,CEDM8004VL,5757,CWDM305P,CMPDM7002A,8001,CDM7-700LR,CMUDM7004,1003N,8004,8005,CMUDM7005,CDM4-600LR,CMLDM3757,CMLDM7002A,CMRDM3590,8120,3590,CMNDM7001,CMPDM203NH,CMXDM7002A,8120TG,CTLDM7002AM621,CMLDM8005,7-600LR,203NH,CMUDM7001,CMLDM8120
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型号- CDCLD025,CRU24730-600,CDCLD200,CAK6-042C,CDMSJ2207.3-650,CMJD0130,CDCLD200 SERIES,CDMSJ22029-650,CMJDH080,CDMSJ22010-650,CDCLD025 SERIES,CBRDFA4-100,CMJDH080 SERIES,CMJD0130 SERIES,CAK6-042C SERIES,CAK3-012C SERIES,CDMSJ22013.8-650,CSLCDM22011-225F,CDF56G6517N-650,CRU24715-600,CSLLDM22011-225F,CDMSJ2204.7-650,CMJA5050,CDF56G6511N-650,CAK3-012C,CCSPG1060N-100
【产品】阈值电压最大为1.0V的增强型双N沟道MOSFET
CMRDM3590是CENTRAL半导体公司推出的一款增强型双N沟道MOSFET。CMRDM3590增强型MOSFET提供了低rDS（ON）和低阈值电压，其采用N沟道DMOS工艺制造，专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。
【应用】双N沟道MOSFET CMLDM7002A在PoE音频扬声器系统中的应用
Central公司生产的双N沟道增强型功率管CMLDM7002A输出电容COSS仅25pF，栅极电荷Qg(tot)仅0.592nC（Qg越小越易于驱动）；其开通和关断时间（ton,toff）仅20ns，能最大限度的减少死区时间，是Central公司专为高速脉冲放大器和驱动器而设计的功率管。
CDM7-650 SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL MEDIUM POWER MOSFET 7.0 AMP, 650 VOLT
型号- CDM7-650,CDM7-650 BK,CDM7-650 TR13
【产品】雪崩击穿电压高达600V的N沟道MOSFET，大功率开关电源理想选择
P3F60HP2/P4F60HP2/P5F60HP2/P7F60HP2是ShinDengen公司推出的一款针对工业化应用的N沟道MOSFET，性能稳定可靠，具有高电压，低导通电阻，高切换速度，高雪崩耐久性、高di/dt耐久性等优点。广泛使用于高速脉冲放大器，驱动器，负载/电源开关等应用。
【应用】低功耗双N沟道MOSFETCMLDM7002A在PSE控制器中的应用
Central Semiconductor公司生产的CMLDM7002A双N通道增强型MOS管，具有低导通电阻和低漏-源导通压降的优点，适合作为PSE控制电路的供电开关。
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品牌：Central Semiconductor
品类：N-Channel MOSFET & Low VF Schottky Diode
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服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
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