【选型】电池反接保护应用上选择低内阻的N沟道MOSFET PJL9434A，能耗低且温度范围宽
在一些较大负载电流的应用中，采用传统二极管防逆会因较高的正向压降产生较高的能耗，同时防逆的二极管本身温升较高，长期高温工作会影响管子的性能，降低产品可靠性，为改善传统二极管防逆的缺陷，可以采用低内阻的MOSFET代替传统二极管进行防反接的保护，其损耗远远低于二极管。采用N沟道MOSFET进行防逆电路图如图1所示。
图1 NMOS防逆电路图
采用MOSFET进行防逆可选择P沟道MOSFET和N沟道MOSFET，与P沟道MOSFET相比，N沟道MOSFET更容易做到更低内阻，减少功耗，因此采用N沟道MOSFET进行防逆。一般采用60~100V的MOSFET做防逆MOSFET，整体参数评估必须使MOSFET正常工作，同时Load Dump TVS必须前置，并采用双向的TVS，以确保瞬态浪涌电压不会超过MOSFET的VDS电压，保障MOSFET的安全。
本文主要推荐PANJIT的N沟道MOSFET PJL9434A做防逆保护，其电性能参数如下表所示：
由图表可看出：
PJL9434A的工作结温和存储温度范围为-55~150℃，符合工业级温度要求；
漏源电压为60V，栅源电压为±20V，较高的栅源电压可有效的保护栅极；
连续电流为10A，脉冲电流值可达40A，能满足一些较大负载电流的应用；
导通电阻为12mΩ，且耗散功率仅2.5W，有效降低能耗。
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产品型号
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品类
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封装
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Polarity
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Config.
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VDS(V)
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VGS(V)
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ID(A)
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RDS(on) Max.(mΩ)2.5V
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RDS(on) Max.(mΩ)4.5V
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RDS(on) Max.(mΩ)10V
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Ciss Typ.(pF)
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VGS(th) Max.(V)
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Qg Typ.(nC)10V
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PJA3403_R1_00001
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低压MOS
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SOT-23
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P
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Single
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-30V
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12V
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-3.1A
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165mΩ
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114mΩ
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98mΩ
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443pF
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-1.3V
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11nc
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选型表 - PANJIT 立即选型
60/100/150V Automotive-Grade N-Channel MOSFET AEC-Q101 Qualified with 175℃ Junction Temperature
型号- PJQ4568AP-AU,PJQ5592-AU,PJP125N06SA-AU,PJQ5572A-AU,PJP130N10SA-AU,PJP160N10SA-AU,PJQ4576AP-AU,PJD45N15S-AU,PJQ5562A-AU,PJQ5580A-AU,PJN300N10SA-AU,PJQ4580AP-AU,PJQ5574A-AU,PJN400N06SA-AU,PJQ5968A-AU,PJQ4566AP-AU,PJQ4574AP-AU,PJD50N10SA-AU,PJQ5558AC-AU,PJN220N15S-AU,PJP80N10SA-AU,PJQ5560A-AU,PJD100N06SA-AU,PJN350N06SA-AU,PJN200N10SA-AU,PJN240N15S-AU,PJQ5568A-AU,PJD50N15S-AU,PJQ4594P-AU,PJQ5966A-AU,PJQ5576A-AU,PJD70N10SA-AU,PJD30N15S-AU,PJD80N06SA-AU,PJP100N15S-AU,PJQ4564AP-AU,PJQ2566AW-AU,PJQ5590-AU,PJQ5594-AU,PJP150N15S-AU,PJP75N06SA-AU,PJQ5566A-AU,PJD100N10SA-AU,PJQ2570AW-AU,PJQ5570A-AU,PJP100N06SA-AU,PJD65N10SA-AU,PJP95N10SA-AU,PJQ5564A-AU,PJD45N06SA-AU,PJD60N06SA-AU,PJP200N15S-AU,PJQ2568AW-AU
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电子商城
品牌：PANJIT
品类：N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥3.3900
现货： 0
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
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