【选型】电池反接保护应用上选择低内阻的N沟道MOSFET PJL9434A，能耗低且温度范围宽

时间： 2019-12-29 来源：世强

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在一些较大负载电流的应用中，采用传统二极管防逆会因较高的正向压降产生较高的能耗，同时防逆的二极管本身温升较高，长期高温工作会影响管子的性能，降低产品可靠性，为改善传统二极管防逆的缺陷，可以采用低内阻的MOSFET代替传统二极管进行防反接的保护，其损耗远远低于二极管。采用N沟道MOSFET进行防逆电路图如图1所示。

图1 NMOS防逆电路图

采用MOSFET进行防逆可选择P沟道MOSFET和N沟道MOSFET，与P沟道MOSFET相比，N沟道MOSFET更容易做到更低内阻，减少功耗，因此采用N沟道MOSFET进行防逆。一般采用60~100V的MOSFET做防逆MOSFET，整体参数评估必须使MOSFET正常工作，同时Load Dump TVS必须前置，并采用双向的TVS，以确保瞬态浪涌电压不会超过MOSFET的VDS电压，保障MOSFET的安全。

本文主要推荐PANJIT的N沟道MOSFET PJL9434A做防逆保护，其电性能参数如下表所示：

由图表可看出：

PJL9434A的工作结温和存储温度范围为-55~150℃，符合工业级温度要求；
漏源电压为60V，栅源电压为±20V，较高的栅源电压可有效的保护栅极；
连续电流为10A，脉冲电流值可达40A，能满足一些较大负载电流的应用；
导通电阻为12mΩ，且耗散功率仅2.5W，有效降低能耗。

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用户80040125 Lv2 2020-07-22

N沟道MOSFET PJL9434A，这个能接24V电源或者48V电源吗？会不会击穿Vgs
- zyliuliu_世强回复： PJL9434A的规格是60V/10A，可以承受耐压60V，接24V或48V直流电源没有问题，Vgs是栅极驱动电压，通常是12V左右，不会被击穿。
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用户80040125 Lv2 2020-07-21

这个能接24V电源或者48V电源吗？会不会击穿Vgs

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