【产品】600V/20A N沟道功率MOSFET R6020PNJ，导通电阻最大仅为0.25Ω
R6020PNJ是ROHM推出的N沟道功率MOSFET，产品具有低导通电阻、开关速度快、易于并联使用等优点。且产品为无铅电镀，符合RoHS标准，主要用于开关电源类应用。
图1 R6020PNJ产品图及内部电路图
R6020PNJ功率MOSFET导通电阻最大值仅为0.25Ω，导通损耗小且自身发热少。工作结温和存储温度范围均为-55~150℃，可以在严苛的温度环境下工作。漏源电压最大额定值为600V，栅源电压为±30V，连续漏极电流最大额定值为±20A，脉冲漏极电流最大额定值为±80A，单脉冲雪崩能量最大额定值为26.7mJ，单脉冲雪崩电流最大额定值为10A，具有较好的抗浪涌性。耗散功率最大额定值为304W，其内置体二极管反向恢复时间典型值为493ns。
R6020PNJ功率MOSFET产品特性：
低导通电阻
开关速度快
栅源电压（VGSS）为±30V
易于并联使用
无铅电镀；符合RoHS标准
R6020PNJ功率MOSFET应用领域：
开关电源
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