【产品】采用TO-252封装的N沟道MOSFET DK05NG，导通电阻低至1.4Ω
杜因特推出一款采用TO-252封装的N沟道MOSFET——DK05NG，采用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，有广泛的应用领域。
DK05NG封装形式和示意图
特点：
1）VDS=300V，ID=5A，RDS(ON)<1.4Ω@VGS=10V
2）低栅极电荷
3）器件绿色环保
4）先进的高单元密度沟槽技术，实现超低RDS(ON)
5）先进的封装，提供良好的散热性能
绝对最大额定参数(Ta=25℃，除非特别说明)：
电气特性(Ta=25℃，除非特别说明)：
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由小背篓翻译自杜因特，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】N沟道MOSFET DB008NG，最大漏源电压为20V，连续漏极电流可达45A
DB008NG是杜因特推出的一款N沟道MOSFET，其采用先进的沟道技术和设计，提供出色的RDS（on）以及低栅极电荷，可以用于各种应用。
【产品】漏源电压为60V的N沟道MOSFET DE004TG，漏源导通电阻＜3.5mΩ
杜因特（Doingter）推出的DE004TG是一款采用TO-252封装的N沟道MOSFET，该器件采用先进SGT技术设计，具有优良的漏源导通电阻RDS(on)和低栅极电荷特性。结到壳的热阻最大值为0.89℃/W，结到环境的热阻最大值为62℃/W。
【产品】规格为30V/3A的N沟道MOSFET DO2316，采用先进的沟槽技术设计，具有低栅极电荷
杜因特推出的DO2316是一款采用SOT-23封装的N沟道MOSFET，该器件采用先进的沟槽技术设计，具有优良的漏源导通电阻RDS(on)和低栅极电荷特性，在热性能方面，结到环境的热阻最大值为138℃/W，并有广泛的应用领域。
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论