【产品】内部集成低内阻N沟道MOSFET的过压保护开关，宽输入电压范围2.5V-28V
圣邦微推出的SGM40659,SGM40660,SGM40661过电压保护器件内部集成了一个导通电阻低至27mΩ（典型值）的高电流MOSFET，能主动保护低压系统免受高达+28VDC的电源故障的影响。可广泛应用于智能手机、移动互联网设备、平板电脑、外围设备等应用领域。
输入电压超过过压阈值将导致内部MOSFET关断，防止过大的电压损坏下游器件。当OVLO输入连接到GND时，SGM40659,SGM40660,SGM40661将会自动选择内部固定OVLO阈值，预设典型值为15.61V / 6.80V / 5.94V（SGM40659 / 60/61）。过压保护阈值可通过外部电阻调节至4V至20V之间的任何电压。另外，如果器件温度超过最高结温，器件将关闭，从而有效保护电路。
在封装方面，SGM40659,SGM40660,SGM40661采用绿色WLCSP-1.30×0.94-6B封装，工作环境温度范围为-40℃至+ 85℃。满足工业环境的温度要求，具有极高的环境稳定性。
图1 圣邦微SGM40659/60/61过压保护开关典型应用电路
图2 圣邦微SGM40659/60/61过压保护开关封装尺寸图
SGM40659,SGM40660,SGM40661特点：
●宽输入电压：2.5V-28V
●高达4A电流能力
●集成27mΩ（典型值）N沟道MOSFET
●快速过压保护关断响应时间：80ns
●灵活的过压保护设计
●浪涌抗扰度高达+40V
●自动开启开关，15ms去抖时间
●欠压，短路和热关机保护
●工作温度范围-40℃~+85℃
●采用WLCSP-1.30×0.94-6B封装
SGM40659,SGM40660,SGM40661应用领域：
智能手机
移动互联网设备
平板电脑
外围设备
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