【产品】世迈科技推出首款计算快速连接内存模块DDR5 XMM CXL,可提升服务器和数据中心运算性能
全球专业存储器与储存解决方案领导者SMART Modular世迈科技宣布推出全新Compute Express Link(CXL™)内存模块XMM CXL内存模块。此款新型DDR5 XMM CXL模块通过CXL接口增加缓存一致性内存,可提升服务器和数据中心的运算性能,更超越现今大多数服务器只有8信道或12信道的限制,进一步扩展大数据处理能力。
可组合序列连接内存架构已经为内存模块界开启了一个全新的世代。序列连接内存可在主存储器DIMM模块之外增加内存容量和带宽,配备XMM CXL模块的服务器可在不用关机的情况下针对不同的应用和工作负载进行动态配置,并在节点之间共享XMM CXL模块内存,满足不同节点所需的吞吐量和延迟要求。
SMART Modular世迈科技工程副总裁Mike Rubino表示,「SMART Modular世迈科技长期致力于参与制定业界标准,包括JEDEC、CCIX®联盟、Gen-Z™联盟和OpenCAPI/OMI等技术,这次我们也很高兴能与CPU和CXL ASIC的供货商合作,推出CXL内存,满足客户对带宽、容量和性能方面的严苛要求。」
SMART Modular世迈科技首款XMM CXL模块是搭载先进CXL ASIC控制器、符合CXL 2.0规范的E3.S 64GB DDR5内存,希望通过此款产品号召客户和CPU合作伙伴共同建立CXL生态圈,并在各种服务器平台规范下进行验证。
SMART XMM CXL模块提供额外的内存容量,可通过CXL接口动态分配到有需要的工作负载。SMART Modular世迈科技将善用参与制定新技术和新互连标准的经验,全力支持CXL内存的发展。
XMM CXL内存模块
SMART E3.S XMM CXL模块是CXL内存产品系列的首发款,特别针对扩展内存容量和内存带宽所设计,在不久的将来也会推出包括扩充卡(AIC)和E1.S等其他规格的XMM CXL产品,可用于不同服务器机箱配置和应用。
SMART Modular世迈科技擅长以ASIC和FPGA为主的记忆体模组,并借此开发出符合CXL对RAS功能的验证要求,通过SMART Modular世迈科技擅长的在以ASIC和FPGA为主的内存模块开发出符合CXL对RAS功能的验证要求,包括数据路径完整性、错误遏制(Data Poisoning/Error injection)、内存错误校正、Chipkill™错误校正内存和数据清洗等,以确保XMM CXL模块发挥应有的功能。
SMART Modular世迈科技提供高度可靠的内存解决方案,备受许多业界领先OEM厂的青睐及信任。欲了解更多XMM CXL内存模块产品信息,请联系世强业务团队。
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迁移到DDR5内存模块白皮书
描述- 本文探讨了DDR5内存模块的特点和应用。DDR5内存提供低延迟、高性能、几乎无限的访问耐久性和低功耗,适用于从手持设备到复杂系统部署的各种应用。与DDR4相比,DDR5具有更高的数据速率、更大的容量、更低的功耗和增强的可靠性、可用性和服务性(RAS)功能。文章详细比较了DDR5与DDR4在性能、容量、电压、通道架构、错误检测和纠正等方面的差异,并介绍了DDR5的增强功能,如双通道架构、片上ECC、数据接收器均衡、循环冗余检查(CRC)和DQS延迟监控。此外,文章还讨论了DDR5在解决市场挑战方面的作用,如信号完整性、电源传输和布局复杂性,以及SMART Modular Technologies在DDR5内存模块发展中的作用。
DDR4内存模块
描述- SMART Modular Technologies提供一系列DDR4内存模块,包括VLP-DIMM、SODIMM、Mini-RDIMM、Mini-UDIMM和LRDIMM。这些模块的容量从32GB到4GB不等,配置为x4和x8,运行速度从DDR4-2400到DDR4-3200。SMART Modular对设计进行严格审查,以确保性能和可靠性。此外,还提供经济型DDR4内存。
型号- ST1027SO451825NE,ST4097RD440425SCV,SRI4097SO420825-SC,ST1027RD410825HE,ST2047UD410825SGU,STI5126SO451893SG,ST2047UD420825HD,STI4097UD420825SCU,STT1026MP411625MF,ST1027SO410825HE,ST4096SO420825MF,ST2047RD420825MF,ST2047UD410825SG,STB4097SO420825SC,STI2046SO410825MR,ST1027MR451893SG,ST4097MR420825MFU,STI1027RD451825SG,ST2047RD410825HEV,SRZ4097SO420825-SC,STI4097SO420825MF,ST2047RD420825SCV,STI5127SO451893SG,ST4097UD420825HDU,STI4097RD420825MF,ST1027RD410825SGV,ST1026SO451825SG,ST2047RD420425HEV,ST5126SO451625MR,ST2047MU420825SCV,STI2047SO410814MR,STI2046SO410825-SE,ST4097MU420825MFV,ST2047RD410825SGV,ST1027RD451825SGV,ST4097SO420825MF,STZ2047SO420825SC,ST1027RD410893SGV,ST1026SO410825SG,STI2047SO410825SG,STI2047SO420825SC,STT4096UD420825MF,STI1026SO410825MR,ST2047SO410825HE,ST2046SO410825MR,ST5127SO451825NE,ST4097RD420825MFV,ST4097RD420825HDV,STI5126UD451825SG,ST2046SO410825SG,STI1027SO410825SG,STT5126MP451625MR,ST2047RD410825SG,ST2046UD420825SC,ST1026MP411625MF,SRI2047RD420425-SE,ST4097UD420825MF,ST2047SO420825HD,ST4097SO420825SC,ST1027SO451825SG,STI4097UD420825SC,STI1026SO410825SG,ST1027MU451893NEV,ST4096UD420825MF,ST1027MU451893SGV,ST1027RD410825SG,ST2047SO410825SG,ST4096SO420825HD,ST2047MU410893SGV,ST5127SO451893SG,ST2047UD420825SC,SRI4097RD420425-SE,ST5126UD451825SG,ST2047MR410893SG,ST2047RD420825HD,ST1027MR410825SGV,ST1027RD451825SG,SRI2047SO420825-SC,SRI2047RD410825-SE,ST4097UD420825SCU,STI2046SO410825SG,ST1027SO410825SG,ST2047SO420825SC,ST4097SO420825HD,STZ5126SO451893SG,STI4097SO420825SC,ST4097UD420825SC,ST4097RD420825SC,ST2566SO421693SG,ST2047MR420825SCV,SRI8197RD440425-SC,ST1026SO410825MR,ST2047MR410825SGU,ST5126MU451825SGV,STI2047RD410825SG,ST1027UD410825SG,ST2046MP42W625MF,ST1027RD410825MRV,ST8197RD440425MFV,ST2047MR410893HE,ST4097RD440425HDV,ST4097RD420825SCV,SRI4097RD420825-SC,STT4097RD420825MF
DDR5内存模块
描述- DDR5内存模块旨在满足云计算、数据中心处理等应用对高效性能的需求。与DDR4相比,DDR5内存提供双倍的性能(4800至6400 MT/s)和改进的功耗效率,通过使用12V电压调节器(PMIC)和1.1 I/O电压。DDR5内存模块具有更高的带宽、更低的功耗和更高的容量,适用于高性能计算、云计算和存储、企业网络等领域。
型号- SR2G7UD5285SBV,SR6G7UD5385HM,SRI2G7UD5285SBV,SR6G7UD5388HMV,SR6G6SO5385MB,SR4G7SO5285SB,SR2G7SO5288HA,SRI2G7UD5285SB,SR6G7UD5388HM,SR4G8RD5285SBV,SR4G7SO5288SB,SR4G8RD5288HAV,SR6G7UD5385HMV,SR6G6SO5385HM,SRI4G7SO5285SB,SR3G6SO5385HM,SR6G7SO5388HM,SR4G7UD5288SB,SR4G8RD5285SB,SRI2G7SO5285SB,SR4G7UD5285SB,SR2G7UD5288SBV,SRI6G7UD5385MB,SR4G7UD5285SBV,SR2G7UD5288SB,SR6G8RD5388HMV,ST4G7SO5285SB,SR2G7UD5285SB,SRI4G7UD5285SBV,SR4G8RD5288SBV,SR4G7UD5288MDV,SR2G7SO5285SB,SR4G8RD5285HAV,SR4G6SO5288SB,SR6G7UD5385MB,SR2G6SO5285SB,SR2G7SO5288SB,SR4G7UD5288HAV,SR4G6SO5285SB,SRI4G7UD5285SB,SR4G7SO5288HA,SRI2G7SO5288HA,SR4G8RD5288MDV,SRI6G7UD5385HM,SR4G7UD5288SBV,SR2G6SO5288SB
利用CXL®高级内存实现新一代数据中心的串行内存扩展
描述- SMART Modular Technologies推出基于CXL技术的串行内存扩展解决方案,旨在降低数据中心成本、提高应用性能,并推动人工智能、高性能计算、机器学习和通信领域的新架构。该解决方案包括多种CXL内存模块和PCIe附加卡,支持DDR5内存,并提供定制化功能和调试能力。
型号- CMM-E3S,CXA-4F1Q,CXA-8F2W
【应用】针对1U服务器的DDR4 VLP RDIMM窄板内存解决方案
DDR4 VLP RDIMM窄板内存提供VLP、ULP、mini-DIMM、MIP等特殊尺寸规格,高度较低,可以更紧密地堆叠在一起,节省服务器空间。提供客制化高附加价值特殊技术,包含零组件底部填充技术强化抗震能力、表面被复/涂布阻隔不利的环境因子、以及抗硫化被动元件阻绝银直接与空气或硫化物接触。提供Zefr(零故障率)专业严谨地选出可靠的内存模块。
新品上市丨SMART推出Zefr ZDIMM内存模块,达到业界高水平的运行时间和可靠性
全球专业内存与存储解决方案指引者SMART Modular世迈科技宣布推出超卓可靠性内存解决方案Zefr™ ZDIMM™内存模块。ZDIMM内存模块适用于数据中心、超大规模系统、高性能计算 (HPC) 平台和其他需要计算大量内存的环境。
DDR3内存模块
描述- 资料主要介绍了SMART公司生产的DDR3内存模块,包括不同类型和规格的产品,如ECC UDIMM、Non-ECC UDIMM、VLP UDIMM、Mini-UDIMM、SODIMM和SOUDIMM等。这些模块广泛应用于需要高可靠性和成本效益的领域,如医疗、交通和嵌入式系统。
型号- SP5127UV351816NEV,SP1026UV351816NEV,SP1026UV351838NE,SP1027ML351816MPU,SP2046SV310816GB,SP5127UV351838GB,SPI1027SV351816NE,SP5126SV325838NJ,SP5127SV351838NE,SPT2046SV310816GB,SP2567MU325838NJV,SP1027UD351838GB,SPI5126SV325838NJ,SP1026SV351816MP,SP5126SV351816MP,SP5126SV321616NE,SP1026SV351838MP,SP5127ML351816NEV,SP1027SV351816NE,SP2567UV325838NJ,SPI5127SV351816NE,SP1027UV351838NE,SP5127UD351838NE,SP1027UD351838NE,SP2566MP321638NE,SP5127UV351838NE,SPI5127ML351816NEV,SP2566SV325838NJ,SP5127ML351816NE,SP1026SV351838NE,SP1027UV351816NEV,SP1027ML351893NEU,SP1026SV310816GB,SPI2567SO325838NJ,SPI1026UV351838NE,SPI5126UV351838NE,SP5126SV351838NE,SP5126SV351816NE,SP2566SV321638NE,SPI5126SV351838NE,SPI2566SV325838NJ,SP5126UV351838NE,SPI1026SV351838NE,SP1286SV312638NJ,SP2567SO325838NJV
世迈科技低功耗DDR4 SODIMM内存模块为智能工厂进化赋能,传输速度超2400MT/s
本文中SMART的合作对象是一家嵌入式电脑制造商,主要提供AIoT相关应用的解决方案。SMART根据客户主要诉求举荐DDR4 SODIMM内存模块解决方案,整体功耗比DDR3低百分之二十,1.2 VDD,提供DDR4-2400MT/s以上的传输速度,适用Zefr(Zero Failure Rate,零故障率)专业严谨测试筛选流程服务。
SMART公司推出DDR4 Value内存模块,最大功率密度可达256GB,适用于高性能计算领域
SMART公司推出的DuraMemory提供了广泛的DDR4 Value内存模块系列,该系列内存是经济高效的Tier 1 ODM JEDEC标准模块。Value内存模块的类型、密度和速度等级是高性能计算、网络、存储和嵌入式计算应用程序等应用中最常用的部分。
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可定制连接器的间距范围1.25mm~4.5mm、单列/双列列数、焊尾/表面贴装/浮动式等安装方式、镀层、针数等参数,插拔寿命达100万次以上。
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最小起订量: 1 提交需求>
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