【产品】阈值电压为0.6V~0.9V的N沟道增强型MOSFET，导通电阻为3.0Ω
CEDM7001是CENTRAL半导体公司推出的一款N沟道增强型MOSFET，该产品具有低导通电阻和低阈值电压。其功耗仅为100mW，有利于降低电路设计时的总功耗。该产品采用小型无铅化表面贴装封装，并采用N通道DMOS工艺制造，可为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计，主要用于负载/电源开关，DC-DC转换器，电池供电的便携式设备领域。
TA=25℃条件下，CEDM7001 N沟道增强型MOSFET的漏源电压VDS最大值为20V，连续漏极电流ID最大值为100mA。该产品具有较低的导通电阻，VGS=4.0V、ID=10mA条件下，其最大值为3.0Ω，导通损耗较低。其栅极电荷Qgs为0.16nC，开关损耗较小，效率较高。其阈值电压范围为0.6V~0.9V，只需较小的电压便可驱动该器件。
CEDM7001的 N沟道增强型MOSFET工作和存储结温为-65℃~+150℃，温度范围较宽，可靠性高。该产品还有着极快的开关速度，其开通和关断时间分别为50ns和75ns。
图1 CEDM7001产品示意图
CEDM7001 N沟道增强型MOSFET的产品特性：
• 功耗为100mW
• 封装高度只有0.4mm
• 低rDS（ON）
• 低阈值电压
• 兼容逻辑电平
• 小型无铅化表面贴装封装
CEDM7001 N沟道增强型MOSFET的应用领域：
• 负载/电源开关
• DC-DC转换器
• 电池供电便携式设备
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