【产品】DFN2020B-6L封装的60V/3.2A N沟道增强型MOSFET PJQ2460
PANJIT(强茂)电子有限公司推出了DFN2020B-6L封装的PJQ2460(60V/3.2A)N沟道增强型MOSFET。
图1 实物图和内部结构图
PJQ2460 N沟道增强型MOSFET特点:
•RDS(ON) , VGS@10V, ID@3.2A<75mΩ
•RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@2.0A<90mΩ
•先进的沟槽工艺技术
•高密度单元设计,超低的导通电阻
•无铅,符合欧盟RoHS 2.0标准(2011/65/EU和2015/865/EU指令)
•绿色环保塑封,符合IEC 61249标准(无卤素)
PJQ2460 N沟道增强型MOSFET机械数据:
•外壳:DFN2020B-6L封装
•端子:可焊性均符合MIL-STD-750标准(方法2026)
表1 最大额定值
表2 电气特性
表3 订购信息
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产品型号
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品类
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Package
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Product Status
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Replacement Part
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AEC-Q101 Qualified
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ESD
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Polarity
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Config.
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VDS(V)
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VGS(±V)
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ID(A)
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RDS(on) Max. (mΩ)(10V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(7V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(4.5V)
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Ciss Typ.(pF)
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VGS(th) Max.(V)
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Qg Typ. (nC)(10V)
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Qg Typ. (nC)(4.5V)
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PSMQC060N06LS1-AU
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Medium Voltage MOSFET
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DFV5060-8L
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New Product
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-
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AEC-Q101 Qualified
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-
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N
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Single
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60
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20
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68
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2057
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服务
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可定制内充多极外充多极,平面多极和内外螺旋型各类充磁产品,多级充磁最多可做256极,通过环氧树脂加入稀土,模具压制支持多尺寸定制,
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