【产品】TO-247封装的R6030ENZ4功率MOSFET,600V/30A,导通电阻最大仅0.130Ω

2019-08-01 ROHM
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R6030ENZ4ROHM最新推出的N沟道功率MOSFET,产品漏源电压为600V,连续漏极电流高达30A,耐压能力强,可满足大电流应用对电流的需求。R6030ENZ4为无铅电镀产品,符合RoHS标准,对生态环境和人类健康友好。R6030ENZ4易于并行使用,有助于用户进行个性化电路设计,具有低导通电阻和快速开关的特点,导通损耗低,开关速度快。

Nch 600V 30A 功率MOSFET_R6030ENZ4_Package

图1 R6030ENZ4功率MOSFET的实物图


R6030ENZ4为TO-247封装,封装尺寸小,结构紧凑,适用于小空间的电路设计。

Nch 600V 30A 功率MOSFET_R6030ENZ4_Dimensions

图2 R6030ENZ4的封装图


R6030ENZ4的栅源电压为±20V(静态)或±30V(交流,频率>1Hz),栅极阈值电压的最小值和最大值分别为2.0V和4.0V,在25℃下的耗散功率为305W。单脉冲雪崩电流为5.2A,单脉冲雪崩能量高达636mJ,降低了该MOSFET失效的风险,抑制了雪崩效应。R6030ENZ4的结壳热阻为0.41℃/W,结温的最大额定值为150℃,工作结温和存储温度范围为-55~150℃。


R6030ENZ4的反向恢复时间的典型值为660ns,产品导通和截止间的状态转换速度快;导通电阻最大仅0.130Ω,可有效降低产品的导通功耗。


R6030ENZ4功率MOSFET的特点:

低导通电阻

快速开关

无铅电镀

RoHS标准


R6030ENZ4功率MOSFET的应用:

开关应用

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
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  • Jamie Lv7. 资深专家 2019-08-02
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型号- 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