【产品】TO-247封装的R6030ENZ4功率MOSFET，600V/30A，导通电阻最大仅0.130Ω

时间： 2019-08-01 来源：ROHM

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R6030ENZ4是ROHM最新推出的N沟道功率MOSFET，产品漏源电压为600V，连续漏极电流高达30A，耐压能力强，可满足大电流应用对电流的需求。R6030ENZ4为无铅电镀产品，符合RoHS标准，对生态环境和人类健康友好。R6030ENZ4易于并行使用，有助于用户进行个性化电路设计，具有低导通电阻和快速开关的特点，导通损耗低，开关速度快。

Nch 600V 30A 功率MOSFET_R6030ENZ4_Package

图1 R6030ENZ4功率MOSFET的实物图

R6030ENZ4为TO-247封装，封装尺寸小，结构紧凑，适用于小空间的电路设计。

Nch 600V 30A 功率MOSFET_R6030ENZ4_Dimensions

图2 R6030ENZ4的封装图

R6030ENZ4的栅源电压为±20V（静态）或±30V（交流，频率>1Hz），栅极阈值电压的最小值和最大值分别为2.0V和4.0V，在25℃下的耗散功率为305W。单脉冲雪崩电流为5.2A，单脉冲雪崩能量高达636mJ，降低了该MOSFET失效的风险，抑制了雪崩效应。R6030ENZ4的结壳热阻为0.41℃/W，结温的最大额定值为150℃，工作结温和存储温度范围为-55~150℃。

R6030ENZ4的反向恢复时间的典型值为660ns，产品导通和截止间的状态转换速度快；导通电阻最大仅0.130Ω，可有效降低产品的导通功耗。

R6030ENZ4功率MOSFET的特点：

低导通电阻

快速开关

无铅电镀

RoHS标准

R6030ENZ4功率MOSFET的应用：

开关应用

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全部评论（1）

Jamie Lv7. 资深专家 2019-08-02

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