【产品】存储容量32Mb的S6R32xxx1M系列异步快速SRAM，基于6-TR的单元技术制造
NETSOL推出的S6R3216W1M和S6R3208W1M是存储结构按16/8位 x 2M/4M字，容量为33,578,432位的高速静态随机存取存储器（SRAM）。S6R3216W1M(S6R3208W1M)使用16/8条公共输入和输出线，并具有一个运行速度比读取周期中的地址访问时间快的输出使能引脚。S6R3216W1M允许通过数据字节控制方法来访问低字节和高字节数据(UB, LB)。
两款异步快速SRAM采用先进的CMOS工艺、基于6-TR的单元技术制造，专为高速电路技术而设计，特别适用于高密度高速系统应用，采用行业标准的48FBGA和48TSOP1封装。
特性
• 快速访问时间：10、15ns（最大值）
• CMOS低功耗
待机：（TTL）：70mA（最大值），（CMOS)：55mA(最大值)
工作：120mA（10ns，最大值），100mA（15ns，最大值）
• 电源电压范围广：S6R32xxW1M：1.65V~3.6V电源电压
• TTL兼容输入和输出
• 完全静态操作，无需时钟或刷新
• 三态输出
• 数据字节控制（x16模式） LB：I/O0~I/O7，UB：I/O8~I/O15
• 标准48FBGA和48TSOP1封装引脚配置
• 符合RoHS标准
• 在商业级和工业级温度范围内工作
绝对最大额定值参数*
*大于“绝对最大额定值”下列出的应力可能会对器件造成永久性损坏。 这只是一个额定应力，不暗示器件在这些或高于本规范操作部分中指示的任何其他条件下的功能操作。 长时间工作在绝对最大额定值条件下可能会影响可靠性。
推荐DC工作条件（TA=0~70℃，所列参数对于工业级温度范围内也有保证）
逻辑模块示意图- S6R3216W1M (2M x 16)
逻辑模块示意图- S6R3208W1M (4M x 8)
32Mb异步快速SRAM订购信息
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NETSOL SRAM产品选型指南
目录- Asynchronous Low Power SRAM Asynchronous FAST SRAM Synchronous SRAM DDR SRAM QDR SRAM
型号- S7K1618U2M,S6L8016W2M,S6R8008C1A,S6LXXXXXXX-PTSS,S7R320982M,S7K6418U2M,S6RXXXXXXX-PTSS,S7B163635M,S7M323635M,S6R3216W1M,S7R161882M,S6R2008C1A,S6R1608W1M,S7S6418U4M,S6L8016W1M,S7A641830M,S7M803635M,S7L3218U2M,S7S1618U4M,S7Q163664M,S7R163682M,S6L2016W1M,S7N321831M,S7R641884M,S6R1616C1M,S7S6436U4M,S6R1016C1A,S7M401835M,S7R320984M,S6L8008C2M,S6R8016W1A,S7Q161864M,S7R161884M,S7M801835M,S7S1636U4M,S7A161830M,S7S4436T4M,S7K6418T2M,S7N801831M,S7K1636U2M,S7I321882M,S6L1008C2M,S7J161882M,S6L2016W2M,S7S6418T4M,S7B643635M,S7A403630M,S6L2008C2M,S6R4008V1A,S7K6436U2M,S7S6436U2M,S7J641882M,S7S1618T4M,S7Q163662M,S7R641882M,S6L4016C2M,S7I643684M,S7T6436T4M,S7R441884M,S7L3236T2M,S7T1636T4M,S7S4436U4M,S7K3236T2M,S7N323631M,S6L1016W1M,S7I161884M,S7Q161862M,S7S3236T4M,S7T3236U4M,S7S4418T4M,S6R1008W1A,S6R2016C1A,S7M641835M,S7T3218T4M,S7M161835M,S7J323682M,S7I163684M,S6R4008W1A,S7R323682M,S7XXXXXXXX-ETSS,S7I643682M,S6L4008W1M,S7B641835M,S7K1618T2M,S7R441882M,S6R2008V1A,S6L8016C1M,S7L3236U2M,S7S4436U2M,S7XXXXXXXX-PTSS,S7S6418U2M,S6R1608V1M,S7A803630M,S7N803631M,S6R1008V1A,S7S4418U4M,S7B161835M,S7I641884M,S7A323630M,S6R4016C1A,S7L3218T2M,S7T3218U4M,S7R323684M,S7I163682M,S7B323635M,S6R2008W1A,S7B803635M,S7N403631M,S7L6418U2M,S6R1616V1M,S6R8008W1A,S7R321882M,S7S3236U2M,S7S4418U2M,S7R640982M,S6L8016C2M,S6R3208W1M,S7M643635M,S6R1608C1M,S7A801830M,S7L6436U2M,S7I641882M,S7S3218U4M,S7L1618U2M,S7A321830M,S7T6436T2M,S7T6436U4M,S7J321882M,S6R1016W1A,S7K3236U2M,S7T1636U4M,S6L2008W2M,S7T4436T4M,S6R8016C1A,S6R1616W1M,S7N641831M,S7R321884M,S7I161882M,S7B401835M,S7S3236U4M,S6L4016C1M,S7T3236T4M,S7M163635M,S6L1008W2M,S6L2008W1M,S6L8008W2M,S7L6436T2M,S7S3218T4M,S7N161831M,S6R1008C1A,S7S6436T4M,S7B403635M,S7R443682M,S7I321884M,S7M403635M,S7S1636T4M,S7T4436T2M,S7T4436U4M,S6R1016V1A,S6L4016W1M,S7R643684M,S7K1636T2M,S7N163631M,S7L1636T2M,S7T4418U4M,S7T6418T4M,S6R4008C1A,S7T4418T2M,S6R4016V1A,S6L4008C1M,S6L2016C1M,S7K6436T2M,S6L4016W2M,S7K3218T2M,S7I323684M,S7T1618T4M,S7J163682M,S6R2016W1A,S7J643682M,S7M321835M,S7R443684M,S7B801835M,S7L6418T2M,S7A643630M,S7A401830M,S7L1636U2M,S7R643682M,S7A163630M,S7T6418T2M,S7T4418T4M,S7T6418U4M,S7B321835M,S6L1016C1M,S6R4016W1A,S7N643631M,S7R163684M,S7T1618U4M,S7S3218U2M,S7N401831M,S7L1618T2M,S7K3218U2M,S7I323682M,S6R2016V1A,S7R440982M
【产品】S6R16xxx1M系列16位异步快速SRAM，采用先进CMOS工艺，存储容量16M
NETSOL推出的S6R1616(V/C/W)1M和S6R1608(V/C/W)1M是一款存储容量按16(8)位组织为1M(2M)字，16,789,216位的高速静态随机存取存储器。
S6R3216W1B 32MB异步。快速SRAM B-Die异步快速SRAM 1.65V~3.6V规格书
描述- 本资料为Netsol Corporation生产的32Mb异步快速SRAM（S6R3216W1B）的技术规格书。文档包含了对该产品的初步说明，包括其内部结构、引脚功能、操作模式等详细信息。
型号- S6R3216W1B-XI10,S6R3216W1B-XI08,S6R3216W1B
NETSOL MRAM产品选型表
目录- MRAM产品
型号- S3A1004R0M-HI1A,S3A8004R0M-JI1A,S3R4016V1M-UI70,S3A4004V0M-HI1A,S3A2004V0M-AI1A,S3R1016V1M-XI70,S3A1604V0M-AI1A,S3A8004V0M-JI1A,S3A4004R0M-HI1A,S3A1004V0M-HI1A,S3A2004R0M-AI1A,S3A8004V0M-AI1A,S3A1004V0M-AI1A,S3A2004V0M-JI1A,S3R2016V1M-UI70,S3A1604V0M-HI1A,S3A1604R0M-AI1A,S3A1604R0M-HI1A,S3A1004R0M-AI1A,S3A2004R0M-JI1A,S3R1016V1M-UI70,S3A8004R0M-AI1A,S3R2016V1M-XI70,S3A8004R0M-HI1A,S3A1004R0M-JI1A,S3R1608V1M-UI70,S3R1616V1M-XI70,S3R4008V1M-XI70,S3A4004V0M-JI1A,S3A4004R0M-JI1A,S3R1616V1M-PI70,S3R8016V1M-XI70,S3R8008V1M-UI70,S3A1004V0M-JI1A,S3A8004V0M-HI1A,S3R8016V1M-PI70,S3A1604V0M-JI1A,S3R1608V1M-XI70,S3R4008V1M-UI70,S3R1008V1M-UI70,S3R4016V1M-XI70,S3A2004V0M-HI1A,S3R2008V1M-XI70,S3A2004R0M-HI1A,S3R8008V1M-XI70,S3A4004R0M-AI1A,S3R1008V1M-XI70,S3R2008V1M-UI70,S3A1604R0M-JI1A,S3A4004V0M-AI1A
S6R4016WEB S6R4008WEB 4MB异步。快速SRAM B-Die异步快速SRAM，带ECC 1.65V~3.6V规格书
描述- 本资料为Netsol Corporation的4Mb异步快速SRAM（S6R40xxWEB）的技术规格书。文档提供了该产品的初步技术细节，包括引脚分配、电气特性、操作模式等。
型号- S6R4008WEB-UI10,S6R4016WEB-XI08,S6R4016WEB-UI10,S6R4008WEB-UI08,S6R40XXWEB,S6R4016WEB-XI10,S6R4008WEB,S6R4016WEB-UI08,S6R4016WEB
S6R1616WEB 16MB异步。快速SRAM B-Die异步快速SRAM，带ECC 1.65V~3.6V规格书
描述- 本资料为Netsol Corporation的16Mb异步快速SRAM（S6R1616WEB）的技术规格文档。文档包含了对该内存芯片的基本描述、功能模块划分、引脚定义和控制信号说明等内容。
型号- S6R1616WEB-XI10,S6R1616WEB,S6R1616WEB-XI08
NETSOL公司简介
描述- 该资料主要介绍了NETSOL Co., Ltd.在半导体领域的业务和发展历程。公司成立于2010年，专注于 niche memory 市场和逻辑及系统解决方案。NETSOL拥有丰富的开发经验和销售渠道，产品包括SRAM、MRAM、SLC NAND等。资料详细描述了公司的供应链、分包商、产品开发以及长期产品路线图。
NETSOL product 停产通知
描述- NETSOL宣布停产多款Asynchronous Low Power SRAM和Asynchronous Fast SRAM产品，涉及多个型号，包括S6L2016W1M-UI55至S6R8016W1A-UI10等。
型号- S6R8016W1A-UI10,S6R1616W1M-XI10,S6R1016W1A-UI10,S6R1016V1A-UI10,S6L1016W1M-UI55,S6L4008C1M-LI55,S6R2016W1A-UI10,S6R4008W1A-UI10,S6R2016V1A-UI10,S6L8008C2M-UI55,S6R4008V1A-UI10,S6L8016W1M-UI55,S6R4016W1A-XI10,S6R1008V1A-LI10,S6R1616V1M-YI10,S6L4016W1M-UI55,S6R1616W1M-YI10,S6L2008W2M-LI55,S6L4008W1M-LI55,S6R4008C1A-UI10,S6L1008C2M-LI55,S6R3216W1M-XI10,S6R4016W1A-UI10,S6R4016V1A-UI10,S6R2008W1A-UI10,S6L2016W1M-UI55
S6R1616W1B S6R1608W1B 16MB异步。快速SRAM B-Die异步快速SRAM 1.65V~3.6V规格书
描述- 本资料为Netsol Corporation生产的16Mb异步快速SRAM（S6R16xxW1B）的技术规格书。内容包括了该产品的初步技术细节、引脚分配、功能说明和电气特性。
型号- S6R1608W1B-UI08,S6R1616W1B-XI10,S6R1616W1B-YI10,S6R1608W1B,S6R1616W1B-XI08,S6R1616W1B,S6R1616W1B-YI08,S6R1608W1B-UI10,S6R16XXW1B
S6R1616V1M 16Mb异步。快速SRAM规格数据表
描述- 本资料介绍了NETSOL公司的16M异步快速静态随机存储器（Async. FAST SRAM）产品规格。该系列包括S6R1616V1M、S6R1616C1M、S6R1616W1M和S6R1608V1M、S6R1608C1M、S6R1608W1M等多个型号，具有高速访问时间、低功耗等特点，适用于各种高密度、高速系统应用。
型号- S6R1616V1M-XC10,S6R1616W1M-XI10,S6R1616C1M,S6R1616W1M-YC08,S6R1616W1M-YI08,S6R1608W1M-UI08,S6R1608V1M-UI08,S6R1608V1M-UC08,S6R1608W1M-UC08,S6R1616V1M-XI08,S6R1608C1M-XI10,S6R1616W1M,S6R1616V1M-XC08,S6R1616C1M-YC10,S6R1608V1M-XI10,S6R1608W1M-XI10,S6R1616V1M,S6R1616W1M-YC10,S6R1608C1M-XC10,S6R1616V1M-YI10,S6R1608V1M-XC10,S6R1608W1M-XC10,S6R1616C1M-YI10,S6R1608W1M,S6R1616V1M-YC10,S6R1616W1M-YI10,S6R1608V1M,S6R1616W1M-XC08,S6R1616W1M-XI08,S6R1608V1M-XI08,S6R1608W1M-XI08,S6R1608C1M-UC10,S6R1616V1M-YI08,S6R1608V1M-XC08,S6R1608C1M,S6R1608W1M-XC08,S6R1608V1M-UI10,S6R1608W1M-UI10,S6R1616V1M-YC08,S6R1616C1M-XC10,S6R1608V1M-UC10,S6R1608C1M-UI10,S6R1616V1M-XI10,S6R1616W1M-XC10,S6R1608W1M-UC10,S6R1616C1M-XI10
S6R4016V1A 4Mb异步。快速SRAM芯片规格数据表
描述- 本资料介绍了NETSOL公司生产的4M异步快速SRAM产品线，包括S6R4016V1A、S6R4016C1A、S6R4016W1A和S6R4008V1A、S6R4008C1A、S6R4008W1A。这些产品采用先进的CMOS工艺制造，具有高速访问时间、低功耗等特点，适用于商业和工业温度范围。
型号- S6R4008V1A-NI08,S6R4008W1A-NI08,S6R4008V1A-NC08,S6R4008W1A-NC08,S6R4016V1A-UI08,S6R4016W1A-UI08,S6R4016V1A-UC08,S6R4016W1A-UC08,S6R4008W1A-UI10,S6R4008V1A-UI10,S6R4016W1A-XI10,S6R4016V1A-XI10,S6R4008W1A-UC10,S6R4016V1A-XC10,S6R4008V1A-UC10,S6R4016W1A-XC10,S6R4008C1A-UC10,S6R4008C1A-UI10,S6R4008W1A-UI08,S6R4008C1A,S6R4008W1A-NI10,S6R4008V1A-UC08,S6R4008V1A-NI10,S6R4016V1A-XI08,S6R4008V1A-UI08,S6R4016V1A,S6R4016W1A,S6R4016W1A-XI08,S6R4016C1A-UC10,S6R4008W1A-UC08,S6R4008W1A-NC10,S6R4016W1A-UI10,S6R4008V1A-NC10,S6R4016V1A-UI10,S6R4016V1A-XC08,S6R4016W1A-XC08,S6R4008V1A,S6R4016V1A-UC10,S6R4016C1A,S6R4016C1A-UI10,S6R4016W1A-UC10,S6R4008W1A
S6R8016WEB S6R8008WEB 8MB异步。快速SRAM B-Die异步快速SRAM，带ECC 1.65V~3.6V规格书
描述- 本资料为Netsol Corporation生产的8Mb异步快速SRAM（S6R80xxWEB）的技术规格书。内容包括了该产品的初步技术细节、引脚分配、功能说明以及电气特性。
型号- S6R8008WEB,S6R8008WEB-UI08,S6R8016WEB-XI10,S6R8016WEB,S6R8016WEB-XI08,S6R80XXWEB,S6R8008WEB-UI10
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