【产品】伊顿多层铁氧体磁珠MFB系列，在高频应用中提供高EMI抑制能力
伊顿巴斯曼（EATON BUSSMANN）的多层铁氧体磁珠(MFB)在各种高频应用中提供广泛的高阻抗性能，MFB系列具有多种行业标准尺寸，经过独特设计，可将EMI敏感应用中的高频电噪声降至最低。
MFB提供两个版本；具有更高阻抗值的MFBW和适用于高电流射频/无线应用的MFBM。每个产品都包含坚固的多层结构，适用于高EMI抑制，采用世界一流的制造和质量标准设计以保证出色的产品性能。每个产品都包含环保材料并符合RoHS标准。
特点和优点：
• 标准封装和阻抗范围
• 0402(1005)、0603(1608)、0805(2012)和1206(3216)多层结构的工业尺寸
• 高频设计
• 更高的电流处理能力（MFBW版本高达6A）
• 宽范围的阻抗和频率选项（阻抗范围从0Ω到2000Ω，频率高达100MHz）
高频应用的好处：
• 提供多种行业标准封装
• 耐用的单片结构
• 宽范围的阻抗
• 射频信号线中具有可靠的EMI抑制
• 阻抗覆盖许多高频应用
• 工作温度从-55℃到+125℃
• 无卤素、无铅且符合RoHS标准
产品规格
尺寸说明
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产品型号
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品类
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Impedance（Ω）
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OCL（µH）
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Output current at full load（Adc）
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Isat（A）
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Rated current（Adc）(Maximum)
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Irms（A）
|
Input current at no load（mA）
|
DCR （Ω）(max)
|
Rated voltage（V）
|
Length（inch）
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Width（inch）
|
Mounting
|
Height（inch）
|
Package quantity
|
Max storage temp（℃）
|
Max operating temp（℃）
|
Core material
|
# of pins
|
|
FP1108B1-R180-R
|
Inductor
|
0
|
0.18
|
0
|
63
|
0
|
40
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0
|
0.29
|
0
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11
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8
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SMT
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8
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350
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125
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125
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Ferrite
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2
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MFBW1V1005 Multilayer chip ferrite bead
型号- MFBW1V1005-101-R,MFBW1V1005-102-R,MFBW1V1005-XXX-R,MFBW1V1005-000-R,MFBW1V1005-600-R,MFBW1V1005-601-R,MFBW1V1005-221-R,MFBW1V1005-700-R,MFBW1V1005-190-R,MFBW1V1005-201-R,MFBW1V1005-151-R,MFBW1V1005-360-R,MFBW1V1005-110-R,MFBW1V1005-301-R,MFBW1V1005,MFBW1V1005-150-R,MFBW1V1005-090-R,MFBW1V1005-800-R,MFBW1V1005-260-R,MFBW1V1005-050-R,MFBW1V1005-801-R,MFBW1V1005-070-R,MFBW1V1005-750-R,MFBW1V1005-181-R,MFBW1V1005-121-R,MFBW1V1005-500-R,MFBW1V1005-310-R,MFBW1V1005-501-R
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提交需求>
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