国产华太SiC MOS、SiC SBD等SiC器件性能优且可靠性高，广泛应用于新能源行业｜视频

时间： 2022-10-10 来源：华太

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华太SiC器件（SiC MOS，SiC SBD）产品介绍。

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【元件】新洁能650V Gen.7 IGBT “V”系列产品，非常适合光伏逆变、储能、UPS等应用

NCE新洁能650V Gen.7系列IGBT产品，基于微沟槽场截止技术，可大幅提高器件的元胞结构密度。本文要介绍的“V”系列产品具有较大的饱和电流和良好的导通损耗/开关损耗折中特性，非常适合光伏逆变、储能、UPS等应用。

2024-06-26 - 产品代理服务技术支持采购服务

【元件】瞻芯电子推出2000V SiC MOSFET和SBD，助力高压光伏逆变器系统

为满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件需要，瞻芯电子开发2000V碳化硅（SiC）MOSFET和SBD工艺平台。首批2款产品通过严格可靠性认证，并正式推向市场。目前已有客户导入新产品测试，进入整机验证阶段。

2024-10-09 - 产品代理服务技术支持采购服务

【元件】长晶科技FST3.0 IGBT新品发布＆光伏储能/逆变器/充电模块应用方案

长晶科技全新推出了FST3.0（对标国际Gen7.0）650V和1200V系列的三款IGBT单管，主要用于光伏储能等应用。新品使用最新的微沟槽栅（1.6μm Pitch）+场终止技术，提高载流子密度；芯片元胞/功率密度增大，经济性更好；针对光储类应用优化了通态损耗和开关损耗，同时又保证产品的鲁棒特性。

2024-12-04 - 产品代理服务技术支持采购服务

东海半导体授权世强硬创，代理IGBT单管/模块、SiC二极管/MOS

40A 1200V TRENCHSTOP IGBT采用先进的沟槽和场截止技术设计，不仅能提供优异的VCEsat和开关速度、低栅极电荷，还拥有卓越的开关速度，VCEsat中的正温度系数带来轻松并联的能力。

2023-09-18 - 签约新闻代理服务技术支持采购服务

华太（Watech）功率器件产品选型指南

目录- 功率器件介绍和产品系列功率器件

型号- HDW30S120B,HDP06S065A,HDW30S065A,HMZ040S120A,HMZ080S120A,HKW40N120FHEA,HDD04S065A,HMW080S120A,HKW40N120FHRA,HKZ75N65SHRA,HKW75N65SHRA,HMW1KS170A,HDW20S120A,HDD06S065A,HDW20S120B,HDW12S170A,HDW20S065B,HKZ75N65SHEA,HMBF1KS170A,HMW040S120A,HDF10S065A,HKW75N65SHEA,HDD10S120A,HDW40S120A,HDW40S120B

2022/8/22 - 华太 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

瞻芯电子荣获SiC行业三大奖项，全面突破新能源汽车主驱、光伏储能、充电桩等众多关键领域市场

2024年12月12日，由行家说主办的“2024碳化硅＆氮化镓产业高峰论坛”于深圳召开。瞻芯电子凭借极具竞争力的碳化硅（SiC）功率器件和驱动解决方案，全面突破新能源汽车主驱、光伏储能、充电桩等众多关键领域市场，取得出色的业绩表现，在颁奖礼上荣获三项大奖：“中国SiC IDM十强企业”、“年度影响力产品奖”、“第三代半导体应用推动突破奖”。

2024-12-18 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

储能/BMS/电动车 SGT MOS光伏储能 IGBT单管

型号- HMS330N10,HMS320N04D,HMS310N85,HMS80N25,HMS120N85K,HMS135N10,HMS320N04G,HMS120N10G,HMS260N10D,HMS320N04,HMS80N10K,HMS120N10D,HMS120N10K,HMS80N10G,HMS320N04LL,HMS135N85D,HMS160N10,HMS100N85D,HMS100N85G,HMS100N20,HMS135N85,HMS100N85K,HMS80N10,HMS80N10D,HMS120N85D,HMS80N85K,HMS80N85G,HMS120N85G,HM75N120FT3,HMS100N15,HMS120N85,HMS310N85D,HMS260N10LL,HMS135N10K,HMS85N10,HMS80N85,HMS80N85D,HMS160N10D,HMS80N25D,HMG160N65FT3,HMS85N10K,HMS100N15D,HMS330N10LL,HMS85N10G,HMS120N10,HMS85N10D,HMS100N85,HMS135N85K,HMS135N85G,HMS260N10,HMS330N06LL,HMS310N85LL,HMS330N10D,HMS330N06,HMS135N10G,HMS135N10D,HMS100N20D,HMS330N06D

2024/10/15 - 虹美功率半导体 - 快速参考指南代理服务技术支持采购服务

华太电子推出650V和1200V超结IGBT系列产品，已在光伏、储能等领域大批量使用

华太电子研发出650V和1200V超结1GBT系列产品。相较传统沟槽型IGBT,SUPER JUNCTION IGBT充分利用超结的优势，可有效提升器件的正向导通特性及开关特性。目前超结1GBT已在光伏、储能等领域开始大批量使用。

2024-04-10 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

芯众享面向光伏及储能领域推出碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET产品，电流范围10~40A可选

芯众享面向光伏及储能领域推出了碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET产品。其中碳化硅肖特基二极管已经在工商业光伏逆变器、组串式光伏逆变器、微型光伏逆变器领域广泛应用。

2023-08-07 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

希尔电子整流器件、FRD器件、IGBT器件和SiC SBD/MOSFET四大产品线亮相2024年慕尼黑上海展

2024年7月8-10日的慕尼黑上海电子展已完美落幕。在这场电子行业的盛会中，希尔电子紧扣主题，四大核心产品线闪耀登场——整流器件、FRD器件、IGBT器件和SiC SBD/MOSFET，吸引了行业客户瞩目。

2024-07-19 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

华太产品超级结IGBT产品与应用解读

为了满足高开关频率的需求，华太电子在超结IGBT一代的基础上研发出650V和1200V的超级结IGBT第二代（以下简称：SJ-IGBT G2）系列产品。与场截止型IGBT相比，SJ-IGBT G2充分发挥了超级结的优势，显著提升了器件的正向导通能力和开关特性。

2024-09-25 - 产品代理服务技术支持采购服务

采用嵌入式SiC SBD的B2M030120N SiC MOSFET

描述- 该资料详细介绍了B2M030120N型碳化硅MOSFET的特性，包括其电气特性、热特性、封装参数、开关特性等。该产品具有高阻断电压、低导通电阻、内置碳化硅二极管等特性，适用于开关电源、逆变器、电机驱动器、高压DC/DC转换器等领域。

型号- B2M030120N

2024-10-16 - 基本半导体 - 数据手册 - Rev. 0.0 代理服务技术支持采购服务

【应用】国产SiC MOSFET IV1Q12050T4助力30KW充电模块全桥LLC设计，最高效率可达96.5%

新能源汽车的快速发展，带来充电的需求，为了满足电动汽车的快速充电，充电桩直流充电模块在其中有着不可替代的作用，本文重点介绍瞻芯电子1200V的SiC MOS管 IV1Q12050T4助力30KW充电模块全桥LLC设计，最高效率可达96.5%。

2022-03-05 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

HKW50N65SHEE高速IGBT功率晶体管

描述- 本资料为WATECH Electronics生产的HKW50N65SHEE型高速IGBT功率晶体管的数据手册。该产品具有超低开关损耗、高效率硬切换拓扑结构、内部集成快速恢复二极管(FRD)等特点，适用于工业电源供应、太阳能逆变器、储能逆变器、不间断电源(UPS)、电动汽车充电器和焊接机等领域。

型号- HKW50N65SHEE

03/2024 - 华太 - 数据手册 - Rev. 1.0 代理服务技术支持采购服务

HKQ150N65S2HEK 650V 150A高速IGBT

描述- 本资料为WATECH Electronics公司生产的HKQ150N65S2HEK型650V 150A高速IGBT（集成FRD）的产品数据手册。该产品具有超低开关损耗、内部集成快速及软恢复反并联FRD等特点，适用于工业电源、太阳能逆变器、储能逆变器、不间断电源、电动汽车直流充电器以及焊接等领域。

型号- HKQ150N65S2HEK

07/2024 - 华太 - 数据手册 - Rev. 1.0 代理服务技术支持采购服务