【产品】诚芯微推出N沟道增强型MOSFET CX3075B，采用先进的沟槽工艺技术，具有高功率和高电流处理能力
诚芯微推出的型号为CX3075B的N沟道增强型MOSFET，器件采用先进的沟槽工艺技术，具有优异的漏源导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷特性，该系列器件适用于负载开关或PWM应用等领域，其封装和引脚如下图所示：
器件特征
RDS(ON)<8mΩ@VGS=4.5V
RDS(ON)<5mΩ@VGS=10V
器件具有高功率和高电流处理能力
器件符合无铅认证标准
器件为表面贴装器件
器件应用领域
PWM应用
负载开关
电源管理应用
绝对最大额定值（TA=25℃，除非另有标注）
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