【产品】600V N沟道增强型功率MOSFET BSS127，采用SOT-23封装
丽正国际推出的BSS127是新一代N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面技术，可提供出色的高压特性和快速开关特性，使其非常适合小信号和电平转换应用。在环境温度为 25°C时，BSS127可以承受的漏源电压最大额定值为600V，栅源电压最大额定值为±20V，可以承受的漏极连续电流最大额定值为0.021A，结温和储存温度范围为-55~150℃，结到环境热阻为250℃/W。BSS127采用SOT-23封装，其产品外观如图1所示。
图1 BSS127产品图
BSS127产品特性
•低输入电容
•漏源击穿电压BVDSS额定值高，适用于电源应用
•低输入/输出泄漏
•无卤素应用
•P / N后缀V表示符合AEC-Q101认证，例如：BSS127V
BSS127应用领域
•电机控制
•DC-DC转换器
•电源管理
•背光灯
BSS127订购信息
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