【产品】采用DFN封装的低噪声放大器GSL802AD,工作频率范围为1GHz至2GHz,采用GaAs pHEMT工艺
GSL802AD是一种在1GHz至2GHz频率范围内工作的低噪声放大器(LNA)。该器件包含片上输入/输出匹配电路,并采用GaAs pHEMT工艺制造。其业界领先的噪声系数和高线性度使其成为第一级LNA的理想选择。该LNA集成了Venable偏置能力,以允许在TDD应用中工作。GSL802AD采用2x2 mm、8 引脚 DFN封装。
特点
8 引脚 2x2 mm DFN封装
1GHz至2GHz的NF≤0.85dB
1GHz至2GHz增益>21dB
>24dBm OIP3@20mA IDD,2GHz
具有1.8V TTL逻辑的关机模式引脚
+3.3V电源;不需要-Vgg
在高输入功率驱动下保持关闭状态
无条件稳定
根据AEC-Q100 Grade2 进行测试
功能框图
应用
LTE/WCDMA/CDMA/GSM/大规模MIMO
中继器/DAS
TDD或FDD系统
通用无线
订购信息
GSL802AD
绝对最大额定值
推荐工作条件
电气规范
测试条件:50Ω系统,VDD=3.3V,IDD=20mA,温度=+25℃,(去嵌入数据);
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