The AGH University Publishes on Innovative Circuits Designed with UMS GaAs PH25 Process

时间： 2021-04-09 来源：UMS

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UMS is glad to be quoted in 2 papers published in IEEE Access by the Department of Electronics of the AGH University of Science and Technology in Krakow, Poland.

UMS 0.25µm GaAs pHEMT technology (PH25) was retained by the AGH University to design in foundry mode:

1. A 24GHz sensor for permittivity measurement with many applications such as blood glucose, acetone in breath, water in vegetable, fat in milk detection

fig.1 A 24 GHz Microwave Sensor with Built-in Calibration Capability Designed in MMIC Technology”

2. An ultra-broadband directional coupler, covering 3.9 to 41GHz for many broadband applications such as beamforming network receivers or reflectometers for RF measurements.

fig.2 “Multisection Ultra-Broadband Directional Coupler Designed in MMIC Technology”

About MRG of AGH University:

The Microwave Research Group (MRG) is established at the Department of Electronics, AGH University of Science and Technology, Krakow, Poland.

The MRG’s main research focus is on wideband passive networks, antenna arrays, measurement systems, radars, and permittivity sensors for laboratory and industrial applications. The researched solutions are developed with the use of microwave laminates, 3D additive manufacturing, and monolithic technology based on GaAs and GaN substrates.

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产品型号	品类	RF Bandwidth (GHz)min	RF Bandwidth (GHz)max	Gain(dB)	IP3(dBm)	P-1dB OUT(dBm)	Sat. Output Power(dBm)	PAE(%)	Bias(mA)	Bias(V)	Case
CHA1008-99F	低噪声放大器	80	105	17	DC	5	DC	DC	115	2.5	Die

选型表 - UMS 立即选型

鉴定报告UMS PCN_2023_003:Gelpak制造商搬迁（PCN_2023_003）

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UMS氮化镓（GaN）功率晶体管选型表

UMS氮化镓（GaN）功率晶体管选型:Glin(dB) @ Freq(GHz):12-23.5，Saturated Power(W)：14-180，Bias(mA)：0.1-1300，Bias(V)：30-50.

产品型号	品类	Glin(dB) @ Freq(GHz)	Operating Frequency(GHz)	Saturated Power(W)	PAE(%) @ Freq(GHz)	Bias(mA)	Bias(V)	Case
CHKA011aSXA	氮化镓功率晶体管	23.5 @ 0.44	Up to 1.5	130	75 @ 0.44	640	50	Ceramic Metal Flange

选型表 - UMS 立即选型

UMS 射频开关选型表

UMS 射频开关选型：RF Bandwidth (GHz)min：6-23，RF Bandwidth (GHz)max：4-26，Loss(dB)：0.5-2.9，P-1dB IN(dBm)：20-42.

产品型号	品类	RF Bandwidth (GHz)min	RF Bandwidth (GHz)max	Loss(dB)	Isolation(dB)	Type
CHS2412-QDG/20	射频开关	23	26	2.9	35	Reflective

选型表 - UMS 立即选型

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UMS混频器/降频器选型表

UMS混频器/降频器选型：RF Bandwidth (GHz)min：5.5-76，RF Bandwidth (GHz)max：9-86，LO Bandwidth (GHz)-min：3-76，LO Bandwidth (GHz)-max：7.75-77，LO Input Power(dBm)：-4~15，Bias(mA)：1-380.

产品型号

品类

RF Bandwidth (GHz)min

RF Bandwidth (GHz)max

LO Bandwidth (GHz)min

LO Bandwidth (GHz)max

IF Bandwidth (GHz)min

IF Bandwidth (GHz)max

选型表 - UMS 立即选型

UMS传感器/检测器/检波器选型表

UMS传感器/检测器/检波器选型：RF Bandwidth (GHz)min：5-24.5，RF Bandwidth (GHz)max：5.88-44，Bias(mA)：0.8-350，Bias(V)：3-18.4.

产品型号	品类	RF Bandwidth (GHz)min	RF Bandwidth (GHz)max	Gain RX(dB)	Gain TX(dB)	Pout TX(dBm)	NF RX(dB)	Number of Bit Atten.	Bias(mA)	Bias(V)	Case
CHC2442-QPG	传感器	24	24.5	37	VCO incl.	13.5	11.5	5	225	3.3	QFN

选型表 - UMS 立即选型

UMS射频移相器选型表

UMS射频移相器选型：RF Bandwidth (GHz)-min：1.2-8.5，RF Bandwidth (GHz)-max：1.4-18，Number of Bits：4-6，Insertion Loss(dB)：-10~13，P-1dB IN(dBm)：3-26.

产品型号	品类	RF Bandwidth (GHz)-min	RF Bandwidth (GHz)-max	Number of Bits	Phase range(°)	Insertion Loss(dB)	Phase Error(°p-p)	P-1dB IN(dBm)	Control voltage(V)	Case
CHP3010-QFG	射频移相器	1.2	1.4	6	360	7	-1/+3	24	0/3.3 or 5	QFN

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