【产品】可超快切换的650V增强型GaN功率晶体管CGL65R150B，无反向恢复损耗

时间： 2021-11-18 来源：聚能创芯

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增强型GaN功率晶体管,增强型硅基氮化镓功率晶体管,CGL65R150B,聚能创芯

聚能创芯推出的该系列器件是增强型硅基氮化镓功率晶体管。GaN的特性具有高击穿电压和高开关频率。由于R_DS(ON)和Q_g的极低组合，导通和开关功率损耗都被最小化，提供比硅功率晶体管更高的效率。

主要特性

● 超快切换

● 无反向恢复损耗

● 可反向导通

● 低栅极电荷，低输出电荷

● 符合JEDEC标准等级应用的要求

典型应用

● 高压交直流转换

● 高压DC/DC转换

● 高性能电源

关键性能参数（T_j=25℃）

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型号- CGK65R190C,CGK65R190B,CGL65R150B,HVA100,HVA650,HVP700,CGL65R070B,HFAS200,HVP300,CGL65R190B,HFAS100,HVP650,CGK65R400B,HVP100,HVA700,HFAC200,HFAC100,HVA300

2022/2/7 - 聚能创芯 - 选型指南代理服务技术支持批量订货

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型号- CGL65R190B

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聚能创芯 GaN功率器件选型表

产品型号	品类	电压(V)	Rdson(mΩ),Typ	Rdson(mΩ),max	ID(A)	Qg(nC)	封装	附加功能
CGL65R070B	GaN功率器件	650	55	70	23	6.5	PQFN8*8	-

选型表 - 聚能创芯立即选型

CGL65R260B 650V增强型氮化镓功率晶体管

描述- 该资料介绍了Cohenius公司生产的CGL65R260B型号650V增强型氮化镓功率晶体管。这种器件具有高电压击穿和高开关频率的特性，通过极低的导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg），实现了低导通损耗和切换损耗，提高了效率。

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2022/5/11 - 聚能创芯 - 数据手册代理服务技术支持批量订货

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型号- CGK65R190B

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型号- CGK65R190C,CGK65R190B,HVA100,HVA650,CGL65R150B,HVP700,HVP300,HFAS200,CGL65R070B,CGL65R190B,HFAS100,HVP650,HVP100,CGK65R400B,HVA700,HFAC200,HFAC100,HVA300

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CGK65R400B 650V增强型氮化镓功率晶体管

描述- 该资料介绍了Cohenius公司生产的CGK65R400B型号650V增强型氮化镓（GaN）功率晶体管。这种晶体管具有高电压击穿和高开关频率的特性，通过极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg实现低导通损耗和切换损耗，提高了效率。它适用于高压AC/DC转换、高压DC/DC转换和高性能电源等领域。

型号- CGK65R400B

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