【选型】国产SiC肖特基二极管WS2A030120K可PIN-PIN替代WOLFSPEED的C4D30120D
SiC肖特基二极管具有零反向恢复电流和零正向恢复电压，散热要求低，是高频和高效率应用的理想选择。目前市场上以选用WOLFSPEED公司的碳化硅为主，但由于供货周期和价格等原因，许多客户急需高性价比的替代产品。本文重点推荐中电国基南方（CETC）的WS2A030120K，该产品可pin-to-pin替代C4D30120D，其内部结构和引脚定义如下图1所示。由图1可知，WS2A030120K和C4D30120D的封装及PIN脚定义完全相同。
图1：WS2A030120K内部结构和引脚定义 C4D30120D内部结构和引脚定义
图2：WS2A030120K和C4D30120D的参数对比
碳化硅二极管的反向重复峰值电压、反向电流、连续正向电流、正向浪涌电流是四个最重要的参数。
二者的反向重复峰值电压均为1200V，反向漏电流（VR=1200V , TJ=25°C）WS2A030120K最大值为100uA，C4D30120D最大值为200uA，相比之下，在反向截止状态时WS2A030120K具有更低的电能消耗，热损更低，产品效率高；
连续正向电流（TC=135˚C）（每个引脚/整个器件）方面，WS2A030120K为19A/38A，C4D30120D为21.5/43A，这一点上WS2A030120K稍有落后，但差异不大；
正向非重复浪涌电流（TC = 25 °C, TP = 10 ms）方面，WS2A030120K为100A，C4D30120D为130A，两款产品的抗浪涌性能相似，均能抵抗开关瞬间的电力波动，有较好的安全性；
两款产品的结壳热阻非常接近，热传递性能佳，均能够满足大功率器件的散热要求。
结温温度是电子设备中实际半导体碳化硅二极管所能耐受的最高温度，反应了产品对环境温度的适应能力。二者的结温温度范围为-55°C-175°C，均符合军工级器件的温度要求，能够适应苛刻的温度环境。
综合以上参数及封装对比，WS2A030120K碳化硅（SiC）二极管与C4D30120D，典型电性能参数、内部结构和引脚定义基本一致，可实现完美的pin-to-pin兼容设计，无需更改任何外部电路。
WS2A030120K碳化硅（SiC）二极管为中国电科的全资子公司中电国基南方（CETC）研发生产，中电国基南方（CETC）以中国电科55所为主体组建，具备完整、集中的 4、6英寸 SiC电力电子器件生产能，净化面积4000平方米，能够批量生产 SiC 肖特基二极管系列和 SiC MOSFET产品。所以WS2A030120K比C4D30120D具有更好的性价比和交期。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由WJL提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【选型】pin-to-pin替代ON FFSB10120A-F085的国产SiC肖特基二极管B1D10120F
SiC肖特基二极管具有零反向恢复电流和零正向恢复电压，散热要求低，是高频和高效率应用的理想选择。目前市场上以选用ON的SiC肖特基二极管FFSB10120A-F085居多，但由于供货周期和价格等原因，许多客户急需替代产品。本文重点推荐国产基本半导体（BASIC）的B1D10120F可pin-to-pin替代FFSB10120A-F085。
【应用】30A/1200V SiC肖特基二极管LSIC2SD120E30CC用于机车空调升压电源，有效降低开关损耗
在动车或地铁中，机车空调需要有稳定的电力供电，保持车厢内的空气质量。当机车出现故障时，需要通过后备电池给空调供电。而机车中常规的后备电池电压为直流110V，空调供电通常为直流540V，因此需要升压电源实现电池电压到空调供电电压的变换。Littelfuse推出的高性能SiC肖特基二极管LSIC2SD120E30CC，可以实现高频整流，开关损耗很低。应用在机车空调升压电源二次侧整流电路可提高整机效率。
【选型】高性价比替代STPSC20065的国产SiC肖特基二极管B1D20065H，基本参数一致
SiC肖特基二极管具有零反向恢复电流和零正向恢复电压，散热要求低，是高频和高效率应用的理想选择。目前市场上以选用ST的SiC肖特基二极管STPSC20065居多，但由于供货周期和价格等原因，许多客户急需高性价比的替代产品。本文重点推荐国产基本半导体（BASIC）的B1D20065H可替代STPSC20065。
IV1D12030U3–1200V 30A SiC肖特基二极管
描述- 本资料介绍了InventChip公司生产的IV1D12030U3型号的SiC肖特基二极管。该器件具有高浪涌电流容量、零反向恢复电流和正向电压系数正温度特性，适用于高频操作和环境温度独立开关行为。其主要应用于太阳能电源提升、逆变器自由轮换二极管、维也纳三相PFC、电动汽车充电桩和开关模式电源等领域。
型号- IV1D12030U3
中电国基南方二极管参数对照表
提供中电国基南方二极管对照选型，覆盖电压650V~2000V，正向电流2A-60A，漏电流低至0.2uA
|
产品型号
|
品类
|
Package
|
DC Blocking Voltage VR(V)
|
Average Forward Current IF(A)
|
Forward Voltage VF(TJ =25℃) (V) (Typ.)
|
Reverse Current IR(TJ =25℃) (μA) (Typ.)
|
Maximum Junction Temperature TJ(MAX) (℃)
|
Non- Repetitive Peak Forward Surge Current IFSM（A）
|
|
WS3A002065A
|
二极管
|
TO-220C- 2L
|
650
|
2
|
1.4
|
0.5
|
175
|
20
|
选型表 - 中电国基南方 立即选型
如何选择合适的SIC肖特基二极管？
在电子设备的设计和应用中，选择合适的碳化硅肖特基二极管是确保电路性能和可靠性的关键步骤。碳化硅材料的优越性能使其在高功率、高温、高频应用中得到了广泛应用。小编将详细介绍碳化硅肖特基二极管的选型要求和标准，帮助您在选择产品时做出明智的决策。
中电国基南方SiC肖特基二极管应用手册
描述- 本资料主要讲解了以下内容：（1）SiC半导体的材料特性、优点；（2）SiC肖特基二极管特性；（3）SiC SBD产品系列介绍、可靠性测试报告；（4）SiC的应用和优势示例应用优势。
型号- WS3A003065E,WS3A003065B,WS3A003065A,WS3A015065F,WS3A015065J,WS3A010170D,WS3A010170B,WS3A003065J,WS3A008120E,WS3A008120A,WS3A008120B,WS3A030120K,WS3A008120J,WSXAXXXXXX0,WS3A005120J,WS3A003120A,WS3A003120B,WS3A005120E,WS1A030330B,WS3A003120E,WS3A020120J,WS1A025170B,WS3A020120D,WS3A020120B,WS3A020120A,WS3A010065J,WS2A015120B,WS2A015120D,WS2A015120A,WS3A016120K,WS1A025170D,WS3A020120K,WS3A005120A,WS3A005120B,WS3A008065E,WS3A008065F,WS3A012065J,WS3A003120J,WS3A012065K,WS3A008065A,WS3A008065B,WS2A030120K,WS3A008065J,WS3A004065A,WS3A004065B,WS3A012065F,WS3A005170D,WS3A012065D,WS3A012065E,WS3A012065B,NSD10220B,WS3A005170B,WS3A012065A,WS3A020065J,WS3A020065F,WS3A020065D,WS3A020065B,WS3A006065E,WS3A020065A,WS3A006065F,WS3A002065B,WS3A010120J,WS3A002065A,WS3A010120K,WS3A015120B,WS3A006065J,WS3A015120A,WS3A015120D,WS3A002065F,WS3A002065E,WS3A010065D,WS2A040120B,WS3A010065E,WS3A010065B,WS3A002065J,WS3A015170B,WS2A040120D,WS3A006065A,WS3A006065B,WS3A015170D,WS3A010065F,WS3A040065K,WS3A016065K,WS3A010065A,WS3A020065K,WS3A012120K,WS3A004065J,NSD10220S,WS3A004065E,WS3A004065F,WS1A050065D,WS1A050065B,WS3A002120A,WS3A006120E,WS3A002120B,WS3A015065B,WS3A002120E,WS3A015065A,WS3A006120J,WS3A015065D,WS3A010120D,WS3A010120E,WS3A015120E,WS3A002120J,WS3A010120B,WS3A024065K,WS3A006120A,WS3A015120J,WS3A006120B,WS3A040120K,WS3A010120A,WS3A030065A,WS3A030065B,WS3A030065J,WS3A030065K,WS3A030065D,WS3A030065F,WS3A060065K
【产品】20A/1200V SiC肖特基二极管NF20120，耐175℃结温，可用于续流二极管和逆变器
南方半导体推出的SiC肖特基二极管NF20120，具有VF正温度系数和高频应用等特性；最大直流阻断电压和可重复最高反向电压值均为1200V，工作结温度范围为-55~+175℃；可用于续流二极管和逆变器等方面。
P3D06030G2 SiC SBD 650V SiC肖特基二极管
描述- 本资料介绍了PNJ半导体公司生产的650V碳化硅肖特基二极管P3D06030G2。该器件适用于高频率操作，具有超快速开关、零反向恢复电流等特点，符合AEC-Q101标准。它广泛应用于消费级电源管理、功率因数校正（PFC）和直流/直流转换器等领域。
型号- P3D06030G2
【产品】采用TO-252封装的1200V SiC肖特基二极管WS3A002120E，几乎没有开关损耗
WS3A002120E,WS3A006120E,WS3A010120E是中电国基南方（CETC）推出的三代1200V SiC肖特基二极管，其采用TO-252封装，符合RoHS标准，其正向导通电压具有正温度系数，工作结温最高可达175℃，开关损耗基本为零，可以应用于开关电源、功率因数校正器、电机驱动，光伏逆变器和风力发电站等领域。
P3D12005BD 1200V SiC肖特基二极管
描述- 本资料介绍了PNJ半导体公司生产的P3D12005BD型碳化硅肖特基二极管。该器件具有1200伏重复峰值反向电压、5安培正向电流和超快速开关特性，适用于高频操作。资料提供了详细的电气特性、机械参数和应用数据。
型号- P3D12005BD
SiC肖特基二极管应用有哪些？
SiC肖特基二极管由于其优异的电气特性，在现代电子和电力系统中发挥着越来越重要的作用。相比传统硅(Si)器件，SiC肖特基二极管具有更高的工作温度、更低的正向压降和更快的开关速度。这些特点使它们在高效能、高频率和高温环境中的应用成为可能。本文将探讨SiC肖特基二极管的几种关键应用。
【产品】650V SiC肖特基二极管WS3A003065A，具有零反向恢复电流和零正向恢复电压的特性
WS3A003065A是中电国基南方推出的一款650V SiC肖特基二极管，器件采用TO-220-2封装，具有零反向恢复电流和零正向恢复电压的特性，正向电流最高达11A，耗散功率为46.8W，工作结温与储存温度为-55℃~175℃
【产品】采用TO-263-2封装的650V SiC肖特基二极管WS3A006065J，几乎没有开关损耗
WS3A006065J、WS3A008065J、WS3A010065J、WS3A020065J是中电国基南方（CETC）推出的4款第三代650V SiC肖特基二极管，其采用TO-263-2封装，符合RoHS标准，拥有很好的反向恢复特性，可减小散热器的体积。
IV1D1020U2–1200V 20A SiC肖特基二极管
描述- 本资料介绍了InventChip公司生产的IV1D12020U2型号的SiC肖特基二极管。该器件具有高浪涌电流容量、零反向恢复电流和正向恢复电压的特点，适用于高频操作和环境温度独立开关行为。其应用领域包括太阳能功率提升、电动汽车充电桩、逆变器自由轮换二极管、维也纳三相PFC、AC/DC转换器和开关模式电源。
型号- IV1D12020U2
电子商城
现货市场
服务
可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数，电压1.5-37V，电流5-150mA，波长470-940nm。
最小起订量： 30000 提交需求>
可定制单色光灯珠、双色灯珠、全彩灯珠、发光二极管、贴片灯珠、贴片LED等产品，尺寸：0.6*0.3mm-3.2*2.7mm，波长：405-940nm，亮度：24-750mcd，电压：1.5-3.5V。
最小起订量： 3000 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论