国基南方、55所高性能氮化镓功率器件等2项成果入选2022年“科创中国”系列榜单

聚能创芯参加2024上海慕尼黑电子展，展示650V系列氮化镓功率器件产品

2024年7月8日-10日，2024年慕尼黑电子展在上海新国际博览中心成功举办。此次展会上，聚能创芯展示了650V系列氮化镓功率器件产品，以及45W及65W家居墙插和轨道插座方案、65W氮化镓超薄及高频PD快充方案、120W LED照明方案以及120W适配器方案，得到了众多国内外客户的肯定。

泰高提供集成氮化镓驱动器与氮化镓FET的氮化镓电源芯片，易驱动且无反向恢复，适用于硬开关、快充等应用

泰高技术提供氮化镓电源芯片产品，芯片集成氮化镓驱动器与氮化镓FET，适合客户设计高功率密度和高效的AC/DC电源。以易驱动，无反向恢复的优势，非常适合于硬开关应用。

国基南方、55所亮相2024慕尼黑上海电子展，全面展示射频和功率电子、光电显示与探测板块产品

2024年7月8日-10日，2024慕尼黑上海电子展在上海新国际博览中心举行。中电国基南方、55所携系列核心产品参展，全面展示射频电子、功率电子、光电显示与探测板块主要技术产品和产业化应用成果。

第三代半导体：氮化镓

第三代半导体即宽禁带半导体，以碳化硅和氮化镓为代表，具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能，切合节能减排、智能制造、信息安全等国家重大战略需求，是支撑新一代移动通信、新能源汽车、高速轨道列车、能源互联网等产业自主创新发展和转型升级的重点核心材料和电子元器件，已成为全球半导体技术和产业竞争焦点。

碳化硅：第三代半导体材料的性能优势与应用前景

经过第一代硅基半导体、第二代的砷化镓半导体，半导体材料发展已经来到了属于碳化硅、氮化镓的第三代。碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。

研讨会2024功率器件新技术研讨会

描述- 11月21日在线直播，带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术，点击了解报名

议题- 降低20%导通电阻的功率MOS  |  集成驱动的GaN IC  |  沟槽栅场截止型IGBT新技术  |  适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET  |  1700V SiC功率MOS  |  国产50A IPM模块  |  高可靠国产车规IGBT模块  |  ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商  |  EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商  |  致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI）  |  中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE）  |  致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体（Archimedes）  |  中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip）  |  专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子（CRM ICBG ）  |  Kyocera（京瓷）——全球领先的材料与电子元件制造商  |  Shindengen（新电元）——“桥王”，整流桥全球份额占比约40%  |  中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER）  |  国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动（HVIC）制造商——数明半导体  |  国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics）  |  国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯（SOCAY）  | 

一篇文章综述中国碳化硅（SiC）产业建设进展

第三代半导体材料为氮化镓GaN、碳化硅SiC、氧化锌ZnO、金刚石C等，其中碳化硅SiC、氮化镓GaN为主要代表。在禁带宽度、介电常数、导热率及最高工作温度等方面碳化硅SiC、氮化镓GaN性能更出色。在5G通信、新能源汽车、光伏等领域头部企业逐步使用第三代半导体，瑞之辰等从业者认为成本下降有望实现全面替代。

肖特基二极管厂家

江西誉鸿锦第三代半导体芯片全产业链项目由深圳誉鸿锦芯科技合伙企业（有限合伙）投资，主要从事高品质氮化镓（GaN）电子材料和高端光电材料的MOCVD外延生长及器件流片、模组的研发和生产制造。该材料广泛用于用于新能源汽车、数据中心、超算中心及5G通讯领域。

纯国产技术30W~120W氮化镓PD快充，聚能创芯提供GaN功率器件产品和技术解决方案

与Si元器件相比，GaN具有高击穿电场强度、高电子饱和速度与极高的电子迁移率的特点，可大幅提升器件与系统的功率密度、工作频率与能量转换效率。11月1日，聚能创芯与世强达成战略合作，授权世强全线代理旗下GaN功率器件和GaN外延片等产品，相关资料已上线平台。