【产品】1200V/42A的N沟道增强型SIC MOSFET CMF20120D，导通内阻仅80mΩ
WOLFSPEED成立于1987年，在电源转换和无线通信设备市场中处于领导地位。在产品技术上，CREE一直以“SiC技术”见长，世界上超过90%的SiC晶片都由它制造，是当之无愧的半导体行业巨头。
Wolfspeed推出了N沟道增强型SIC MOSFET CMF20120D，其反向耐压最高为1200V，正向导通电流最大为42A，其导通内阻只有80mΩ，可见其SIC材料的优势，小的内阻在功率器件运行过程中可以减少功率损耗，提高系统运行效率。N沟道增强型SIC MOSFET CMF20120D的栅极开通电压最高为25V，关断电压最高为-5V，其开通电压阈值为3.2V，因此设计驱动电路时必须满足此条件。
N沟道增强型SIC MOSFET CMF20120D的导通时间为38ns，关断时间为24ns，低电容可实现高速开关运行，抗闩锁能力强。而且其不含卤素，符合RoHS标准，广泛应用于太阳能逆变器、高压DC/DC变换器、马达驱动、开关电源和UPS等场合。
图1 N沟道增强型SIC MOSFET CMF20120D实物图
N沟道增强型SIC MOSFET CMF20120D的存储和工作温度范围为：- 55°C ~ + 135°C，焊接温度最高为260℃，可见其耐高温特性优良，可减少冷却要求和实际应用中的热故障。其采用标准封装TO-247-3，适合PCB焊接使用。
图2 N沟道增强型SIC MOSFET CMF20120D封装图
N沟道增强型SIC MOSFET CMF20120D的产品特性及优势：
•低容量，开关频率快
•高阻塞电压与低导通内阻，易于并行和简单的驱动
•抗闩锁能力
•无卤素，符合RoHS标准
•较高的系统效率
•降低冷却要求
•增加系统切换频率
N沟道增强型SIC MOSFET CMF20120D的应用领域：
•太阳能逆变器
•高压DC/DC变换器
•马达驱动
•开关电源
•UPS
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我的名字 Lv7. 资深专家 2018-11-09学习 -
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大新 Lv7. 资深专家 2018-11-06收藏了 -
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时不我待 Lv7. 资深专家 2018-11-04学习 -
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yuyu Lv8. 研究员 2018-10-01收藏了 -
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用户95404288 Lv8. 研究员 2018-09-30学习 -
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醉卧美人膝 Lv8. 研究员 2018-09-25值得收藏 -
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红绿蓝 Lv4. 资深工程师 2018-08-27应用场合广，不错。 -
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luose Lv8. 研究员 2018-08-27学习！
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嗨，各位，请帮忙推荐一款国产SIC MOSFET, 电压650V,N沟道工艺的，应用于太阳能逆变器，谢谢
答： 好的，没问题，推荐派恩杰50V/TO-247-4封装的N沟道增强型SiC MOSFET，型号P3M06060K4，这个产品符合AEC-Q101标准，具备高阻断电压、低导通电阻的特点，可用在太阳能逆变器上，附上规格书链接：https://www.sekorm.com/doc/2226279.html。
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