【选型】可替换TPS7A8001的国产LDO SGM2048助力RRU,140mV低压差、27μVRMS
在RRU产品中给DDR供电需要可大电流LDO,之前不少客户选择TI TPS7A8001,随着国产化需求增多,急需国产替换料。本文从电性能参数、封装信息、典型应用电路等方面说明推荐圣邦微SGM2048可替换TPS7A8001。下图1为两者电性能参数对比:
图1:SGM2048与TPS7A8001电性能参数对比
由上表对比可知:
1、在压差和输出噪声方面,SGM2048表现更出色些,拥有140mV低压差、27μVRMS,保证芯片低压差应用和输出电压温度;
2、 另外SGM2048在纹波抑制能力方面更强些,可提供75dB(1KHZ)高PSRR值;
3、在输入电压、输出电压电流方面,两者表现基本一致;
4、在工作温度范围方面,满足工业级-40~125℃,有效保证芯片可靠性。
SGM2048封装为TDFN-3*3-8CL,TPS7A8001封装为VSON (8),这两种封装Pin脚定义完全相同,尺寸稍有差别,外围电路设计基本一致。如下为两者封装Pin脚定义和典型应用电路对比:
图2:SGM2048与TPS7A8001封装Pin脚定义对比
图3:SGM2048与TPS7A8001典型应用电路对比
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