【应用】国产1700V SIC MOSFET WM1A650170K 助力UPS辅助电源设计，典型导通电阻仅650mΩ

时间： 2021-07-01 来源：世强

技术问答

三相ups（不间断电源）整流后的母线电压一般在DC600V~1000v的范围，其中UPS辅助电源主要取自母线高压DC供电，主要用于给ups低压控制电路供电，如散热风扇、显示屏等；市场上主要用硅2个800V~900V MOS的双管反激电路，以满足耐如此高压的需求，但增加了器件数量，提高设计难度；本文主要介绍国产中电国基南方1700V SiC MOSFET WM1A650170K助力UPS辅助电源设计的优势。

如图1为单管反激电路图框，在UPS以高压DC600V~1000v作为母线电路的的辅助电源应用中，使用1700V的SIC mos WM1A650170K可以节省器件数量，同时拓扑电路简单，降低设计难度，提高研发效率。

图1:单管反激电路图框

除了电路设计上的优势，使用国产中电国基南方1700V SIC MOSFET WM1A650170K还具备以下优势：

1、WM1A650170K的典型导通电阻值为650mΩ，市面上主要是1Ω较多，而中电国基南方MOS WM1A650170K导通电阻更低，可减小导通损耗，降低器件发热，进而提高辅助电源效率；

2、该sic mos的VDS具有1700V的耐压，可以兼容600V~1000v的母线电压应用，并保留足够高的耐压余量，提高产品的可靠性；

3、WM1A650170K本身的用sic材料设计，就开关频率方面，相对于si mos，sic MOS具有更高的开关频率，故在应用时，可以通过提高开关频率来降低磁性单元体积，节约空间，设计更轻；

4、采用to-247通用封装，通用性强；

5、WM1A650170K工作结温为-55℃~150℃，可达到工业等级温度要求。

图2：WM1A650170K封装以及管脚定义

除以上介绍的参数优势，WM1A650170K为国产品牌，供货交期方面更具优势，如有需求，欢迎咨询。

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tiankai001 Lv7. 资深专家 2022-06-23

了解，学习
terrydl Lv9. 科学家 2022-05-20

学习

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型号- WS4A020120A,WS4A050065D,WMH075M120A1A,WS4A050065B,WS4A020120B-V,WS4A020120B,WS4A020120D,WS4A040120K,WMIT075M120B1A,WS4A040120D,WM2HA020065Y,WS4A040120B,WMT075M120B1A,WMH020M065A1A,WS4A030065D,WS4A020120J,WS4A040120B-V,WS4A020120K,WS4A030065J,WS4A025170B,WS4A025170D,WS4A030065B,WM2A030065L,WM2A030065K,WS4A030065K,WS4A050170B-V,WMD075M120B1A,WM2HV020170L,WS4A006065F,WM2HV020170K,WS4A006065E,WS4A004065A0,WS4A006065B,WS4A006065A,WS4A010065E,WS4A015065J,WS4A010065F,WS4A010065A,WS4A015065F,WS4A010065B,WM2A080170N,WM2A080170L,WM2A080170K,WM2HV140120N,WM2HV140120L,WM2HV040065L,WM2HV040065K,WM2HA040120N,WM2HA040120L,WM2HA040120K,WM2A060065N,WM2A060065K,WM2HV040065N,WM2A060065L,WS4A050170B,WM2A060065Y,WM2HA030120N,WM2HA030120K,WS4A050170D,WM2HA030120L,WM2HA020120K,WM2HV140120K,WS4A005120E,WM2HA020120L,WM2A040120L,WM2HV020120N,WM2HA020120N,WM2HV020120K,WM2HV020120L,WM2A040120K,WS4A010065J,WS4A015120J,WS4A015120D,WM2V080170K,WS4A050065B-V,WS4A005120A,WS4A005120B,WMH016M120A1A,WM2V080170L,WM2HA040065N,WM2V080170N,WM2HA040065L,WM2HA040065K,WS4A020065A,WS4A020065D,WS4A020065B,WM2HV030120K,WS4A020065B-V,WM2HA040065Y,WS4A020065F,WS4A015120A,WM2V040120L,WM2V040120K,WS4A015120B,WMH060M120A1A,WM2HA011075K,WM2HA011075L,WM2HA04006Y,WM2HV030120N,WS4A060120D,WS4A020065K,WM2HV030120L,WS4A020065J,WM2HA024200LP,WS4A060120K,WM2V040170L,WM2V040170N,WS4A025170B-V,WM2V040170K,WMH080M170A1A,WS4A030120K,WS4A030120B-V,WM2HV060120L,WM2HV060120K,WM2HV060120N,WMIT040M120B1A,WM2HV011075L,WM2HV011075K,WS4A200120T,WMT040M120B1A,WM2HA240120N,WS4A010120E,WS4A004065F0,WS4A010120D,WS4A010120B,WS4A010120A,WM2A050330L,WM2HA240120E,WS4A008065B,WM2HV040120L,WS4A060065K,WS4A008065A,WMD040M120B1A,WS4A008065F,WS4A008065E,WM2HA140120L,WSXAXXXXXX0,WM2HA140120K,WM2HA140120N,WS4A050120D,WS4A050120B,WMH040M120A1A,WM2HV016120L,WM2HV016120K,WM2HA020170L,WS4A010120J,WM2HA020170K,WS4A040065K,WS4A050120B-V,WMH060M075A1A,WS4A015065A,WS4A015065B,WM1A650170N,WM1A650170K,WM2A075120K,WM2A075120L,WM2A075120N,WM2V020065N,WM2V020065K,WM2V020065L,WS4A004065B0,WS4A004065E0,WMXAXXXXXX0,WM2V075120N,WM2HA060120K,WM2V075120K,WM2HA060120L,WM2V075120L,WM1A080120K1,WM2HA060120N,WM2HV075120L,WM2HA020065K,WS4A030065B-V,WM2HA020065L,WM2A040170K,WM2A040170L,WM2A040170N,WM2HA016120L,WM2HA016120K,WM2HA020065N,WM2HA016120T,WM2A060090N,WMH020M120A1A,WM2A060090K,WM1A080120L1,WM2A060090L,WM2A100200LP,WM1A01K170K,WS4A030120D,WM2A050200LP,WM2A020065L,WM2A020065K,WM2A020065N,WM1A01K170N,WS4A030120B

选型指南 - 中电国基南方 - 2024/7/30 PDF 中文下载

SiC 功率器件在车载电源中的应用

型号- WM2A030065L,WM2A020065L,WM2A075120L,WM2A060065L,WM2A040120L

商品及供应商介绍 - 中电国基南方 - 2024年4月 PDF 中文下载

【选型】OBC用SiC MOS推荐WM2A075120L，漏源极电压高达1200V，连续漏极电流33A

11KW的OBC项目需要一款SiC MOS，1200V电压、内阻60mΩ~80mΩ、TO247四角封装。推荐中电国基南方WM2A075120L，漏源极电压1200V，高阻压，适合高压复杂情况；连续漏极电流33A，驱动简单。

器件选型发布时间 : 2023-03-16

中电国基南方SiC MOSFET选型表

中电国基南方提供SiC MOSFET的以下参数选型，VDSS(V):650V~1700V，RDS(on):11mΩ~1000mΩ，ID:5~150A，有TO-247-3、TO-247-4等多种封装形式。

产品型号	品类	VDSS(V)	RDS(on)(mΩ)	GEN	Drain Current(A) TC=25℃	VGS(th)(V) (Typ.)	Gate Charge Total(Qg)(nc)	Total Power Dissipation(PTOT)(W)	Junction Temperature(TJ)(MAX)(℃ )	Package	质量等级
WM2V020065K	SiC MOSFET	650V	20mΩ	G2	92A	2.6V	187nc	312W	175℃	TO-247-3	车规级

选型表 - 中电国基南方立即选型

SiC 电力电子器件产品简册

型号- WS4A020120A,WMH075M120A1A,WS4A050065B,WS4A030120K,WS4A020120B,WS4A020120D,WM2HV011075L,WM2HV011075K,WMT040M120B1A,WS4A040120K,WS4A004065F0,WS4A010120E,WMIT075M120B1A,WS4A010120D,WS3A010170D,WS4A040120D,WS4A010120B,WS3A010170B,WS4A010120A,WM2HA050200K,WS4A040120B,WMT075M120B1A,WMH020M065A1A,WM2V060075L,WS4A030065D,WM2HA040170N,WM2HA050200L,WM2HA100200L,WS4A020120J,WS4A020120K,WM2HA040170L,WM2HA050200N,WM2HA040170K,WM2HA100200K,WS1A025650B,WS4A008065B,WM2HV040120L,WM2HA100200N,WS4A008065A,WMD040M120B1A,WS4A008065F,WS4A008065E,WS4A030065B,WM2A030065N,WM2HA140120L,WSXAXXXXXX0,WM2HA140120K,WM2A030065L,WM2HA140120N,WM2A030065K,WS1A030330D,WS1A030330B,WMD075M120B1A,WMH040M120A1A,WM2HV016120L,WM2A030065Y,WM2HA080170N,WM2HA080170K,WM2HA080170L,WM2HV016120K,WS4A006065F,WS4A006065E,WM2HA020170L,WS4A004065A0,WS4A010120J,WS4A006065B,WM2HA020170K,WS4A006065A,WS4A010065E,WS4A040065K,WS4A010065F,WS4A010065A,WS4A010065B,WM2HV140120N,WM2HV140120L,WM2HA040120T,WM2HA025200L,WM2HV040065L,WM2HV040065K,WM2HA040120N,WM2HA040120L,WM2HA025200K,WM2HA040120K,WM2A060065N,WM2A060065K,WMH060M075A1A,WM2HV040065N,WM2A060065L,WM2HA030120T,WM2A060065Y,WS1B001500V,WM2HA030120N,WM2HA030120K,WM2HA030120L,WM2HA020120K,WM2HV140120K,WS4A005120E,WM2HA020120L,WM2A040120L,WM2A040120N,WM1A650170N,WM2HV020120K,WM1A650170K,WM2HV020120L,WM2A040120K,WS4A010065J,WS4A015120J,WM2A075120K,WS4A015120D,WM2A075120L,WS3A001330F,WM2A075120N,WS3A001330B,WS4A005120A,WS4A005120B,WM2HA040065N,WM2V020065N,WM2V020065K,WM2HA040065L,WM2V020065L,WM2HA040065K,WS4A004065B0,WS4A004065E0,WMXAXXXXXX0,WM2V040120N,WS4A020065A,WM2HA024200K,WM2V075120N,WS4A020065D,WM2HA024200L,WM2V075120K,WM2A050330B,WM2V075120L,WS4A020065B,WM2HV030120K,WM1A080120K1,WM2HA040065Y,WTSD1A25170D,WM2HA020065L,WS3A050170D,WS3A050170B,WM2HA016120L,WS3A002120A,WS4A015120A,WM2HA016120K,WM2V040120L,WM2V040120K,WS4A015120B,WS3A002120E,WM2HV020065L,WM2HA016120T,WM2A060090N,WM2A060090K,WM2V030065N,WM1A080120L1,WM2V030065L,WM2A060090L,WM2V030065K,WM1A01K170K,WS4A030120D,WM2HV030120N,WS4A020065K,WM2HV030120L,WM2A020065L,WM2A020065K,WM2A020065N,WM1A160650B,WM1A01K170N,WS4A030120B

选型指南 - 中电国基南方 - 2024/4/7 PDF 中文下载

WM1A650170K N-Channel SiC Power MOSFET

型号- WM1A650170K

数据手册 - 中电国基南方 - Version 2.0 - 2021/6/3 PDF 英文下载

【经验】国产高电压碳化硅功率器件WM1A650170K驱动异常分析

某客户应用在1000V左右的输入的光伏的项目中的辅助电源上选用了此器件，采用的是反激式电源，用作高频开关作用，以前普遍采用双mos管串联使用（因硅器件的耐压做不到那么高）。驱动异常波形如图1，目前线路能够正常工作，但客户担心会不会有其他异常状态会导致器件击穿短路。

设计经验发布时间 : 2022-01-07

【选型】光伏逆变系统推荐N沟道SiC功率MOSFET WM1A040120K，内阻仅40mΩ

光伏逆变系统中SiC MOSFET选型需求参考如下：1000V系统，需要耐压1200V以上的MOS；系统工作频率提升，需要尽量小的开关损耗；工作电流较大，需要低导通电阻。据此推荐中电国基南方的N沟道SiC功率MOSFET WM1A040120K，TO-247封装，内阻仅40mΩ，能够很好满足高压DC/DC系统的使用需求。

器件选型发布时间 : 2020-06-26