【产品】5V/0.5pF的超低电容ESD保护二极管ESD11L5.0DT5G，可用于USB2.0高速和天线类应用
安森美ONSEMI（LITTELFUSE收购）推出的超低电容ESD保护二极管ESD11L5.0DT5G，旨在保护电压敏感组件免受ESD损坏，而这些应用要求ESD超低电容以保持信号完整性。出色的钳位能力，低泄漏和快速响应时间与0.5 pF的超低二极管结电容相结合，可提供一流的保护，防止ESD事件对IC造成损坏。超小型SOT-1123封装非常适合电路板空间非常宝贵的设计。ESD11L5.0DT5G可用于保护两条单向线或一条双向线。当用于保护一条双向线路时，有效电容为0.25 pF。由于其低电容特性，非常适合保护高频信号线，例如USB2.0高速和天线应用。
图1 产品实物图
ESD11L5.0DT5G特性：
低电容0.5 pF（典型值）
低钳位电压
小尺寸：0.039” x 0.024” (1.0 mm x 0.6 mm)
高度低：0.015″ (0.37 mm)
截止电压：5V
低漏电流
响应时间通常<1.0 ns
符合AEC - Q101标准，无铅
ESD11L5.0DT5G应用领域：
保护高频信号线
USB2.0高速
天线应用
ESD11L5.0DT5G最大额定值特性：
ESD11L5.0DT5G电气特性：
ESD11L5.0DT5G尺寸规格：
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