【产品】采用DFN5X6-8L封装的N沟道增强型功率MOSFET RM100N60DFV，可提供优良的低导通电阻

时间： 2022-10-14 来源：丽正国际

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RM100N60DFV是丽正国际推出的一款采用DFN5X6-8L封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻R_DS(ON)、低栅极电荷，该产品适用于多种应用。在T_C=25℃时，RM100N60DFV可以承受的漏源电压最大额定值为65V，栅源电压最大额定值为±20V，漏极连续电流(硅限制)最大额定值为95A，脉冲漏极电流最大额定值为340A，最大功率耗散为74W。

产品框图和封装

特点

V_DS=65V，I_D=95A

R_DS(ON)<4.6mΩ@V_GS=10V（Typ:3.8mΩ）

R_DS(ON)<7mΩ@V_GS=4.5V（Typ:5.6mΩ）

先进的工艺技术，可提供高ESD能力
高密度单元设计，超低的导通电阻
可充分界定雪崩电压和电流
高E_AS，高稳定性、均匀性
优秀的散热封装

应用

电源开关应用
硬开关和高频电路
不间断电源
无卤素
P/N后缀V表示符合AEC-Q101标准，例如：RM100N60DFV

包装标记和订购信息

绝对最大额定值(T_C=25℃，除非另有说明)：

绝对最大额定值

电气特性(T_C=25℃，除非另有说明)：

动态特性

反向二极管特性

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