矽航半导体推出一系列DFN2*2和SOD323防浪涌器件，一致性可靠，提供全面的EOS防护方案

时间： 2022-08-31 来源：矽航

技术问答

近年来随着手机快充技术的迅猛发展，比较典型应用快充技术有：高通的Quick Charge 2.0/3.0、MTK的PUMP EXPRESS PLUS以及OPPO的VOOC闪充等。常见的充电电压有5V、9V和12V三种，相对于高压充电有的手机商更倾向于大电流充电，如有OPPO闪充的充电电流4A，华为Mate 9的充电电流5A等。然而在高电压大电流的充电环境下，各种危险信号也随之而来，所预防浪涌等级标准也在不断提升，另外各大手机厂商纷纷将焦点放在尚未开发完全的印度市场，由于印度市场的电网等基础设施较弱，很容易导致手机被EOS损坏，所以手机终端客户在EOS保护方案和防护等级上就提出了更高的要求。

手机端的（8/20μs）浪涌防护等级已经从之前的100V/200V/300V提高到现在的450V要求,有的甚至更高的需求（OVP+TVS）方案。为解决手机端的浪涌防护问题，矽航半导体提供单个分立元器件的V-bus端和V-bat端的浪涌防护方案。目前矽航半导体推出一系列DFN2*2和SOD323系列防浪涌器件，相比较市面上的一些器件，器件箝位电压更低，电流I_PP更大，一致性可靠，其性能远超市面上同类型的产品，为客户提供全面的EOS防护方案。

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产品型号	品类	峰值脉冲电流Ipp(A)	箝位电压(VC)	最小包装	VRWM(V)	Cj(pF)	峰值脉冲功率(W)(tP=8/20μS)	工作温度(℃)	ESD(kV)	封装
XE0603NC5VB	双向ESD保护二极管	8A	12VC	10000	5V	14pF	80W	-55℃ to +125℃	±30kV(air),±30kV(contact)	DFN0603-2L

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