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新电元(Shindengen)公司推出的功率 MOSFET P86F6SN,采用绝缘封装,使用10V栅极驱动,具有低静态导通电阻、低电容的特点。单脉冲雪崩能量高达288mJ,可满足大功率驱动应用需求。
【产品】500V/5A的N沟道功率MOSFET,集成高速二极管
P5F50HP2F是Shindengen推出的功率MOSFET,其总栅极电荷10.5nC,高速源极-漏极二极管反向恢复时间为70ns。
【产品】600V/15A功率 MOSFET,漏源二极管di/dt耐受能力达350A/μs
新电元推出的低电容功率 MOSFET P15FH60HP2,全功率损耗为175W,单脉冲雪崩能量为65mJ,可满足一般电源系统的设计要求,适用于电源故障检测器、电池备用电路等应用。
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很多情况下都选用贴片型MOSFET来设计小功率开关电源电路。但是在开关电源功率和电流升高或者环境温度升高时,MOSFET会发热严重,严重者会造成MOSFET热损坏,本文以新电元(SHINDENGEN)公司推出的一款针对工业化应用的N沟道MOSFET管P8B30HP2为例,介绍怎么计算和设计PCB的铺铜面积,给MOSFET运行时散热,实现对其的过热保护。
【应用】40V/140A LFPACK MOSFET+汽车级驱动芯片助力汽车电子水泵小型化设计
Shindengen推出的 P140LF4QNK 功率MOSFET ,小尺寸,LF PACK封装产品, L*W=5.000mm*6.050mm。
【元件】新电元符合AEC-Q101标准的高耐压900V MOSFET发售,满足车载设备的高ESD耐量要求
新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号,并将于4月发售。本产品通过调整内部结构,实现了HBM 2kV保证和MM 200V保证,满足了车载设备的高ESD耐量要求,由此为提高车载设备的可靠性做出贡献。
【应用】六合一MOSFET功率模块助力EPS逆变设计
恰能解决PCB驱动板面积受限制、封闭性散热难等技术难题的功率模块。
关于IRF2807 MOSFET真假问题,请问导通电阻会不会随电流变化,1.7安电流有55mV以上的压降正常吗?门极电压11.4V。
导通电阻一般不会随电流变化而变化,即使有也很小,导通电阻跟温度有关,成正比例关系。根据你测试的数据,导通电阻有30mΩ,规格书给出25℃的值是13mΩ,相差一倍,驱动波形脉宽小于400us,建议检查下测试环境温度和驱动波形,只要管子工作温度正常,是没什么大碍的。推荐新电元的P82F7R5SN MOSFET,82A/75V,详细资料参考:https://www.sekorm.com/doc/52575.html。
Announcing the launch of an AEC-Q101 compliant high withstand voltage 900V MOSFET, Contributing to Improved Reliability in Vehicle Device Applications
Shindengen will launch new 900V withstand voltage 1A and 2A models in the VX3 Series high withstand voltage MOSFET for vehicle applications in April. These products feature revised internal structures to achieve HBM 2kV guarantee and MM 200V guarantee, and are compatible with the high ESD tolerances required for vehicle device applications.
Shindengen Announced the Launch of High Withstand Voltage 900V Power MOSFET based on AEC-Q101, Optimal for xEV High Voltage DC/DC Converters
Shindengen has launched two new products, the P3FH90VX3 and P5FH90VX3 power MOSFET based on the AEC-Q101 vehicle application reliability standards. The products‘ high withstand voltage of 900V prefers to install main switches and discharge circuit switches for xEV DC/DC converter control power supplies.
【经验】采用MOSFET芯片P8B30HP2设计开关电源输入缓启动电路可防止浪涌电流冲击
SHINDENGEN公司的MOSFET芯片P8B30HP2的栅源电压Vgs和漏极电流Id大,因此电压和电流等级高,不容易损坏,并且留有裕量,可以避免输出功率波动带来的发热问题。SHINDENGEN公司的MOSFET芯片P8B30HP2的导通电阻Rds小,因此发热量和损耗功率小,能够降低温升带来的热故障。SHINDENGEN公司的MOSFET芯片P8B30HP2采用贴片封装,尺寸小。
P85GC28HP2F功率MOSFET 280V,85A,N沟道
描述- 本资料介绍了P85GC28HP2F型号的高压N沟道MOSFET的特性。该器件具有高电压、高速开关、低导通电阻和低电容等特点,适用于各种高压应用。
型号- P85GC28HP2F
新电元(Shindengen)240A大电流小尺寸车规MOSFET应用,助力汽车电机设计——世强硬创沙龙2019
描述- 本资料主要介绍了多种MOSFET产品及其模块,包括开发方针、销售方针、低压MOSFET开发路线图、封装开发路线图等。资料中详细阐述了不同封装类型(如LF、FZ、DPAK TO-252等)的特点和应用,以及针对不同市场的成本控制和产品线扩充策略。此外,还介绍了Shindengen电源模块的标准规格和产品阵容,包括转换器、整流部分、制动部分、逆变部分等,以及电机驱动电源模块和电机驱动转换功率模块等。
型号- MG031Y,MG038A,D45JCT120V,MG038B,MG031V,PSS30S92E6,PSS10S72FT,MG047,MG052A,MG030A,PSS05S72FT,MG038C,MG038D,P240FZ4QNKA,MG030J,PSS35S92F6,D100JHT80V,P211FZ4QMKA,PSS20S92F6,MG030X,D70JHB80V,RD003,RD002,D75JFT80V,MG053A,MG053B,MG054,D100JHT120V,MG031MC,MG031MD,D30JCT120V,PSS35S92E6,MG031E,MG031G,D50JCB80V,PSS30S92F6,MG031S,MG005Z,MG031L,D45JCT160V,PSS20S92E6,MG031N
P240FZ4QNKA功率MOSFET规格
描述- 这份资料是一份关于N沟道增强型Power MOSFET(功率MOS场效应晶体管)的技术规格书。它提供了该器件的绝对最大额定值、电气特性、热特性以及外形尺寸等信息。
型号- P240FZ4QNKA
Shindengen(新电元)汽车级功率MOSFET系列(低压)产品介绍
描述- Power MOSFET Series Low Voltage
型号- P16LD6SBK,P98LF6QNK,P45LD7R5SLK,P12FE7R5SBK,P30FE6SLK,P54LD6SLK,P180FP6SNK,P100FP12SNK,P46LF7R5SLK,P56FP12SNK,P88FP10SNK,P70FP12SNK,P76LD4SLK,P168FP7R5SNK,P40LF12SNK,P50LF10SNK,P20FE12SLK,P25LF12SLK,P105LF4QNK,P64LF6QNK,P140LF4QLK,P32LF10SNK,P175FP4SNK,P40LD6SLK,P23LD10SLK,P8FE10SBK,P72LF7R5SLK,P214FZ6QNKA,P14FE6SBK,P98LF6QLK,LF系列,P173FZ6QNKA,LD系列,P30FE4SLK,FE系列,P13LD7R5SBK,P33LD7R5SLK,P180FP4SNK,P46LF7R5SNK,P22FE4SBK,P211FZ4QNKA,P153FP6SNK,P70FP10SNK,P214FZ4QNKA,P30FE7R5SLK,P40LF12SLK,P50LF10SLK,P25LF12SNK,P126FP10SNK,P64LF6QLK,P140LF4QNK,P26FE10SLK,P58LD4SLK,P32LF10SLK,P9LD10SBK,P105LF4QLK,FP系列,P31LD10SLK,P25LD12SLK,P72LF7R5SNK,P25LD4SBK,P18LD12SLK
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