【产品】内阻低至1mΩ、电流最高240A的MOSFET | 视频

时间： 2021-03-29 来源：世强

技术问答

在2021年3年26日功率器件专场|世强硬创新产品研讨会中，新电元中国孙伟华经理为我们带来新电元公司的新一代MOSFET产品，具有小型化，大电路，低内阻的优点。

内阻低至1毫欧，电流最高240A的MOSFET

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 2
| 转发至：

本文由干饭机器提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（2）

JamesZH Lv5. 技术专家 2023-07-15

学习
江天子 Lv5. 技术专家 2021-05-06

学习

没有更多评论了

【产品】具有低导通阻抗的60V/86A功率 MOSFET

新电元（Shindengen）公司推出的功率 MOSFET P86F6SN，采用绝缘封装，使用10V栅极驱动，具有低静态导通电阻、低电容的特点。单脉冲雪崩能量高达288mJ，可满足大功率驱动应用需求。

新产品发布时间 : 2018-03-05

【产品】600V/15A功率 MOSFET，漏源二极管di/dt耐受能力达350A/μs

新电元推出的低电容功率 MOSFET P15FH60HP2，全功率损耗为175W，单脉冲雪崩能量为65mJ，可满足一般电源系统的设计要求，适用于电源故障检测器、电池备用电路等应用。

新产品发布时间 : 2018-03-04

【产品】高di/dt耐久性的600V/7A功率 MOSFET

新电元（Shindengen）公司推出的功率 MOSFET P7FH60HP2，采用表面贴装（SMD），具有高电压、低电容、高雪崩耐久性、高di/dt耐久性等优点。单脉冲雪崩能量为40mJ，漏源二极管di/dt耐受能力达350A/μs，可满足一般功率驱动应用需求。

新产品发布时间 : 2018-03-05

【经验】如何计算和设计贴片型功率MOSFET的PCB铺铜散热，防止MOSFET过热损坏？

很多情况下都选用贴片型MOSFET来设计小功率开关电源电路。但是在开关电源功率和电流升高或者环境温度升高时，MOSFET会发热严重，严重者会造成MOSFET热损坏，本文以新电元（SHINDENGEN）公司推出的一款针对工业化应用的N沟道MOSFET管P8B30HP2为例，介绍怎么计算和设计PCB的铺铜面积，给MOSFET运行时散热，实现对其的过热保护。

设计经验发布时间 : 2018-08-16

【应用】40V/140A LFPACK MOSFET+汽车级驱动芯片助力汽车电子水泵小型化设计

Shindengen推出的 P140LF4QNK 功率MOSFET ，小尺寸，LF PACK封装产品， L*W=5.000mm*6.050mm。

新应用发布时间 : 2018-01-26

Four MOSFET Have Been Introduced to Help Reduce Size and Power Consumption in A Variety of Mobile Applications

Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. has started mass production of four new models for its EETMOS4 Series lineup of Power MOSFET. This series uses a new structure chip and Cu clip to realize low loss and large current capacity in a 5×6 mm size compact package, greatly contributing to reduced size and lower power consumption for longer operation times in various motor drive circuits, power supply circuits, relay related and other applications in battery driven devices .

产品发布时间 : 2024-07-31

【应用】六合一MOSFET功率模块助力EPS逆变设计

恰能解决PCB驱动板面积受限制、封闭性散热难等技术难题的功率模块。

新应用发布时间 : 2019-07-27

关于IRF2807 MOSFET真假问题，请问导通电阻会不会随电流变化，1.7安电流有55mV以上的压降正常吗？门极电压11.4V。

导通电阻一般不会随电流变化而变化，即使有也很小，导通电阻跟温度有关，成正比例关系。根据你测试的数据，导通电阻有30mΩ，规格书给出25℃的值是13mΩ,相差一倍，驱动波形脉宽小于400us，建议检查下测试环境温度和驱动波形，只要管子工作温度正常，是没什么大碍的。推荐新电元的P82F7R5SN MOSFET，82A/75V，详细资料参考：https://www.sekorm.com/doc/52575.html。

技术问答发布时间 : 2018-09-30

【元件】新电元符合AEC-Q101标准的高耐压900V MOSFET发售，满足车载设备的高ESD耐量要求

新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号，并将于4月发售。本产品通过调整内部结构，实现了HBM 2kV保证和MM 200V保证，满足了车载设备的高ESD耐量要求，由此为提高车载设备的可靠性做出贡献。

产品发布时间 : 2024-03-18

Shindengen Announced the Launch of High Withstand Voltage 900V Power MOSFET based on AEC-Q101, Optimal for xEV High Voltage DC/DC Converters

Shindengen has launched two new products, the P3FH90VX3 and P5FH90VX3 power MOSFET based on the AEC-Q101 vehicle application reliability standards. The products‘ high withstand voltage of 900V prefers to install main switches and discharge circuit switches for xEV DC/DC converter control power supplies.

产品发布时间 : 2023-07-26

Shindengen Launched High Withstand Voltage 900V Power MOSFET P4F90VX3 and P7F90VX3, Reducing Required Snubber Circuits and Optimal for Flyback Circuits

Shindengen has launched the P4F90VX3 and P7F90VX3 power MOSFET for white goods and industrial devices. The products‘ high withstand voltage of 900V increases the degree of freedom of power supply design while also making it possible to reduce the number of required snubber circuits.

产品发布时间 : 2023-07-27

Announcing the launch of an AEC-Q101 compliant high withstand voltage 900V MOSFET, Contributing to Improved Reliability in Vehicle Device Applications

Shindengen will launch new 900V withstand voltage 1A and 2A models in the VX3 Series high withstand voltage MOSFET for vehicle applications in April. These products feature revised internal structures to achieve HBM 2kV guarantee and MM 200V guarantee, and are compatible with the high ESD tolerances required for vehicle device applications.

产品发布时间 : 2024-03-18

【应用】ShinDengen基于MOSFET和驱动IC的电动自行车的电机驱动电路设计参考

电动自行车，作为人们短途出行的首选，是主要由电机驱动的绿色环保型交通工具。本文将基于ShinDengen公司的MOSFET以及驱动IC，简述电动自行车的驱动电路设计，为电动自行车的实际应用提供可行性设计方案。

应用方案发布时间 : 2018-06-23

新电元（Shindengen）240A大电流小尺寸车规MOSFET应用，助力汽车电机设计——世强硬创沙龙2019

型号- MG031Y,MG038A,D45JCT120V,MG038B,MG031V,PSS30S92E6,PSS10S72FT,MG047,MG052A,MG030A,PSS05S72FT,MG038C,MG038D,P240FZ4QNKA,MG030J,PSS35S92F6,D100JHT80V,P211FZ4QMKA,PSS20S92F6,MG030X,D70JHB80V,RD003,RD002,D75JFT80V,MG053A,MG053B,MG054,D100JHT120V,MG031MC,MG031MD,D30JCT120V,PSS35S92E6,MG031E,MG031G,D50JCB80V,PSS30S92F6,MG031S,MG005Z,MG031L,D45JCT160V,PSS20S92E6,MG031N

培训文档-商品应用及供应商介绍 - SHINDENGEN PDF 中文下载

Shindengen Developed Low Withstand Voltage Trench Structure MOSFET EETMOS Compact Package LF Series, Achieving both Lower Ron and Lower Qg

Shindengen has expanded its lineup with the development of the low withstand voltage trench structure MOSFET EETMOS LF Series, which is suited for use in various consumer and vehicle-mounted high current drive circuits, various power supply circuits, relay applications, and more.

产品发布时间 : 2023-08-07