【产品】三款1200V N沟道功率MOSFET，反向恢复时间低至22ns，助力太阳能逆变器应用
罗姆(ROHM)株式会社是全球最知名的半导体厂商之一。罗姆(ROHM)推出的SCT2080KE、SCT2160KE、SCT2280KE三款N沟道功率MOSFET，具有高耐压、低导通电阻、高速开关等优势，易于驱动，符合RoHS无铅标准，是环境友好型器件。主要应用于太阳能逆变器、DC/DC转换器、感应加热、电机驱动、开关模式电源（SCT2160KE、SCT2280KE）等领域。SCT2080KE、SCT2160KE、SCT2280KE N沟道功率MOSFET均采用TO-247的封装方式，其外观图和电路图见图1、图2所示。
图1 SCT2080KE、SCT2160KE、SCT2280K N沟道功率MOSFETE外观图
图2 SCT2080KE、SCT2160KE、SCT2280KE N沟道功率MOSFET电路图
在电气特性方面。当Ta=25℃时，SCT2080KE、SCT2160KE、SCT2280KE N沟道功率MOSFET漏源电压均为1200V，连续漏极电流分别为40A、22A、14A，脉冲漏极电流分别为80A、55A、35A；功耗分别为262W、165W、108W，满足高压大功率电力系统的功率要求。同时，拥有宽广的存储温度范围，均为-55℃~175℃，结温均高达175℃。具有出色的耐高温性能和极强的环境适应能力，满足工业环境应用要求；管壳热阻最大值分别为0.57℃/W、0.91℃/W、1.39℃/W，热传递性能佳，能够有效导出工作产热。在大功率系统中，可确保系统不会因为损耗过大导致结温过高而损坏芯片，更好的应用于高温环境。
除此之外，SCT2080KE、SCT2160KE、SCT2280KE N沟道功率MOSFET的上升时间分别为36ns、25ns、19ns，下降时间分别为22ns、27ns、29ns。其内置二极管的反向恢复时间分别为31ns、26ns、22ns。反向恢复速度快，开关频率高。三款产品的漏极-源极通态电阻典型值分别为80mΩ、160mΩ、280mΩ。导通状态损耗极低，工作效率高。
SCT2080KE、SCT2160KE、SCT2280KE N沟道功率MOSFET特点：
•低导通电阻
•转换速度快
•反向恢复快
•易于驱动
•无铅电镀
•符合ROHS无铅认证
SCT2080KE、SCT2160KE、SCT2280KE N沟道功率MOSFET应用领域：
•太阳能逆变器
•DC / DC转换器
•感应加热
•电机驱动
•开关模式电源（SCT2160KE、SCT2280KE）
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