【选型】国产SIC场效应管P3M171K0G7用于电池化成设备中的辅助电源部分，漏源耐压值高达1700V
电池化成设备的开发过程中，辅助供电部分一般会选用反激变换器方案，普通硅基场效应管在开关频率方面有一定的限制，为了进一步提升开关电源频率提高系统效率以及功率密度，当前选用SIC场效应管是一个有效途径。
派恩杰推出的SIC场效应管P3M171K0G7，不但漏源极耐压值高达1700V，同时漏极电流高达7A，本文就P3M171K0G7从性能参数以及封装大小方面进行分析，从而讨论其作为功率开关用于辅助电源领域的优势。
1、P3M171K0G7性能参数如下：
表1. P3M171K0G7性能参数
由上表可知，P3M171K0G7漏源耐压值高达1700V，十分适合应用于直接从高压母线取电的反激变换器，漏极电流高达7A，满足于大多数辅助电源的输出功率要求，导通内阻低至1Ω同时漏电流小于200μA，能带来更低的开关损耗从而提升系统效率，低至2.2nC的栅源电荷，带来更高的开关频率从而提高系统功率密度降低系统储能器件的成本和体积，-55℃至175℃的工作温度范围，满足工业设计要求。
2、P3M171K0G7封装尺寸如下：
图1. P3M171K0G7封装尺寸
由上图可知，P3M171K0G7为TO-263-7封装，贴片封装直接和PCB板上敷铜贴合提高了散热能力，同时无需额外增加散热装置，在结构体积的控制上以及系统成本控制方面有相当的优势。
综上所述，P3M171K0G7作为SIC场效应管用于电池化成设备中的辅助电源部分，在提高系统效率，功率密度，成本控制方面具备一定的优势。
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产品型号
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品类
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Blocking Voltage(V)
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Package
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RDS(ON) @25℃(mΩ)
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Current Rating(A)
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Qgd(nC)
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Output Capacitance(pF)
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Max Junction Temperature(℃)
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P3M06025K3
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碳化硅场效应管
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650V
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TO247-3
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25mΩ
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97A
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34.7nC
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297pF
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175℃
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