【选型】国产SIC场效应管P3M171K0G7用于电池化成设备中的辅助电源部分，漏源耐压值高达1700V

时间： 2022-06-23 来源：世强

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电池化成设备的开发过程中，辅助供电部分一般会选用反激变换器方案，普通硅基场效应管在开关频率方面有一定的限制，为了进一步提升开关电源频率提高系统效率以及功率密度，当前选用SIC场效应管是一个有效途径。

派恩杰推出的SIC场效应管P3M171K0G7，不但漏源极耐压值高达1700V，同时漏极电流高达7A，本文就P3M171K0G7从性能参数以及封装大小方面进行分析，从而讨论其作为功率开关用于辅助电源领域的优势。

1、P3M171K0G7性能参数如下：

表1. P3M171K0G7性能参数

由上表可知，P3M171K0G7漏源耐压值高达1700V，十分适合应用于直接从高压母线取电的反激变换器，漏极电流高达7A，满足于大多数辅助电源的输出功率要求，导通内阻低至1Ω同时漏电流小于200μA，能带来更低的开关损耗从而提升系统效率，低至2.2nC的栅源电荷，带来更高的开关频率从而提高系统功率密度降低系统储能器件的成本和体积，-55℃至175℃的工作温度范围，满足工业设计要求。

2、P3M171K0G7封装尺寸如下：

图1. P3M171K0G7封装尺寸

由上图可知，P3M171K0G7为TO-263-7封装，贴片封装直接和PCB板上敷铜贴合提高了散热能力，同时无需额外增加散热装置，在结构体积的控制上以及系统成本控制方面有相当的优势。

综上所述，P3M171K0G7作为SIC场效应管用于电池化成设备中的辅助电源部分，在提高系统效率，功率密度，成本控制方面具备一定的优势。

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型号- P3D06010I2,P3D06020F2,P3M06120K4,P3D06010E2,P3D06016I2,P3M171K0G7,P3M173K0T3,P3M06120K3,P3D12010T2,P3D12040K2,P3M12080K4,P3D12040K3,P3M12080K3,P3D06002T2,P3M12040K3,P3D06004T2,P3M12040K4,P3D06006T2,P3D06008T2,P3M12025K4,P3M12080G7,P3M171K0K3,P3D06020I2,P4D06010F2,P3D12005E2,P3D06002G2,P3M06060T3,P3D06004G2,P3D06006G2,P3D06008G2,P6D12002E2,P3M06060G7,P3M171K0T3,P3D12030K3,P3D06010T2,P3D12030K2,P3M06060K3,P3D12015K2,P3M06060K4,P3M173K0K3,P3D06010G2,P4D06020F2,P4D06010I2,P3D06016K3,P3D06006F2,P3D06008F2,P6D06004T2,P3D12020K3,P3M06300D8,P3M06300D5,P3D12020G2,P3D12015T2,P3M12160K4,P3D06020T2,P3D12020K2,P3M12160K3,P3D06020P3,P3D12005K2,P3M12017BD,P3D06010F2,P4D06020I2,P3D06002E2,P3D06006I2,P3D06004E2,P3D06008I2,P3D06006E2,P3D06008E2,P3D12010K2,P3M06025K4,P4D06010T2,P3D12010K3,P3M07013BD,P3D12005T2,P3M06040K4,P3M06040K3,P3M12017K4,P3D06020K2,P3D12010G2,P3M17040K3,P3D06020K3,P3M17040K4

派恩杰 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

派恩杰碳化硅场效应管(SiC MOSFET)选型表

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产品型号	品类	Blocking Voltage(V)	Package	RDS(ON) @25℃(mΩ)	Current Rating(A)	Qgd(nC)	Output Capacitance(pF)	Max Junction Temperature(℃)
P3M06025K3	碳化硅场效应管	650V	TO247-3	25mΩ	97A	34.7nC	297pF	175℃

选型表 - 派恩杰立即选型

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2023-11-15 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

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描述- 该资料介绍了PNJ半导体公司的P3M171K0G7型号碳化硅（SiC）MOSFET器件。这是一种N沟道增强型场效应晶体管，具有高阻断电压和低导通电阻的特点。资料涵盖了最大额定值、电气特性、反向二极管特性、热特性和典型性能等方面。

型号- P3M171K0G7

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P3M06300T3是派恩杰推出的一款增强型N沟道碳化硅场效应晶体管（SiC MOSFET），具有高频工作，低通态电阻和超低Qgd等特性，满足RoHS和无卤要求，可用于太阳能逆变器，开关电源等应用。

2022-05-31 - 新产品代理服务技术支持采购服务

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派恩杰半导体推出的N沟道增强型SiC MOS P3M171K0G7，具有高工作频率，低导通电阻和超低Qgd，满足AEC-Q101车规标准，满足RoHS和无卤要求，适用于太阳能逆变器、电动汽车电池充电器、高压DC/DC转换器、开关电源等领域。

2022-03-29 - 产品代理服务技术支持采购服务

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碳化硅MOS 碳化硅SBD 氮化镓三极管

代理服务线上商城技术资料

国产派恩杰MOSFET经过大量TDDB实验，提供万年使用寿命级别器件

TDDB作为一种评测栅氧可靠性的实验方法，可以检测、评价MOSFET的栅氧质量，基于实验数据还可建立栅氧使用寿命预测模型、栅氧不良品筛选模型。派恩杰作为国内前沿的SiC MOSFEET供应商，每一批量产MOSFET都经过了大量TDDB实验，建立了精确的寿命预测模型。

2021-03-05 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

派恩杰首推2000V SiC MOSFET成功通过HV-H3TRB加严可靠性考核！

产品不停迭代、技术不断升级，派恩杰在2024年第三季度首次推出2000V 45m2 SiC MOSFET产品。本次首推2000V 45mΩ SiC MOSFET已经成功通过HV-H3TRB考核，且经历HV-H3TRB考核后器件各项电性参数均无显著变化，充分证明其在极端运行环境下的优良耐受能力，确保在实际应用中的稳定性和安全性。

2024-11-27 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务