【选型】5G微波网络覆盖的好帮手:CHA2494-QEG宽带微波放大器
5G时代,随着数据传输的速度提升,手机无线信号的频率也达到了40GHz.以北美市场为例,该频段从37GHz到40GHz.这是非常高的微波频率,其空中衰减大了很多,因此微波网络覆盖,必然需要很多信号放大器.这样才能保证用户接收到基站的信号,获得更好的使用体验.根据系统的仿真目标,在天线下来后,我们需要一个增益大于16dB,并且噪声系数3dB的低噪声放大器.考虑到生产工艺的简单性,最好是能提供带有封装的MMIC,而不是裸片。
基于以上的需求,我们找到了UMS公司的宽带微波放大器CHA2494-QEG.UMS公司是欧洲航空和防务市场的顶级MMIC供应商,能提供DC-110GHz的射频芯片. CHA2494-QEG作为宽带微波放大器,其工作频率从34-44GHz,其增益典型值可达22dB,即使在工作频带的高端也有20dB,在整个工作频段其噪声系数的典型值为3dB.而且该芯片采用了24L-QFN封装,使用更方便,电气特性也较裸片更稳定。其主要特性如下
•工作频带:34-44GHz
•噪声系数:3dB
•增益典型值:22dB
•OIP3: 20dBm
•电压电流:Id=80mA@Vd=4V
•封装: 24L-QFN
•防潮等级: MSL1
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【选型】5G微波信号放大设备发射端首选放大器----CHA-3398QDG宽带微波放大器,增益典型值可达22dB
UMS公司作为欧洲航空和防务市场的顶级MMIC供应商,能提供DC-110GHz的射频芯片。CHA3398-QDG是宽带微波放大器,其工作频率从36-43.5GHz,其增益典型值可达22dB,在工作频带的低端如37GHz也有20dB,工作状态可以通过调节Vg来控制。
UMS功率放大器(PA)选型表
UMS提供以下品类和技术指标的放大器产品,频率最高可达105GHz,带宽超过20GHz,Gain(dB):10-38.5,Bias(mA):30-2300,Bias(V):2.5-30.
产品型号
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品类
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RF Bandwidth (GHz)min
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RF Bandwidth (GHz)max
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Gain(dB)
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IP3(dBm)
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P-1dB OUT(dBm)
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Sat. Output Power(dBm)
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PAE(%)
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Bias(mA)
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Bias(V)
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Case
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CHA1008-99F
|
低噪声放大器
|
80
|
105
|
17
|
DC
|
5
|
DC
|
DC
|
115
|
2.5
|
Die
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选型表 - UMS 立即选型
CHA2098B99F 20-40GHz高增益缓冲放大器GaAs单片微波集成电路
描述- 该资料介绍了CHA2098b99F是一款20-40GHz宽带高增益单片微波集成电路(MMIC)。它采用pHEMT工艺制造,具有宽频带性能、低直流功耗和高输出功率等特点。适用于军事和商业通信系统。
型号- CHA2098B99F,CHA2098B99F/00
CHA6354-QQA 27.5-30GHz 4W HPA,采用单刀双掷氮化镓单片微波IC,QFN封装
描述- 该资料详细介绍了CHA6354-QQA,一款27.5-30GHz频段,输出功率达4W的GaN高功率放大器。该放大器采用三阶GaN HEMT技术,内置SPDT开关,具有宽带性能、高线性度、低功耗等特点,适用于卫星通信上行链路和5G通信应用。
型号- CHA6354-QQA
CHA2097a-RoHS兼容20-40GHz可变增益放大器GaAs单片微波集成电路
描述- CHA2097a是一款20-40GHz可变增益宽带三阶单片微波集成电路。该芯片适用于从军事到商业通信系统的广泛应用,采用pHEMT工艺制造,具有宽频带性能、高增益控制范围和低直流功耗等特点。
型号- CHA2097A99F/00,CHA2097A
CHA3396-QDG 27-33.5GHz中功率放大器砷化镓单片微波集成电路SMD无铅封装
描述- 该资料介绍了CHA3396-QDG是一款27-33.5GHz频段的单片微波功率放大器,采用pHEMT工艺制造。它具有宽带性能,输出功率为19dBm,增益为22dB。适用于军事和商业通信系统等多种应用。
型号- CHA3396-QDG/21,CHA3396-QDG/20,CHA3396-QDG/XY,CHA3396-QDG
CHA6682-QKB 24-27.5GHz 4W线性功率放大器氮化镓单片微波集成电路,采用QFN封装
描述- 该资料介绍了UMS公司的CHA6682-QKB GaN Monolithic微波集成电路(MMIC),一款适用于VSAT、卫星通信、5G通信和雷达应用的宽带高功率放大器。该芯片具有高性能和高线性度,低功耗,内置射频功率检测器。
型号- CHA6682-QKB/XY,CHA6682-QKB
CHA2069-99F 18-31GHz低噪声放大器GaAs单片微波集成电路
描述- 该资料介绍了CHA2069-99F是一款18-31GHz的低噪声放大器(LNA),采用pHEMT工艺制造。其主要特点是宽带性能、低噪声系数、高增益和平坦的增益特性,适用于各种无线通信系统。
型号- CHA2069-99F,CHA2069-99F/00
CHA6015-99f2-8GHz高功率放大器GaAs单片微波集成电路
描述- 该资料介绍了CHA6015-99F是一款2-8GHz频段的高功率放大器(HPA),适用于国防应用和各种微波系统。它采用pHEMT工艺制造,具有宽带的性能、线性增益和较高的输出功率。
型号- CHA6015-99F/00,CHA6015-99F
CHA8612-QDB 18W X波段高功率放大器单片SMD无引线氮化镓微波集成电路
描述- 该资料介绍了CHA8612-QDB是一款工作在7.9至11GHz频段的18W X-Band高功率放大器。它采用GaN HEMT工艺制造,具有宽带性能、高输出功率和高效率等特点,适用于军事和商业雷达及通信系统。
型号- CHA8612-QDB/XY,CHA8612-QDB,CHA8612-QDB/21,CHA8612-QDB/20
采用贴片无铅封装的CHA3395-qdg21-29.5GHz中功率放大器GaAs单片微波集成电路
描述- 该资料介绍了CHA3395-QDG是一款21-29.5GHz频段的单片微波集成电路(MMIC),具有中等功率放大功能。它采用pHEMT工艺制造,具备宽带的性能,输出功率为20dBm,增益为24dB。适用于军事和商业通信系统等多种应用。
型号- CHA3395-QDG
CHA3092-99F 20-33GHz中功率放大器GaAs单片微波集成电路
描述- 该资料介绍了CHA3092-99F是一款20-33GHz宽带四级单片微波功率放大器,适用于军事和商业通信系统。芯片背面为RF和DC接地,简化了组装过程。内置测试(BIT)监控代表微波输出功率的直流电压。
型号- CHA3092-99F,CHA3092-99F/00
CHA6357-QKB 27-31 GHz 4W功率放大器SMD无铅封装氮化镓单片微波IC
描述- 该资料介绍了UMS公司的CHA6357-QKB GaN单片微波集成电路(MMIC),这是一款27-31 GHz带宽内的4W功率放大器。它适用于VSAT、卫星通信上行链路和5G通信应用。该芯片具有宽带性能,线性增益为28dB,饱和输出功率为36dBm,效率高达20%。内部匹配输入和输出至50欧姆,并集成了ESD射频保护。
型号- CHA6357-QKB/XY,CHA6357-QKB
CHA3666-99f6-17GHz低噪声放大器GaAs单片微波集成电路
描述- 该资料介绍了CHA3666-99F是一款6-17GHz低噪声放大器,采用标准pHEMT工艺制造。具有宽带性能、低噪声系数、高增益、低功耗等特点。
型号- CHA3666-99F/00,CHA3666-99F
CHA3689-99F符合RoHS标准的12.5-30GHz低噪声放大器GaAs单片微波集成电路
描述- 该资料介绍了CHA3689-99F是一款12.5-30GHz的低噪声放大器(LNA),采用pHEMT工艺制造。它具有宽带性能、低噪声系数和高增益等特点,适用于军事和商业通信系统。
型号- CHA3689-99F,CHA3689-99F/00
电子商城
品牌:UMS
品类:GaAs Monolithic Microwave IC
价格:¥169.1086
现货: 1,503
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