【产品】集成N沟道和P沟道的增强型MOSFET AS2003M，具有沟槽工艺技术，适用于电池保护和开关应用
安邦推出的AS2003M是一款集成N沟道和P沟道的增强型MOSFET，具有先进的沟槽工艺技术，高密度单元设计可实现超低导通电阻。存储温度范围为–55℃~+150℃，结温150℃，适用于电池保护和开关应用场合。
产品特征：
●先进的沟槽工艺技术
●高密度单元设计，可实现超低导通电阻
产品应用：
●电池保护
●开关应用
绝对最大额定值：
(Ta=25℃，除非另有说明
N沟道电气特性：
(TA=25℃，除非另有说明)
P沟道电气特性：
(TA=25℃，除非另有说明)
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