【应用】具有SIC MOS管保护的SIC驱动芯片SIC1182K助力汽车新能源，可提供8A的峰值驱动电流

时间： 2020-02-18 来源：世强

技术问答

随着目前新能源汽车的发展，SIC MOS管得到广泛运用，PI推出的SIC1182K SIC驱动芯片，能够很好满足目前对SIC MOS管设计时的过流及短路保护的功能；像新能源电驱，OBC及车载DC-DC中涉及到的SIC MOS管都可以用SIC1182来驱动，具有设计电路简单，保护功能齐全的特点。

图1为SIC驱动芯片SIC1182K的引脚功能示意图，如下：

图1 驱动芯片SIC1182K引脚功能示意图

针对新能源汽车中涉及到的SIC MOS管，SIC1182K可以满足600V/650V/1200V的SIC需求。优势如下：

1. 相比其它的驱动芯片，SIC1182K可以提供8A的峰值驱动电流，设计者无需在驱动电路的输出侧加推挽电路来驱动SIC MOS管，并且可以实现1拖几颗并联MOS管需求。

2. 针对设计者关心的开关频率，SIC1182K可以提供150KHz的开关频率，满足目前绝大部分的SIC MOS管驱动频率需求。

3. 针对设计驱动隔离等级的需求，SIC1182K的爬电和电气间隙为9.5mm，属于加强绝缘；

4. 驱动电路上相比其它驱动设计，SIC1182K驱动电路设计简单，副边只需要单电源供电，通过芯片的LDO可以实现稳压功能，相比其它芯片需要设计正负电源有优势；

5. 另外芯片通过SNS引脚实现对SIC MOS管的过流或短路保护户功能，另外也可以通过TVS有源钳位实现过压保护；

6. 另外该芯片提供欠压保护，工作温度满足-40℃-125℃的宽工作温度范围，都可以保障芯片的工作可靠性；

通过以上，SIC驱动芯片SIC1182K针对SIC MO管的驱动，可以为SIC MOS管在新能源汽车运用中提供高可靠性，又带来相对简单的设计，是一款性价比高带保护功能的SIC MOS管驱动芯片。

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