【产品】用TO-247封装的N沟道SiC MOSFET ASC100N1200MT3,适用于开关电源

2022-08-23 爱仕特
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ASC100N1200MT3爱仕特推出的一款N沟道SiC MOSFET,采用TO-247封装,在Tc=25℃的条件下,漏源电压为1200V。碳化硅(SiC)MOSFET使用了一种全新的技术,与硅相比,它提供了优越的开关性能和更高的可靠性。此外,其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。因此,系统的优点包括最高的效率、更快的工作频率、增加功率密度、降低电磁干扰和减小系统尺寸。



特点

低电容高速开关

高阻断电压,低导通电阻

易于并联,驱动简单

符合ROHS标准,无卤素


应用

EV电机驱动

高压DC/DC转换器

开关电源

太阳能逆变器

电动汽车充电


绝对最大额定值(Tc=25℃)

电气特性(TJ=25℃,除非另有说明)

典型性能—静态

订购信息

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
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产品型号
品类
Package
Voltage(V)
RON(mohm)
Temperature Range(℃)
Status
ASC8N650MT3
SiC Chips
TO-247-3
650V
320mohm
-40~175℃
Development

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型号- ASC20N650MT3,ASC100N1200MD10,ASC800N1200,ASC700N1200,ASC12N650MT3,ASC100N1700MT3,ASC100N900MT3,ASC100N900MT4,ASC10N1200MT3,ASC5N1700MT3,ASC1000N900,ASC60N650MD8,ASC30N1200MT3,ASC30N1200MT4,ASC100N650MT3,ASC100N650MT4,ASC18N1200MT3,ASC60N1200MT4,ASC60N1200MT3,ASC20N3300MT4,ASC60N650MT3,ASC60N900MT4,ASC60N650MT4,ASC60N900MT3,ASC600N1200,ASC100N1200,ASC300N1200,ASC60N1200MD8,ASC100N1200MT3,ASC100N1200MT4,ASC8N650MT3,ASC5N1200MT3,ASC1000N1200

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型号- LSIC1MO120E0080,SIC1MO120E0080

1/28/2022  - LITTELFUSE  - 数据手册 代理服务 技术支持 采购服务 查看更多版本
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