【产品】用TO-247封装的N沟道SiC MOSFET ASC100N1200MT3，适用于开关电源
ASC100N1200MT3是爱仕特推出的一款N沟道SiC MOSFET，采用TO-247封装，在Tc=25℃的条件下，漏源电压为1200V。碳化硅（SiC）MOSFET使用了一种全新的技术，与硅相比，它提供了优越的开关性能和更高的可靠性。此外，其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。因此，系统的优点包括最高的效率、更快的工作频率、增加功率密度、降低电磁干扰和减小系统尺寸。
特点
低电容高速开关
高阻断电压，低导通电阻
易于并联，驱动简单
符合ROHS标准，无卤素
应用
EV电机驱动
高压DC/DC转换器
开关电源
太阳能逆变器
电动汽车充电
绝对最大额定值（Tc=25℃）
电气特性（TJ=25℃，除非另有说明）
典型性能—静态
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爱仕特SiC Chips选型表
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产品型号
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品类
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Package
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Voltage（V）
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RON(mohm)
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Temperature Range(℃)
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Status
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ASC8N650MT3
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SiC Chips
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TO-247-3
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650V
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320mohm
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-40~175℃
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Development
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选型表 - 爱仕特 立即选型
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定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
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