【产品】SOT-563塑封双路N沟道MOSFET 2N7002V，可用于便携式设备的负载开关和DC/DC转换器

时间： 2020-11-11 来源：长晶科技

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长晶科技推出的2N7002V是SOT-563塑封双路N沟道MOSFET，具有低导通电阻、低栅极阈值电压、低输入电容、快速开关和低输入/输出漏电流的特点。可用于便携式设备的负载开关和DC/DC转换器。器件的漏源电压最大额定值为60V；栅源电压最大额定值为±20V。器件的漏极电流最大额定值为115mA；耗散功率最大额定值为150mW。输入电容最大值为50pF（V_DS=25V, V_GS=0V,f=1MHz），栅极阈值电压最大值为2.5V（V_DS=V_GS, I_D=250μA）。器件具有低导通电阻，V_GS=10V，I_D=500mA条件下的漏源导通电阻最大值仅为2.5Ω；V_GS=5V，I_D=50mA条件下的漏源导通电阻最大值仅为3Ω。器件的结温最大可达150^oC；存储温度范围为-55~150^oC，能够在不同温度环境下工作。

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产品型号	品类	Type	Process	ESD（Yes/No）	VDS（V）	ID（A）	RDS(mΩ)@VGS10V Max	RDS(mΩ)@VGS4.5V Max
2N7000_TO-92	Trench MOS	Single-N	Trench	No	60V	0.2A	5000mΩ	6000mΩ