【产品】漏源电压650V、导通电阻低至60mΩ的国产N通道SiC MOSFET
ASC30N650MT3是爱仕特公司推出的一款N通道SiC MOSFET，漏源电压650V，使用全新技术，与硅相比具备更出色的开关性能和更高的可靠性，导通电阻低至60mΩ，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷，其优势包括更高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的EMI以及更小的系统尺寸。如图1为其外观和内部结构示意图。
图1 外观和内部结构示意图
Tc=25℃时，ASC30N650MT3的各绝对最大额定值如下表：
在TJ=25℃条件下，ASC30N650MT3的典型静态特性如下表：
此外，在VDS=600V、f=1MHZ、VAC=25mV条件下，ASC30N650MT3的输入电容Ciss典型值为1138pF，输出电容Coss典型值为88.8pF，反向传输电容Crss典型值为9.6pF。下图2为其输出特性（TJ=25℃左图，TJ=150℃右图），下图3为其传输特性。
图2 输出特性（TJ=25℃左图，TJ=150℃右图）
图3 传输特性
主要特性：
· 低电容高速开关
· 高阻断电压，低RDS(on)
· 易于并联，驱动简单
· 符合ROHS标准，无卤素
应用领域：
· 电动汽车充电
· DC/DC转换器
· 开关模式电源
· 功率因数校正模块
· 太阳能光伏逆变器
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