【应用】700V/3A的N沟道MOSFET TPD70R1K5M运用于反激式转换器，可提高电源工作效率

时间： 2019-12-26 来源：世强

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通常反激式转换器包括很少部件，适用于笔记本电脑和手机电源，具体电路如下图所示。由于交换节点的电压峰值较高，因此MOS的耐压要高。由于MOS与感性负载连接，异常情况下，EAS能力要求高。另外为了能效要求，MOS管损耗要低。无锡紫光微电子的封装为TO-252、漏-源电压最大额定值为700V，连续漏极电流最大额定值为3A的N沟道MOSFET TPD70R1K5M，运用于反激电源如下红框所示，可以满足上述要求。

紫光微TPD70R1K5M运用于反激电源具有如下特点：

1、漏-源电压最大额定值为700V，满足笔记本电脑和手机电源直流电压需求；

2、在IAS = 0.6A，VDD = 50V，RG = 25Ω，Starting TJ = 25°C时测得的雪崩能量（EAS）为 26mJ，使电源更容易通过雷击测试，为电源抗冲击能力提供有效保障；

3、寄生体二极管具有软恢复特性，trr典型值为155nS，可有效降低电流尖峰；

4、超低导通电阻（1.5Ω）和结电容（1.3nC），有效降低导通损耗和开关损耗，发热小，效率高，可以适应更高的开关频率；

5、抗线路干扰能力强，门极电阻5.5Ω，只需使用较低阻值的驱动电阻，也不会损坏MOSFET。

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产品型号	品类	V(BR)DSS(V)	ID(A)	RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Typ(Ω)	RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Max(Ω)	V(GS)thmin(V)	V(GS)thmax(V)	Ciss(pF)	Qg(nC)	封装
TTD30N10AT	N-Channel Trench MOSFET	100	20	22	27	1	2.4	4529	37	TO-252

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