【产品】60V/50A N沟道增强型功率MOSFET RM50N60LDV

时间： 2019-11-18 来源：丽正国际

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RM50N60LDV是丽正国际推出的一款采用TO-252-2L封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻R_DS(ON)、低栅极电荷，广泛适用于多种应用。

在T_C=25°C时，RM50N60LDV可以承受的漏源电压最大额定值为60V，栅源电压最大额定值为±20V，漏极连续电流最大额定值为50A，漏极脉冲电流最大额定值为200A，最大功率耗散为85W，单次脉冲雪崩能量最大额定值为300mJ，结温和储存温度范围为-55~175℃，结壳热阻典型值为1.8℃/W。

产品特性
•V_DS=60V,I_D=50A

R_DS(ON) <20mΩ @ V_GS=10V

•高密度单元设计，可实现超低R_DS(ON)

•雪崩电压和电流具有完美表现

•高E_AS，具有良好的稳定性和一致性

•优良的封装，良好的散热性能

•特殊工艺技术可实现高ESD能力

•经过100％UIS测试

•经过100％ΔVds测试

应用领域

·电源切换应用

·硬开关和高频电路

·不间断电源

·无卤素应用

·P/N后缀V表示AEC-Q101认证，例如：RM50N60LDV

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用户56731903 Lv9. 科学家 2019-11-19

学习一下！！！

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