【产品】60V/50A N沟道增强型功率MOSFET RM50N60LDV
RM50N60LDV是丽正国际推出的一款采用TO-252-2L封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，广泛适用于多种应用。
在TC=25°C时，RM50N60LDV可以承受的漏源电压最大额定值为60V，栅源电压最大额定值为±20V，漏极连续电流最大额定值为50A，漏极脉冲电流最大额定值为200A，最大功率耗散为85W，单次脉冲雪崩能量最大额定值为300mJ，结温和储存温度范围为-55~175℃，结壳热阻典型值为1.8℃/W。
产品特性
•VDS =60V,ID =50A
RDS(ON) <20mΩ @ VGS=10V
•高密度单元设计，可实现超低RDS(ON)
•雪崩电压和电流具有完美表现
•高EAS，具有良好的稳定性和一致性
•优良的封装，良好的散热性能
•特殊工艺技术可实现高ESD能力
•经过100％UIS测试
•经过100％ΔVds测试
应用领域
·电源切换应用
·硬开关和高频电路
·不间断电源
·无卤素应用
·P/N后缀V表示AEC-Q101认证，例如：RM50N60LDV
订购信息
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 1
本文由翻译自丽正国际，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】60V/20A N沟道增强型功率MOSFET RM20N60LD，采用TO-252-2L封装
丽正国际推出N沟道增强型功率MOSFET，型号为RM20N60LD，采用先进的沟槽技术，采用TO-252-2L封装，具有低导通电阻和低栅极电荷，该产品应用范围较广。参数最大额定值如下：漏极-源极电压为60V，栅极-源极电压为±20V，漏极连续电流分别为20A（TC=25℃）和14A（Tc=100℃），漏极脉冲电流为60A，最大耗散功率为45W，单次脉冲雪崩能量为72mJ。
【产品】TO252-2封装、30V/50A的N沟道增强型功率MOSFET AM4102
AiT公司的N沟道增强型功率MOSFET AM4102，提供TO252-2封装，优异的散热包装，漏源极电压30V，栅源极电压±20V，连续漏极电流为50A。AM4102采用了先进的沟槽技术和设计，以提供极好的RDS(ON)和较低的门电荷，它可以用于各种各样的应用。
【产品】40V/40A的N沟道增强型功率MOSFET RM40N40DF，采用DFN5X6-8L封装
RM40N40DF是丽正国际推出的一款采用DFN5X6-8L封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，广适用于多种应用。
AO4410 N沟道增强型功率MOSFET
描述- AO 4410是一款采用先进沟槽技术的N沟道增强型功率MOSFET，具有低RDS(ON)和低栅极电荷的特点。该产品适用于多种应用，包括电源开关、硬开关和高频电路，以及不间断电源。
型号- AO4410
NCE0106AR NCE N沟道增强型功率MOSFET
描述- NCE0106AR是一款采用先进沟槽技术的N-Channel增强型功率MOSFET，具有低导通电阻和低栅极电荷的特点。该器件适用于多种电源开关应用，包括硬开关和高频电路，以及不间断电源。
型号- NCE0106AR
RMD50N40DF N沟道增强型功率MOSFET\n
描述- 该资料介绍了RMD50N40DF型号的N沟道增强型功率MOSFET。它采用先进的槽技术设计，提供优异的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
型号- RMD50N40DF
HM4410B N沟道增强型功率MOSFET
描述- HM4410B是一款采用先进沟槽技术的N-Channel增强型功率MOSFET，具有低导通电阻和低栅极电荷，适用于多种电源开关应用，包括硬开关和高频电路，以及不间断电源。
型号- HM4410B
【产品】采用DFN5X6-8L封装的N沟道增强型功率MOSFET RM100N60DFV，可提供优良的低导通电阻
RM100N60DFV是丽正国际推出的一款采用DFN5X6-8L封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，该产品适用于多种应用。
HM4830A双通道N沟道增强型功率MOSFET
描述- 该资料详细介绍了HM4830A双通道增强型功率MOSFET的特性。该器件采用先进的沟槽技术，提供优异的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用，包括电源开关应用、硬开关和高频电路以及不间断电源。
型号- HM4830A
RMD20N60DFV N沟道增强型功率MOSFET
描述- 该资料介绍了RMD20N60DFV N沟道增强型功率MOSFET的特性。它采用先进的槽技术设计，提供优异的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用。主要特性包括高密度单元设计、良好的稳定性和均匀性、优秀的散热性能和高ESD能力。
型号- RMD20N60DFV
【产品】高密度单元设计的60V/5A N沟道增强型功率MOSFET RM6005AR，可提供优良的低导通电阻
RM6005AR是丽正国际推出的一款采用SOT-223-3L封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，广泛适用于多种应用。
RM100N40DFV N沟道增强型功率MOSFET
描述- RM100N40DFV是一款采用先进沟槽技术的N通道增强型功率MOSFET，具有低栅极电荷和优异的RDS(ON)特性。适用于多种应用，包括负载切换、硬切换和高频电路以及不间断电源。
型号- RM100N40DFV
【产品】40V/120A 采用TO-252-2L封装的N沟道增强型功率MOSFET RM120N40LDV
丽正国际推出的RM120N40LDV是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽技术和设计，导通电阻小、栅极电荷低，应用范围较广。在TC=25°C时，RM120N40LDV可以承受的极限漏源电压为40V，极限栅源电压为±20V，可以承受的极限漏极连续电流为120A，结温和储存温度范围为-55~175℃，结壳热阻为1.25℃/W。RM120N40LDV采用TO-252-2L封装。
RM110N55T7 N沟道增强型功率MOSFET
描述- 该资料介绍了RM110N55T7型N沟道增强模式功率MOSFET的特性。它采用先进的槽技术设计，提供优异的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用。主要特性包括高ESD能力、超低Rdson、全表征雪崩电压和电流、良好的稳定性和均匀性以及优秀的散热封装。
型号- RM110N55T7
RM0103 N沟道增强型功率MOSFET
描述- RM0103是一款采用先进沟槽技术的N通道增强型功率MOSFET，具有低栅极电荷和优异的RDS(ON)特性。适用于多种应用，包括硬开关和高频电路，以及不间断电源等。
型号- RM0103
电子商城
品牌：丽正国际
品类：N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
价格：￥0.1576
现货： 5,000
品牌：丽正国际
品类：N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
价格：￥0.1576
现货： 5,000
服务
可定制ATP TE Cooler的冷却功率：40~200W；运行电压：12/24/48V(DC)；控温精度：≤±0.1℃； 尺寸：冷面：20*20~500*300；热面：60*60~540*400 （长*宽；单位mm）。
最小起订量： 1 提交需求>
可来图定制热管最薄打扁厚度0.35±0.05mm；笔电D8热管打扁厚度1.0mm，可解40W热量；高功率D10热管可解60W热量。
最小起订量： 10000 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论