【产品】漏源电压为600V的超结功率MOSFET器件AKS60N300WMF，漏源导通电阻最大值为30mΩ

时间： 2023-02-02 来源：瑶芯微

代理服务

技术支持

现货查询

批量订货

瑶芯微是一家致力于功率器件和智能传感器的设计、研发和销售的企业，其推出的超结功率MOSFET器件AKS60N300WMF具有良好的FOM性能，优化了用户应用的EMI。T_A=25℃时的最大额定值参数：漏源电压为600V，栅源电压为±30V，连续漏极电流为80A（T_C=25℃），工作和存储温度范围为-55℃~+150℃。

产品特征：

• 低FOM R_DS(ON)×Q_G

• 优化EMI

• 100% UIS测试

• 符合RoHS认证

• 无卤素

应用领域：

• 开关电源 (SMPS)

• 不间断电源 (UPS)

• 功率因数校正(PFC)

关键性能参数：

订购信息：

最大额定值（除非另有说明，T_A=25℃）

热特性：

注释：

最大漏极电流额定值受封装和最高结温限制
重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制
L=80mH，V_DD=100V，I_AS=8A，R_G=25Ω，初始T_J=25℃，设计保证
安装在最小印刷电路板布局上

电气特性（T_J=25℃，除非另有说明）

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由LassieL翻译自瑶芯微，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

【产品】650V/190mΩ的超结功率MOSFET AKS65N1K9DM，具有低FOM性能，无卤且符合RoHS标准

瑶芯微推出型号为AKS65N1K9DM的超结功率MOSFET，该器件能为客户应用提供良好的FOM性能以及更好的EMI(电磁干扰)特性，器件漏-源电压最大额定值为650V，持续漏极电流最大额定值高达20A。

2022-12-15 - 产品代理服务技术支持现货查询批量订货

【产品】瑶芯微推出超结功率MOSFET AKS65N6K0FM，漏源电压最大额定值高达650V，EMI特性更优

瑶芯微推出型号为AKS65N6K0FM的超结功率MOSFET，该器件能为客户应用提供良好的FOM性能，特别对于SMPS（开关电源）应用具有更优的EMI（电磁干扰）特性。

2023-02-03 - 产品代理服务技术支持现货查询批量订货

【产品】采用TO-247-3L封装的超结功率MOSFET器件AKS60N290WMF，漏源电压最大额定值为600V

瑶芯微是一家致力于功率器件和智能传感器的设计、研发和销售的企业，其推出的超结功率MOSFET器件AKS60N290WMF，采用TO-247-3L封装；对于开关电源（SMPS）应用具有良好的FOM性能和更优的EMI特性。

2023-01-05 - 产品代理服务技术支持现货查询批量订货

【应用】国产超结功率MOSFET AKS65N410WMF助力20KW充电模块全桥LLC设计，RDson最大41mΩ

由于全球疫情以及其他因素导致功率器件交期和价格不是很理想，国产化的需求越来越多，本文重点介绍国产瑶芯微超结MOSFETAKS65N410WMF助力20KW充电模块全桥LLC设计，最高效率可达96.5%。

2022-05-27 - 应用方案代理服务技术支持现货查询批量订货

AK2S65N590WMF 650V 59mohm Super-Junction Power MOSFET DATASHEET

型号- AK2S65N590WMF

2024/10/10 - 瑶芯微 - 数据手册 - Rev.1.1 代理服务技术支持现货查询批量订货

【产品】650V 超结功率MOSFET TPA65R100MFD，漏源电压高达650V（VGS=0V）

超结功率MOSFET是一种基于SJ原理设计的高压功率MOSFET的革命性技术。Multi-EPI SJ MOSFET提供了非常快速且耐用的体二极管。还提供了一种极低损耗开关、高可靠的通信和传导器件，使其在工业级应用中更可靠，更高效，更轻，发热更少。TPA65R100MFD是无锡紫光微电子推出的一款超结功率MOSFET，采用TO-220F封装，漏源电压高达650V

2020-10-06 - 新产品代理服务技术支持现货查询批量订货

瑶芯微超级结MOSFET选型表

瑶芯微（ALKAIDSEMI）提供如下超级结MOSFET产品的技术选型，MP Status，VDS(V)范围：+600~+650，30V-Vgs，ID(A)范围: +3~+80；Vth(V)范围：+3.3~+4....瑶芯微的超级结MOSFET产品具有TO-200、TO-247、TO-252等多种封装形式可广泛应用于汽车、电动汽车充电站、充电桩、光伏逆变器、储能系统等领域。

选型表 - 瑶芯微立即选型

AK3S65N370WMF 650V 37mohm Super-Junction Power MOSFET DATASHEET

型号- AK3S65N370WMF

2024/3/11 - 瑶芯微 - 数据手册 - Rev.1.0 代理服务技术支持现货查询批量订货

【产品】TO-247封装的600V超结功率MOSFET TPW60R090MFD，导通电阻最大仅0.09Ω

TPW60R090MFD是一款漏源电压为600V的超结功率MOSFET，采用TO-247封装，尺寸较小。该产品具有超快速体二极管和极低的品质因数，通过了100％雪崩测试，符合RoHS标准，主要用于开关电源、不间断电源和功率因数校正。

2019-10-11 - 新产品代理服务技术支持现货查询批量订货

瑶芯微（ALKAIDSEMI）提供如下High-Voltage MOSFET产品的技术选型，ID（A）范围：+2A~+100A；BVdss(V)范围：+600V~+700V;Vgs(±V)：+30V；Vth(±V)范围：+3.3V~+4V；Rds-on(mΩ）Typ.(FT）10V Typ范围：+17V~+2000V,瑶芯微的High-Voltage MOSFET产品具有TO-247、DFN8*8、TO-252等多种封装形式可广泛应用于家电、工业变频、车载逆变、工控、新能源等领域。

产品型号	品类	N/P	ESD	ID（A）	BVdss(V)	Vgs(±V)	Vth(±V)	Rds-on(mΩ）Typ.(FT）10V Typ	Rds-on(mΩ）Typ.(FT）10V Max	package	status
AKS60N220WMF	High-Voltage MOSFET	N	N	100	650	30	3.8	17	22	TO-247	ENG

选型表 - 瑶芯微立即选型

AKS65N1K9PMF 650V 190mohm Super-Junction Power MOSFET DATASHEET

型号- AKS65N1K9PMF

2024/10/10 - 瑶芯微 - 数据手册 - Rev.1.0 代理服务技术支持现货查询批量订货

TPA90R350A,TPB90R350A,TPP90R350A,TPW90R350A 900V Super-junction Power MOSFET

型号- TPA90R350A,TPB90R350A,TPW90R350A,TPP90R350A

2020/7/6 - 无锡紫光微 - 数据手册 - V1.0 代理服务技术支持现货查询批量订货

AKS60N300WMF 600V 30mohm Super-Junction Power MOSFET DATASHEET

型号- AKS60N300WMF

2024-03-20 - 瑶芯微 - 数据手册 - REV. 1.5 代理服务技术支持现货查询批量订货

AKS60N300WMF-30 600V 26.5mohm Super-Junction Power MOSFET DATASHEET

型号- AKS60N300WMF,AKS60N300WMF-30

2024-03-04 - 瑶芯微 - 数据手册 - REV. 1.0 代理服务技术支持现货查询批量订货

【产品】650 V超结功率MOSFET TPU65R600M，根据SJ原理设计，符合RoHS标准

无锡紫光微电子推出的超结功率MOSFET TPU65R600M，超结功率MOSFET是根据SJ原理设计的高压功率MOSFET的一项革命性技术。 SJ MOSFET是一款性价比最佳的产品，由无Wuxi Unigroup Microelectronics公司设计，能够针对消费和照明市场中对成本敏感的应用提供支持。