【产品】符合汽车级芯片温度要求的肖特基势垒二极管,泄漏电流最大值仅0.1mA

2018-01-02 Kyocera(世强编辑整理) 张山三
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NA03HSA08KYOCERA(京瓷)半导体公司推出的一款低IRM高品质肖特基势垒二极管,其反向峰值电流最大值仅0.1mA(VRM=VRRM,Tj=25℃),可将因电流泄露而造成的危害降到最小。器件的转移特性曲线如图一所示,主要可用于二次侧整流、DC / DC转换器和防反二极管等应用。

 

图一:NA03HSA08肖特基二极管的转移特性曲线


NA03HSA08肖特基二极管的正向浪涌峰值电流IFSM最大值可达80A,可避免器件被来自电力线或系统内部的浪涌冲击损坏,保证器件稳定可靠。反向重复峰值电压VRRM为80V,远高于同类势垒二极管,能够满足用户的不同需求。在正向电流IFM为3.0A,温度为25℃时,其正向峰值电压VFM最大值仅为0.70V,可降低所需电压的条件,有利于电路启动。


NA03HSA08肖特基二极管采用NA(DO221BC)低剖面封装,符合RoHS标准,拥有较小的尺寸及较低的封装高度,给应用印制板节省了宝贵的空间。它采用环氧树脂封装胶(UL94V-0认可),节能环保,且拥有极低的结壳热阻,Rth最大仅13℃/W,有效提高了能源利用效率。器件的操作结温和存储温度范围在-40℃~150℃,符合汽车级芯片温度要求,能够适应较为恶劣的工业环境。


NA03HSA08的主要特点:
•低反向峰值电流IRM:最大值仅0.1mA(VRM=VRRM,Tj=25℃)
•高反向重复峰值电压:VRRM=80V
•极高正向浪涌峰值电流:IFSM最大值为80A
•低正向峰值电压VF:最大值0.70V(IFM=3A ,Tj=25℃)
•高频率操作
•符合RoHS标准
•低结壳热阻:Rth最大仅13℃/W
•低剖面封装:封装高度为0.92mm
•采用环氧树脂封装胶(UL94V-0认可)
•符合汽车级芯片温度要求:-40℃~150℃


NA03HSA08的主要应用:
•二次侧整流
•DC / DC转换器
•防反二极管

图二:NA03HSA08的样品示意图

 

技术顾问:刘一分

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  • 用户31041885 Lv6. 高级专家 2018-11-11
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  • 崇乾 Lv8. 研究员 2018-09-04
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  • 用户18396822 Lv8 2018-06-10
    很好
  • 辛巴 Lv8. 研究员 2018-06-02
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  • 加油小陈 Lv8. 研究员 2018-05-30
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