【应用】封装DFN3333低压MOSFET YJS3622A用于精小型电动切断球阀,输出电流30A,RDSON仅13mΩ
精小型切断球阀结构为电动执行机构+切断球阀,用于石化、电力行业控制高粘度、带有纤维性和含有颗粒的介质,整机可靠性高。其结构紧凑、重量轻、体积小、装拆维护方便。
电动切断球阀的电动执行机构,通常采用小型电机驱动来驱动BLDC电机架构,要求体积小,驱动能力强,MOS电流20A-25A。
扬杰低压MOSFET YJS3622A 采用低压大电流双N-MOS和小封装,低RDSON非常适合在此领域设计,某电动阀门厂采用此设计样机在实验室已经通过极限压力测试。
精小型电动切断球阀实物图及精小型电动切断球阀系统框图
YJS3622A特性
由于此项目对于阀门电机驱动要求高性能,小体积,BLDC电机则需要6个MOS组成三相全桥,最大额定电流要求25A,采用3个双N-MOS DFN3333封装设计比6个分离MOS设计体积更小,占用PCB空间更小,而YJS3622A 额定电流达30A,满足对于大电流需求, RDSON 仅13mΩ,低RDSON保证了长期工作发热量小,可靠性高;用集成MOS的驱动芯片尽管体积更小,但目前性能电流最高也就3-4A, 不能满足需求;YJS3622A这些优异性能在实验室已经通过极限压力测试表现良好。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由daniel提供,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【应用】小封装低压MOSFET YJQ50N03B应用于轴流风机驱动,RDS(ON)仅6.3mΩ,结温可达175℃
轴流风叶主要用于分体空调室外机及窗式空调机室外侧,体积相对较大,在运转时能产生流量较大的具有较低压力的轴向气流,将冷凝器中散发的热量吹向室外。随着行业对空调能效提升和市场对空调室外机体积的缩小,传统的轴流风机也遭遇严峻挑战,在保证轴向气流性能的前提下如何降低功耗和减少体积是摆在设计人员重要任务,扬杰推出YJQ50N03B 低压MOSFET,很好满足了轴流风机对于设计的需求。
应用方案 发布时间 : 2020-10-08
【应用】低压MOSFET YJS8205A在小型电动阀门中应用,集成双N-MOS小封装,输出电流达5A
小型电动阀门广泛应用于智能燃气表、智能热量表和智能水表系统,通常采用驱动DC电机阀门一体的结构,扬杰YJS8205A采用集成双N-MOS和小封装,20V/4A电气特性,低RDSON非常适合这种小体积高性能场景应用,在某小型电动阀门厂已经批量,不良率低于1‰。
应用方案 发布时间 : 2020-10-04
【应用】国产低压大电流的MOSFET YJQ30N03A应用于激光雷达电机单元,耗散功率21W
笔者有一客户,从事生产汽车激光雷达,其中激光雷达的电机驱动部分有低压大电流的MOSFET需求,要求工作电流30A,有着较低的功耗。推荐扬杰科技的这一款MOSFET YJQ30N03A,21W的耗散功率,封装为DFN3333。
应用方案 发布时间 : 2022-02-08
研讨会2024功率器件新技术研讨会
描述- 11月21日在线直播,带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术,点击了解报名
议题- 降低20%导通电阻的功率MOS | 集成驱动的GaN IC | 沟槽栅场截止型IGBT新技术 | 适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET | 1700V SiC功率MOS | 国产50A IPM模块 | 高可靠国产车规IGBT模块 | ROHM——专注功率,电源和模拟技术的全球知名半导体厂商 | EPC——基于氮化镓(GaN)功率管理器件的领先供应商 | 致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微(ALKAIDSEMI) | 中国半导体功率器件十强企业:扬杰科技(YANGJIE) | 致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体(Archimedes) | 中国领先的碳化硅(SiC)半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子(InventChip) | 专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子(CRM ICBG ) | Kyocera(京瓷)——全球领先的材料与电子元件制造商 | Shindengen(新电元)——“桥王”,整流桥全球份额占比约40% | 中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能(NCEPOWER) | 国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动(HVIC)制造商——数明半导体 | 国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics) | 国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯(SOCAY) |
活动 发布时间 : 2024-10-12
【选型】扬杰科技(YANGJIE)MOSFET(中低压/高压)选型指南
目录- 产品特点与应用 中低压MOSFET 高压MOSFET 封装尺寸图与焊接尺寸图 包装形态与可靠性测试项目
型号- YJB70N10A,YJD80G06A,YJ4N70Z,2N7002A,YJ12N65Z,YJQ2012A,YJC2007A,YJD25N15B,YJD90N02A,YJS2301A,YJS4435A,YJ8N60Z,YJQ55P02A,YJS4407B,2N7002KW,YJQ3400A,YJQ40P03A,YJS4407A,YJ2N65Z,YJL02N10A,YJD20N06A,YJS12N03A,2N7002K,YJP70N10A,YJL2303A,YJS10N02A,BSS123W,YJS8205B,YJSD12N03A,YJS05N06A,YJG30N06A,YJL3404A,YJL3416A,YJG80G06A,YJQC602B,YJS03N10A,YJL2304A,2N7002,YJQ1216A,YJS18N03A,YJ4N80Z,YJP25N15B,YJQ30N03A,YJQ53G06A,YJL3415A,YJQ10N02A,YJS15G10B,YJL2301G,VJG50N03A,BSS84,YJL2301F,YJL2301C,YJL2301D,YJL3407AL,YJD40G10A,YJ4N65Z,YJ7N60Z,YJP150N06AC,YJQ4666B,YJ10N65Z,2N7002W,YJQD30P02A,YJS4606A,YJL2302B,YJL05N04A,YJL2302A,YJS12N10A,YJQ03P02A,BSS123,YJL3401A,YJS05N15B,YJS2305A,YJD60N04A,YJQ20N04A,YJL03N06B,YJ12N60Z,YJL03N06A,YJD15N10A,YJQ35N04A,YJB150N06C,BSS138,YJ2N60Z,YJ7N70Z,YJL3400A,YJQ3622A,YJS7328A,YJS2022A,YJS9435A,YJD40N04A,YJD45P03A,YJS4438A,YJ10N70Z,YJD30N02A,YJL2312A,YJG105N03A,YJ8N65Z,YJS3404A,YJD100G10A,YJ4N60Z,YJD60N02A,YJQ3415A,YJ7N80,YJ7N65Z,YJQ35G10A,YJS12G06A,2N7002KDW,YJG53G06A,YJG20N06A,YJS10N04A,YJ12N70Z,YJL3401AL,YJL2305A,YJL2305B,YJG15N15B,YJG18N10A,YJL03G10A,YJG130G04A,YJG85G06A,YJL07P03AL,VJL2300A,YJL3407A,YJS4953A,YJ10N60Z,YJQ2301A,YJD80N03A,YJD50N03A,YJD80N03B,YJQ50N03B
【产品】60V/5A的N沟道增强型场效应晶体管YJS05N06A,采用沟槽功率低压MOSFET技术
扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJS05N06A,SOP-8封装。采用沟槽栅低压功率MOSFET技术和低RDS(ON)的高密度单元设计,可用于高速开关。
新产品 发布时间 : 2020-12-19
【产品】YJQ50N03A型N沟道增强型场效应晶体管,采用DFN3.3×3.3封装
扬杰科技推出的YJQ50N03A型N沟道增强型场效应晶体管,采用DFN3.3×3.3封装,Trench低压功率MOSFET技术,可用于电源转换和电机驱动等领域。其结温和存储温度范围均为-55~+175℃,可以在严苛的温度环境下工作,稳态下结至外壳热阻典型值为3.9℃/W。
新产品 发布时间 : 2021-01-31
【产品】扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJQ47N02A,采用散热封装,漏源击穿电压最小值20V
扬杰科技推出的YJQ47N02A是一款N沟道增强型场效应晶体管,使用沟槽功率低压MOSFET技术,采用针对低漏源通态电阻的高密度单元进行设计,具有良好的散热封装。
产品 发布时间 : 2023-02-01
【选型】国产N沟道MOSFET YJG80G06A可替代2SK3272在电动陶瓷球阀设计,RDSON 3.5MΩ
电动陶瓷球阀工作原理是驱动器控制永磁同步电机,电机带动陶瓷球阀,通过电机调速来实现球阀对于管道内流体的流量控制,北京某阀门厂原电动陶瓷球阀用于燃气供暖二网平衡,球阀驱动器三相全桥采用日系品牌的 2SK3272,随着阀门厂商推动国产核心器件替代,选型扬杰YJG80G06A设计提供高可靠性的替代方案。
器件选型 发布时间 : 2021-01-03
【产品】低压P通道增强型场效应晶体管YJS4409A,可实现高速切换
YJS4409A为扬杰科技推出的P通道增强型场效应晶体管,采用沟槽功率低压MOSFET技术,漏源电压-30V,漏电流-18A,适用于低漏源电压的场景。采用高密度单元设计,可实现低RDS(ON),具有高速切换优势。YJS4409A非常适用于电池保护、电源管理、负载开关等相关应用。
新产品 发布时间 : 2021-01-28
【产品】采用DFN3.3x3.3封装的N沟道增强型场效应晶体管YJQ47N02A,漏-源电压达20V
扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJQ47N02A,采用沟槽型功率低压MOSFET技术;采用DFN3.3x3.3封装,有利于散热;采用高密度单元设计,可实现低RDS(ON) 。主要应用于DC-DC转换器,电源管理功能等领域。
产品 发布时间 : 2022-11-24
【产品】-30V/-7.0A的P沟道增强型场效应晶体管YJL07P03AL,采用SOT-23-3L封装
扬杰科技的P沟道增强型场效应晶体管YJL07P03AL,采用SOT-23-3L封装,漏源电压为-30V,漏极电流为-7.0A(TA=25℃时)。该产品采用沟槽低压功率MOSFET技术,使用高密度单元设计,因此有低的RDS(ON)。
新产品 发布时间 : 2020-02-13
电子商城
品牌:扬杰科技
品类:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
价格:¥0.1200
现货: 3,065
现货市场
服务
可定制板装式压力传感器支持产品量程从5inch水柱到100 psi气压;数字输出压力传感器压力范围0.5~60inH2O,温度补偿范围-20~85ºС;模拟和数字低压传感器可以直接与微控制器通信,具备多种小型SIP和DIP封装可选择。
提交需求>
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论