【经验】SiC-SBD（SiC肖特基势垒二极管）与Si二极管的比较
下面从SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）的结构开始介绍。如下图所示，为了形成肖特基势垒，将半导体SiC与金属相接合（肖特基结）。结构与Si肖特基势垒二极管基本相同，其重要特征也是具备高速特性。
而SiC-SBD的特征是其不仅拥有优异的高速性还同时实现了高耐压。要想提高Si-SBD的耐压，只要增厚图中的n-型层、降低载流子浓度即可，但这会带来阻值上升、VF变高等损耗较大无法实际应用的问题。因此，Si-SBD的耐压200V已经是极限。而SiC拥有超过硅10倍的绝缘击穿场强,所以不仅能保持实际应用特性且可耐高压。
ROHM的650V和1200V的SiC-SBD已经实现量产，1700V产品正在开发中。
SiC-SBD和Si-PN结二极管
通过Si二极管来应对SBD以上的耐压的是PN结二极管（称为“PND”）。下图为Si-PN二极管的结构。SBD是仅电子移动，电流流动，而PN结二极管是通过电子和空穴（孔）使电流流动。通过在n-层积蓄少数载流子的空穴使阻值下降，从而同时实现高耐压和低阻值，但关断的速度会变慢。
尽管FRD（快速恢复二极管）利用PN结二极管提高了速度，但尽管如此，trr（反向恢复时间）特性等劣于SBD。因此，trr损耗是高耐压Si PN结二极管的重大研究项目。此时，开关电源无法对应高速的开关频率也是课题之一。
右上图表示Si的SBD、PND、FRD和SiC-SBD耐压的覆盖范围。可以看出SiC-SBD基本覆盖了PND/FRD的耐压范围。SiC-SBD可同时实现高速性和高耐压，与PND/FRD相比Err（恢复损耗）显著降低，开关频率也可提高，因此可使用小型变压器和电容器，有助于设备小型化。
以下是ROHM推出的1200V耐压SiC-SBD SCS210KG技术规格的一部分。。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 2
本文由LEA酱的一生转载自ROHM，原文标题为:所谓SiC-SBD－特征以及与Si二极管的比较，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【经验】SiC肖特基势垒二极管更新换代步履不停，实现了Si-SBD、Si-PND无法攀登的高耐压范围
ROHM推出了SiC肖特基势垒二极管第三代产品“SCS3系列”。SCS3系列是进一步改善了第二代SiC SBD实现的当时业界最小正向电压，并大幅提高了抗浪涌电流性能的产品。本文就SCS3系列的特点、应用范围展望等展开探讨。
【经验】SiC-SBD（SiC肖特基势垒二极管）与Si-PND的正向电压特性的区别
本文对ROHM推出的SiC肖特基势垒二极管最基本的特性以及SiC-SBD（SiC肖特基势垒二极管）与Si-PND正向电压VF特性的区别进行说明。SiC-SBD的VF随着温度升高而上升，但Si-PND（FRD）的VF是下降的。高温下SiC-SBD的VF上升会使IFSM下降，但不会像VF下降的Si-PND（FRD）那样热失控。SiC-SBD可以说是目前情况下降低VF、最有助于降低损耗的功率二极管。
【经验】罗姆SiC-SBD（SiC肖特基势垒二极管）替代Si-PND/Si-FRD的使用优势
本文描述了ROHM推出的SiC-SBD其特性、与Si二极管的比较、及当前可供应的产品，并探讨SiC-SBD的优势。ROHM的SiC-SBD已经发展到第3代。第3代产品的抗浪涌电流特性与漏电流特性得到改善，并进一步降低了第2代达成的低VF。
ROHM（罗姆） SiC（碳化硅）肖特基二极管选型指南（中文）
描述- SiC肖特基势垒二极管（SiC SBD）具有很小的总电荷（Qc），低开关损耗且高速开关工作。因此，它被广泛用于电源的PFC电路中。此外，与硅基快恢复二极管的trr（反向恢复时间）会随温度的升高而增加不同，碳化硅（SiC）器件可保持恒定的特性，从而改善了电路性能。制造商能够减小工业设备和消费类电子产品的尺寸，非常适合在功率因数校正电路和逆变器中使用。
型号- SCS208AG,SCS206AJ,SCS208AJHR,SCS220KE2,SCS206AG,SCS306AM,SCS304AM,SCS308AJ,SCS205KG,SCS220AE2,SCS308AM,SCS315AG,SCS220KG,SCS315AJ,SCS230KE2,SCS230AE2,SCS220KE2HR,SCS212AJ,SCS210AG,SCS212AG,SCS315AM,SCS210AJ,SCS210KE2HR,SCS320AM,SCS215KG,SCS210KE2,SCS220AE2HR,SCS320AJ,SCS215AJHR,SCS320AG,SCS240KE2HR,SCS240AE2HR,SCS220AJHR,SCS220AJ,SCS212AJHR,SCS220AG,SCS310AM,SCS312AJ,SCS310AJ,SCS312AM,SCS312AG,SCS310AG,SCS215AJ,SCS240KE2,SCS215AG,SCS230KE2HR,SCS240AE2,SCS230AE2HR,SCS304AG,SCS210AJHR,SCS308AG,SCS306AJ,SCS306AG,SCS210KG,SCS304AJ,SCS206AJHR,SCS208AJ
ROHM SiC肖特基势垒二极管的可靠性试验
进行半导体元器件的评估时，可靠性也是非常重要的因素。JEITA ED-4701是称为“半导体器件的环境和耐久性试验方法”的标准，是用来进行工业及消费电子的半导体评估的试验方法。从文中给出的可靠性数据可以看出，已实施了评估的ROHM的SiC-SBD，在与Si晶体管和IC可靠性试验相同的试验中，确保了充分的可靠性。
SCS2xxAN（650V) SCS2xxKN（1,200V) 宽爬电距离封装SiC肖特基势垒二极管
描述- ROHM公司推出新型SiC肖特基势垒二极管，采用小型表贴封装，实现宽爬电距离，适用于xEV系统电压提升。产品具有低开关损耗，有助于降低设备功耗。产品包括650V和1,200V两种电压等级，适用于车载和工业设备。
型号- SCS310AM为10A,SCS2XXAN,SCS220ANHR,SCS212ANHR,SCS205KNHR,SCS2XXKNHR,SCS2XXKN,SCS210KNHR,SCS220KNHR,SCS215ANHR,SCS210ANHR,SCS2XXANHR,SCS230ANHR
【产品】提高追求高可靠性第三代SiC-SBD——效率与安全余量
ROHM推出第三代SiC-SBD的亮点在于，高温时的正向电压VF更低、抗浪涌电流性能IFSM更高、反向电流（漏电流）IR更低。SCS3系列改善了第二代的正向电压特性，可进一步提高效率。而且，抗浪涌电流性能提升达2倍以上，对于意外发生的异常问题等具有更高的安全余量。最适用的用途是电源装置，尤其是PFC。
【元件】ROHM新推支持更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管，确保最小5.1mm爬电距离
ROHM开发出引脚间爬电距离*1更长、绝缘电阻更高的表面贴装型SiC肖特基势垒二极管（SBD）。新产品去除了以往封装底部的中心引脚，采用了ROHM原创的封装形状，将爬电距离延长至最小5.1mm，约为普通产品的1.3倍。通过确保更长的爬电距离，可以抑制引脚之间的漏电起痕（沿面放电），因此在高电压应用中将器件贴装在电路板上时，无需通过树脂灌封进行绝缘处理。
解析SiC-SBD的特征及其与Si二极管的不同
本文分别对比分析了SiC肖特基势垒二极管和Si肖特基势垒二极管的特点、SiC-SBD和Si-PN结二极管的不同。
DCGT08D65G4 8A 650V SiC肖特基势垒二极管
描述- 该资料介绍了DCGT08D65G4型650V SiC肖特基势垒二极管的产品特性、电气特性、应用领域和包装规格。该二极管适用于高频应用，具有高电压、零反向恢复电流、零正向恢复电压等特性，适用于开关电源、功率因数校正、电机驱动、光伏逆变器、风力发电站等领域。
型号- DCGT08D65G4
ROHM SiC肖特基势垒二极管（SiC-SBD）发展历程及主流产品
ROHM的SiC-SBD目前第2代是主流产品，保持了与以往产品同等的漏电流和trr性能，同时将VF降低了约0.15V。第3代致力于提高抗浪涌电流特性并改善漏电流性能，采用了JBS结构，成功地进一步改善了第2代实现的低VF特性。与第2代产品相比，第3代产品在高温时的VF-IF曲线坡度陡峭，相对同一IF，VF较低，已经得到改善。
ROHM SiC-SBD的技术规格书中没有反向恢复损耗Err项目，怎样估算比较好？
SBD由于没有载流子积蓄效应而没有反向恢复现象。但是具有寄生电容，因此以充放电的形式产生开关损耗。例如，使SCS240AE2C以250kHz400V工作时，估算如下：fQV = 250kHz x (31nC x 2) x 400V = 6.2W电流无关。
DCD10D65G4 10A 650V SiC肖特基势垒二极管
描述- 该资料详细介绍了DCD10D65G4型碳化硅肖特基势垒二极管的产品特性、电气特性、应用领域以及产品规格。该二极管适用于高频应用，具有高电压、零反向恢复电流、零正向恢复电压等特性，适用于开关电源、功率因数校正、电机驱动等领域。
型号- DCD10D65G4
GSC2D0465DN SiC肖特基势垒二极管
描述- 该资料详细介绍了GSC2D0465DN型碳化硅肖特基势垒二极管的产品特性、应用领域、机械数据、关键性能参数、订购信息、热特性、电气特性、特性曲线和封装尺寸。该二极管适用于开关电源、不间断电源、电机驱动器和功率因数校正等领域。
型号- GSC2D0465DN
SiC肖特基势垒二极管
描述- 这份资料主要介绍了多种类型的元器件，包括碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET、全碳化硅功率模块和智能功率模块。资料详细描述了这些元器件的尺寸、封装类型和基本订购单位。此外，还提供了相关产品的图片和包装信息。
电子商城
现货市场
服务
可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数，电压1.5-37V，电流5-150mA，波长470-940nm。
最小起订量： 30000 提交需求>
可定制单色光灯珠、双色灯珠、全彩灯珠、发光二极管、贴片灯珠、贴片LED等产品，尺寸：0.6*0.3mm-3.2*2.7mm，波长：405-940nm，亮度：24-750mcd，电压：1.5-3.5V。
最小起订量： 3000 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论