面向48V DC/DC电源转换、马达控制及激光雷达的100 V氮化镓(eGaN®)功率晶体管

2019-03-19 EPC
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宜普电源转换公司(EPC)在2019年3月15宣布推出100 V的EPC2052氮化镓场效应晶体管,其占板面积只是2.25平方毫米、最大导通阻抗(RDS(on))为13.5 mΩ及脉冲输出电流高达74 A以支持高效功率转换。



要求更高的效率及更高的功率密度的应用,不需要选择小尺寸还是高性能了,因为EPC2052可以同时实现小尺寸及高性能! EPC2052的尺寸只是1.5毫米乘1.5毫米(即2.25平方毫米)。EPC2052的占板面积虽然小,它工作在48V–12V降压转换器、500 kHz频率下开关及10 A输出电流时,可实现超过97%的效率!如果在1MHz、10A输出电流时,则可实现超过96%的效率。此外,低成本的EPC2052与等效硅MOSFET的成本可比。受惠于EPC2052的高性能、小尺寸及低成本优势的应用包括面向运算及通信系统的48V输入功率转换器、激光雷达、LED照明及D类音频放大器。

 

宜普电源转换公司首席执行官Alex Lidow说:“氮化镓(eGaN)器件在高频下工作可实现高效率,在性能及成本方面得以扩大与等效硅基器件的绩效差距。100V的EPC2052氮化镓场效应晶体管比等效MOSFET小型化很多,而且它可以在高频下工作,从而让设计师可以进一步节省占板面积。”

 

开发板

EPC9092开发板的器件的最大电压为100V、半桥式、采用EPC2052晶体管及TI公司的栅极驱动器(LMG1205)。开发板的尺寸为2英寸乘2英寸(50.8毫米乘50.8毫米),专为最高开关性能而设,而且包含所有重要组件,使得工程师可以易于对100V的EPC2052 eGaN FET进行评估。

 

宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供货商,为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管就集成电路,其目标应用包括 直流-直流转换器、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、功率逆变器、激光雷达(LiDAR)及D类音讯放大器等应用,器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍。此外,宜普公司正在扩大基于eGaN IC的产品系列,为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。

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