【产品】430V/11A/0.55Ω的N沟道MOSFET SLD3101，采用D-PAK封装

时间： 2020-07-10 来源：美浦森

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美浦森（Maplesemi）的N沟道MOSFET SLD3101，使用Maplesemi的先进沟槽MOSFET技术生产。该先进技术经过特别设计，可最大程度地降低导通电阻，提供出色的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。SLD3101漏源电压430V，连续漏极电流11A，导通电阻典型值为0.55Ω，采用D-PAK封装，非常适合于高效开关模式电源，基于半桥拓扑的有源功率因数校正。

图1 产品封装图和原理图

特点

- 低栅极电荷（典型值为23nC）

- 耐用型好

- 快速开关

- 100％雪崩测试

- 改进的dv / dt能力

最大额定值（除非另有说明，否则TC = 25°C）

热特性

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