【产品】1200V碳化硅二极管MSD02120V1采用TO-252（DPAK）封装，连续正向电流最大9.5A

时间： 2022-05-17 来源：美浦森

技术问答

美浦森（Maplesemi）推出的MSD02120V1是一款1200V碳化硅二极管，采用TO-252（DPAK）封装，具有恢复时间短、开关速度快、工作频率高等特点，拥有更高的过电压安全裕度、比硅二极管替代品更高的效率、基本无开关损耗等优势，适用于开关电源、功率因数校正、电机驱动、HID照明等应用。

产品特征

- 1200V肖特基整流器

- 恢复时间短

- 具有高速开关能力

- 高频工作

- 与温度无关的开关特性

- 极快的开关速度

- 具有正温度系数的正向电压VF

产品优势

- 更高的过电压安全裕度

- 提高了所有负载条件下的效率

- 与硅二极管替代品相比，效率更高

- 减少了对散热器的需求

- 并联时无热失控

- 基本无开关损耗

产品应用

- 开关电源

- 功率因数校正

- 电机驱动

- HID照明

绝对最大额定值（T_C=25℃，除非另有说明）

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美浦森半导体超结MOSFET/高压MOSFET/VD MOSFET/碳化硅二极管/碳化硅MOSFET选型表

目录- SJ MOSFET HV MOSFET VD MOSFET SIC Diode SIC MOSFET

型号- SLF8N60C,SLF12N70S,SLF16N60S,MSD02120G1,SLFT0R360S3,SLD80N04T,MSH080120M1,MSP540S,SLP300N10T,MSH16120G1,SLB130N10G,SLF8N60S,MSNP06065G1,SLF60R099E7,SLF60R180E7D,SLF80R380SJ,SLH60R070E7,SLD100N03T,SLD70R310S3,SLD5N50S2,SLF10N70S,SLM100N03T,SLF65R380E7,SLD70R600S3,SLS30L03T,SLF10N65C,SLF10N65A,SLD2N65S,SLF80R240SJ,SLD65R280E7,SLF14N60S,SLN30N03T,SLF18N50S,SLF12N65S,SLF3101,MSH060065M1,SLF70R500S3,SLF10N65S,SLN40N04G,SLM65R380E7,SLF18N50A,SLF18N50C,SLF12N65C,SLF12N65A,SLW24N50C,MSNP08065G1,SLW9N90C,SLD20N06T,SLF16N50S,SLF70R360S3,SLD80N06T,MS2H20120G1,MSD05120G1,SLF65R565SS,MSD02065G1,SLF20N60S,SLF5N60S,MS2TH60065G1,SLF16N50C,SLF60R380E7,SLD60N04T,MSP08065G1,SLD20N10T,SLP150N06T,MSH20120G1,SLP80N08T,SLF5N60C,SLF18N60S,MSP02065G1,SLF70R310S3,SLF60R070E7,MSK040120M1,SLFT0R600S3,SLL65R170E7,MS2H32120G1,MSK060065M1,MSM06065G1,SLD80R500SJ,SLD840U,MSP04065G1,MS2H40120G1,MSD10120G1,MSF10120G1,SLP32N20C,SLD50N06T,SLF20N50S,SLF18N65S,SLD65R565SS,MSP20065G1,SLD65R380E7,SLF20N50A,SLD70R500S3,SLF20N50C,SLP150N04T,SLF2N60S,SLW60R099E7,SLF8N65C,SLM80N10G,SLP3103,SLF65R280E7,SLF7N70S,MSD06065G1,SLF8N65S,MS2H40065G1,SLF70R600S3,MSP10120G1,MSP06065G1,SLD840UZ,SLD70R360S3,SLP3205T,SLP3710T,SLF5N65C,SLF10N60C,SLF730S,SLP50N06T,MS2H32065G1,SLF14N65S,SLM90N06G,MSP10065G1,SLM180N04G,MSP16065G1,SLF10N60S,MSK025120M1,SLF12N60C,SLF840C,SLF65R170E7,SLD90N02T,MSNP10065G1,MSK080120M1,SLH65R070E7,SLF16N65S,SLF13N50C,SLD5N50S,SLF20N65S,SLF13N50A,MSD04065G1,SLF60R280E7,SLB120N08G,SLD80N03T,SLP150N03T,SLD80R850SJ,SLF5N65S,SLD80R600SJ,SLF13N50S,SLM20L10T,SLF7N80C,SLD150N03T,SLM60N10G

选型指南 - 美浦森 - REV.01 - 2021 PDF 英文下载

美浦森碳化硅二极管选型表

提供美浦森碳化硅二极管选型，覆盖电压650V/1200V,正向电流 2A-40A,正向压降1.4-1.45。

产品型号	品类	封装	反向耐压	正向电流	正向压降
MS2H20120G1	Silicon Carbide Diode	TO-247	VR：1200V	IF：20A	VF TYP：1.45V

选型表 - 美浦森立即选型

250W开关电源对碳化硅功率器件的需求正逐渐加大，碳化硅二极管KS10065-A的应用可提升电源效率

碳化硅二极管以其高效的导电性、耐高温和低能耗特点，在高频开关电源设计中显得尤其重要。相比于传统的硅二极管，森国科KS10065-A二极管能在更高的频率下工作，同时保持较低的热量输出，这直接提高了开关电源的效率和可靠性。

应用方案发布时间 : 2024-08-20

【产品】1200V/29A的碳化硅二极管MS2H20120G1，采用TO-247-3封装

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新产品发布时间 : 2020-04-10

美浦森推出无反向恢复电流的碳化硅二极管适用于高频下整流应用，可提高频率降低损耗，进一步提高充电器功率密度

美浦森推出的碳化硅二极管系列产品MSD04065G1和 MSM06065G1，没有反向恢复电流，非常适合高频下整流应用，与氮化镓开关管强强联合，可以提高频率降低损耗，从而减小磁性元件体积，进一步提高充电器功率密度。

厂牌及品类发布时间 : 2023-06-22

森国科KS10065-D碳化硅二极管助力330W适配器更高效，专为高功耗设备设计的电源供应设备

随着电子设备尤其是笔记本、游戏本和高性能工作站等的功耗日益增加，传统的低功率适配器已无法满足需求，因此330W适配器应运而生。330W适配器是专为高功耗设备设计的电源供应设备，用于确保足够的电力支持设备的运行。在330W适配器中采用650V SiC二极管不仅提高能效、优化热管理，而且在增加功率密度方面也有着巨大潜力。

应用方案发布时间 : 2024-08-20

時科推出650V、900V、1200V耐压的碳化硅二极管，具有更低的功率损耗，可在高频高温的环境下工作

广东時科微实业有限公司技术工程师何沛雄先生为大家带来了《SiC应用技术分享》的主题演讲，介绍了碳化硅与传统硅器件的优势，碳化硅二极管的优势，碳化硅二极管的应用，以及時科碳化硅二极管的产品介绍。

厂牌及品类发布时间 : 2023-06-14

碳化硅二极管成为大功率电源产品核心竞争力，致力提高电动汽车、逆变器等效率和可靠性

碳化硅材料作为第三代半导体，目前已有多家厂商投产，在诸多场合取代传统快恢复二极管，提高了电动汽车、逆变器、轨道交通、太阳能和风力发电上的效率和可靠性。如今引入大功率氮化镓适配器中，为大功率、高密度PD快充的普及更增添一份力量。

厂牌及品类发布时间 : 2022-01-02

【产品】650V/8A的碳化硅肖特基二极管MSD08065G1，开关速度极快

美浦森（Maplesemi）推出的650V碳化硅肖特基二极管MSD08065G1，具有恢复时间短、开关速度极快等特点，适用于开关电源、功率因数校正和电机驱动等应用。

新产品发布时间 : 2020-05-15

MSD08065G1 650V Silicon Carbide Diode

型号- MSD08065G1

数据手册 - 美浦森 - Rev1.0 - Feb.2020 PDF 英文下载

MSP16065G1 650V Silicon Carbide Diode

型号- MSP16065G1

数据手册 - 美浦森 - Rev1.0 - Sep. 2019 PDF 英文下载查看更多版本

【产品】开关速度极快的1200V碳化硅二极管MSF10120G1，可应用于开关电源/功率因数矫正等领域

美浦森（Maplesemi）推出的碳化硅二极管MSF10120G1，具有恢复时间短，可以进行高速开关，高频操作等特点，反向重复峰值电压VRRM为1200 V，工作结温和储存温度为-55 至 +175 ̊ C。此外，该器件有更高的过压安全裕度，提高了所有负载条件下的效率，与硅二极管替代品相比，效率更高。可应用于开关模式电源，功率因数校正，电机驱动，HID照明等领域。

新产品发布时间 : 2020-07-10